9月17日消息，美國政府宣布，Intel公司已根據(jù)《芯片與科學法案》獲得高達30億美元的直接資金，用于“安全飛地(Secure Enclave)”計劃。該計劃將為美國政府擴大尖端半導體的可信制造。

Intel聯(lián)邦總裁兼總經(jīng)理克里斯·喬治表示：“Intel很自豪能夠與美國國防部持續(xù)合作，幫助加強美國的國防和國家安全系統(tǒng)。今天的聲明凸顯了我們與美國政府的共同承諾，即加強國內(nèi)半導體供應鏈，并確保美國在先進制造、微電子系統(tǒng)和工藝技術方面保持領先地位?！?

Intel CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)表示，作為唯一一家同時設計和制造尖端芯片的美國公司，我們將幫助確保國內(nèi)芯片供應鏈的安全。

Intel還透露，其代工廠即將完成歷史性的設計和工藝技術創(chuàng)新，其最先進的技術——Intel 18A——有望在2025年投入生產(chǎn)。

Intel開發(fā)和生產(chǎn)了許多世界上最先進的芯片和半導體封裝技術，目前正在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的工廠推進關鍵的半導體制造和研發(fā)項目。

Intel稱，與美國政府的密切合作由來已久。2020年，Intel獲得SHIP計劃第二階段的授權，使美國政府能夠使用Intel在亞利桑那州和俄勒岡州的先進半導體封裝能力，并利用Intel每年大量的研發(fā)和制造投資。

2023年，Intel成功交付了SHIP計劃下的首批多芯片封裝原型，這是確保獲得尖端微電子封裝并為國防部現(xiàn)代化鋪平道路的重大成就。

據(jù)了解，18A是Intel雄心勃勃的“五年，四個節(jié)點 (5Y4N)”路線圖的巔峰之作。

該工藝采用創(chuàng)新設計，將環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術RibbonFET與背面供電技術PowerVia相結合。

RibbonFET能夠精確控制晶體管溝道中的電流，在減少功耗方面發(fā)揮著重要作用，同時還能實現(xiàn)芯片組件的進一步小型化。

另一方面，PowerVia將電源與晶圓表面分離，優(yōu)化信號路徑并提高電源效率。這些技術的結合預計將顯著提高未來電子設備的計算性能和電池壽命。