2月25日消息，近日，韓媒ZDNet Korea報道稱，三星將使用長江存儲專利技術，系歷史首次。

據(jù)悉，近期三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術的專利許可協(xié)議，以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術來進行制造。

報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。

三星經(jīng)過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響。

對于3D NAND廠商來說，要想發(fā)展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術已經(jīng)成為了一項核心技術。

對于長江存儲來說，此次向三星這樣的頭部存儲技術大廠提供專利許可，屬于是中國存儲產(chǎn)業(yè)歷史上的首次，充分凸顯了長江存儲在3D NAND領域的技術創(chuàng)新實力。

在得到了三星的認可之后，SK海力士等3D NAND廠商后續(xù)可能也將會尋求向長江存儲獲取“混合鍵合”專利許可授權(quán)。

值得一提是，根據(jù)韓國科學技術評估與規(guī)劃研究院 (KISTEP)于2月23日發(fā)布的“三個改變游戲規(guī)則領域的技術水平深度分析”簡報，39名國內(nèi)半導體專家進行的調(diào)查顯示，中國在除先進封裝以外的所有半導體技術領域的基本能力都超過了韓國。

目前，中國在各個領域的基本能力方面都優(yōu)于韓國，包括高性能和低功耗AI半導體，韓國得分為84.1%，中國為88.3%;功率半導體，韓國為67.5%，中國為79.8%;以及下一代高性能傳感技術，韓國為81.3%，中國為83.9%。

只有在先進半導體封裝技術方面，韓國和中國并列為74.2%。

一項評估半導體行業(yè)技術生命周期的綜合調(diào)查還發(fā)現(xiàn)，韓國僅在加工和大規(guī)模生產(chǎn)方面處于領先地位，而中國在基礎和核心技術以及設計方面占據(jù)優(yōu)勢。