在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。

臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。

臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產還有2個季度，也就是要等到年底。

N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。

從試產到量產半年的時間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，N5/N4情況更好，從試產開始就明顯更低。

N2如果能延續(xù)N5/N4的趨勢，前景無疑是非常光明的。

臺積電還指出，一種工藝的缺陷率能否快速降低，除了取決于本身的設計和技術，也要看制造芯片數(shù)量、產能規(guī)模，越多越大就越容易發(fā)現(xiàn)缺陷并改進。

臺積電N2已流片的芯片數(shù)量就明顯更多，也是其能夠快速降低缺陷率的關鍵原因。