功率MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對功率MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。

一、功率MOSFET的雪崩現(xiàn)象

在感性負載的電路應(yīng)用中，MOSFET導(dǎo)通時對感性負載充電，電感積聚能量； 當(dāng)MOSFET關(guān)閉時，感性負載中積聚的能量釋放，引起MOSFET漏極和源極間電壓急速上升，并有電流流過，直至能量釋放結(jié)束，電流和電壓降至為零，這個過程就是MOSFET中雪崩的現(xiàn)象，如下面的圖1，圖2，圖3。

在圖2中，MOSFET關(guān)閉時所承受的能量沖擊被鉗在了擊穿電壓VBR上，雖然datasheet中沒有給出具體的VBR值，但我們可以根據(jù)已知的V(BR)DSS值估算出。 VBR≈3*V(BR)DSS。

在圖4中，雪崩電流最大值IDS(AL)S和電流衰減時間tAL，及圖5中的雪崩功率PDS(AL)M都和感性負載的感值，MOSFET關(guān)閉前電流的最大值有關(guān)。

二、功率MOSFET基本特性解讀

靜態(tài)特性：

其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如下圖所示。

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。

MOSFET漏極伏安特性（輸出特性）：

截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。

動態(tài)特性：

其測試電路和開關(guān)過程波形如下圖所示。

td(on)導(dǎo)通延時時間——導(dǎo)通延時時間是從當(dāng)柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的10%時所經(jīng)歷的時間。

tr上升時間——上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時間。

iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。

開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和。

td(off)關(guān)斷延時時間——關(guān)斷延時時間是從當(dāng)柵源電壓下降到90%柵驅(qū)動電壓時到漏電流降至規(guī)定電流的90%時所經(jīng)歷的時間。這顯示電流傳輸?shù)截撦d之前所經(jīng)歷的延遲。

tf下降時間——下降時間是漏極電流從90%下降到10%所經(jīng)歷的時間。

關(guān)斷時間toff——關(guān)斷延遲時間和下降時間之和。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)功率MOSFET的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進行探索哦。