當 LDO 的輸入輸出電壓反轉時，反向電流從輸出引腳向輸入引腳流入 IC 芯片內。通常在 IC 外部連接反電流保護用二極管，防止 IC 損壞。本應用筆記說明了是否需要保護二極管的指導方針和如何選擇反向電流保護二極管。 1. 是否需要保護二極管的指南 在 Table1 列出了針對具體事例是否需要保護二極管的指導方針。另外，請注意，指導方針根據輸出晶體管類型不同而不同。各個 項目的詳細情況請參照表內記載的參照處。

2. 保護電路的選擇 保護電路有兩種，分別是在 LDO 的輸入側插入二極管，阻止反向電流的方法(Figure1)，和在輸入輸出間配置二極管，旁路反向 電流的方法(Figure2)。在 Table2 中列出了每個保護電路的優(yōu)缺點，因此請使用適用于應用的保護電路。

3. 二極管的選擇 在 Table3 中列出了前面介紹的 2 種保護電路中使用的二極管的種類和對電氣特性的要求。

3-1. 反向電流阻止電路的情況 關于二極管的種類，雖然整流二極管、肖特基勢壘二極管、快 速恢復二極管、開關二極管都可以使用，但考慮到電氣特性和 成本，一般多使用肖特基勢壘二極管或整流二極管。在 100mA 以下的小電流應用中也可以使用開關二極管。也可以使用快速 恢復二極管，但在該用途中會有些性能過剩。 輸入輸出間的壓降電壓余量充足時，可以使用整流二極管。如 果壓降電壓沒有裕量，則使用正向電壓低的肖特基勢壘二極管， 但請注意高溫時反向電流會呈指數(shù)函數(shù)增加。

3-2. 反向電流旁路電路的情況 因為旁路二極管必須比 IC 內部的寄生元件先導通(ON)，所以 使用正向電壓低的肖特基勢壘二極管。 肖特基勢壘二極管反向電流IR大，隨著溫度上升，電流呈指數(shù)函 數(shù)增加，也有產品會達到數(shù)十mA。

是具有關閉開關功 能的LDO的例子，即使關閉LDO的輸出，施加的輸入電壓依然 存在，二極管的反電流IR會使電流流向負載。

因此后級電路可能 會發(fā)生誤動作。另外，在正常動作時，由于泄漏電流總是從輸 入流向輸出，所以電壓調節(jié)特性可能會惡化。綜上所述，必須 選擇反向電流IR小的產品。推薦的肖特基勢壘二極管如Table4 所示。 LDO IN CIN GND COUT VOUT VIN IR EN OUT Shutdown RLOAD Figure 3. 即使關閉 LDO 輸出， 電流也會通過二極管的反向電流 IR 流向負載

LDO 反向電流保護二極管的選擇方法

4. 輸出晶體管的形式 LDO 的輸出晶體管的形式有雙極型和 MOSFET 型，各自的命 名方式不同。ROHM 的雙極型產品的品名以“BA”開始， MOSFET 型產品的品名以“BD”“BU”“BH”開始。

4-1. 雙極型 Figure 5 是雙極型 LDO 的框圖，從輸出側看輸入側，在硅晶 片的制造結構上，可能存在作為寄生二極管發(fā)揮作用的 pn 結。 該寄生二極管未設計為電路，流過電流可能導致器件損壞或電 路誤動作。因此，請務必采取措施，防止雙極型反向電流流動。

在LM1117穩(wěn)壓器中，輸出引腳和輸入引腳之間的內部二極管可以承受10A 至20A 的微秒級浪涌電流，這是該穩(wěn)壓器的內部框圖：

如果使用極大的輸出電容器(≥1000μF) 并且輸入瞬時對地短路，穩(wěn)壓器可能會損壞：

這種情況下，建議在輸出引腳和輸入引腳之間使用外部二極管來保護穩(wěn)壓器：

關于LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管，網絡上有一些解釋原因的文章。但網絡上太多不靠譜的文章，遇到問題還是先看芯片的datasheet數(shù)據手冊，數(shù)據手冊是最權威的。

這是TI的LM1117數(shù)據手冊的描述：

電路啊的文章喜歡理論結合實際案例，以下是一個LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管的實際案例，原理圖：

對應的實物：

使用的是穩(wěn)壓器LM317，關于并聯(lián)二極管，其數(shù)據手冊的描述如下 :

數(shù)據手冊說二極管D1提供一個低阻抗的泄放路徑，防止輸出電容對穩(wěn)壓器的輸出引腳放電。

一般情況不需要增加這個二極管D1，具體參考穩(wěn)壓器的數(shù)據手冊，謹慎設計電路。

另外需要注意，增加這個二極管時，二極管的反向耐壓要大于LDO穩(wěn)壓器的輸入電壓。

總結：

遇到問題，比如發(fā)現(xiàn)LDO穩(wěn)壓器罕見地并聯(lián)了二極管，應該先查看芯片的數(shù)據手冊，看能否解答疑問。

有些LDO穩(wěn)壓器的數(shù)據手冊沒有寫需要并聯(lián)二極管，可能是它真的不需要，也可能是因為一般情況下不需要，于是沒寫，總之大家留個心眼。