在探討MOS管發(fā)熱的原因時，我們首先關注的是內置電源調制器的高壓驅動芯片。當芯片承受2mA的電流和300V的電壓時，其功耗將達到0.6W，這無疑會導致芯片發(fā)熱。值得注意的是，驅動芯片所消耗的最大電流主要源于驅動功率MOS管。為了降低芯片的功耗，我們可以采取一些措施，如減小功率MOS管的cgs電容、降低gate電壓以及優(yōu)化頻率。若這些參數(shù)無法調整，那么另一種策略是將芯片的功耗分散到芯片外的其他器件上，但需確保不會引入額外的功耗。簡而言之，就是通過優(yōu)化散熱設計來降低芯片的溫度。

功率管的功耗主要分為開關損耗和導通損耗兩部分。在多數(shù)應用場合，尤其是LED市電驅動領域，開關損耗往往遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs電容、芯片的驅動能力以及工作頻率緊密相關。因此，解決功率管發(fā)熱問題可以從以下幾個方面著手：首先，選擇MOS功率管時，不能僅憑導通電阻大小來決定，因為內阻越小，其cgd和cgs電容也會越大。例如，1N60的cgs電容約為250pF，而5N60的則高達1200pF，選擇時需綜合考慮;其次，頻率和芯片驅動能力也是關鍵因素。在頻率選擇上，需要權衡導通損耗與負載能力，避免頻率過高導致功率管發(fā)熱;最后，若需降低頻率，還需注意峰值電流或電感值的調整，以防止電感進入飽和區(qū)域。若電感飽和電流足夠大，可以考慮將CCM模式調整為DCM模式，但這需要增加一個負載電容來實現(xiàn)。

反激電源MOS D-S之間電壓波形產生的原因?這是一個典型的問題，本質原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當時我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實應細化為：為什么會有兩次諧振，諧振產生的模型是怎樣的?

如下為反激式電源實現(xiàn)方案，該方案采用初級側穩(wěn)壓(PSR)技術，

Q1導通時，變壓器初級電感存儲能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負載;

Q1關斷時，變壓器初級線圈釋放能量，輸出續(xù)流二極管正向偏置，向輸出端提供電能;

開關電源產生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開通、關斷切換的過程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電，充電結束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲能，如此循環(huán)往復。

群友發(fā)出的圖片中，有2次諧振，

第一次諧振

該諧振產生的時間點在MOS管關斷的瞬間，等效諧振電路如下：

Loop：初次級間的漏電感、初級勵磁電感、功率MOSFET封裝電感之和

Coss：MOS管寄生電容、線路寄生電容

第二次諧振

這是開關電源DCM模式特有的一個振鈴現(xiàn)象，

此處你必須要了解開關電源電感如下兩種模式：

CCM：連續(xù)導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間不會到達0;

DCM：斷續(xù)導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間到達0。

在DCM模式下，當MOS管關斷，且在次級反射電流消耗為0之前，次級線圈輸出相位的電壓高于實際輸出電壓;當反射電流消耗為0，即次級線圈電流消耗為0時，實際輸出電壓由輸出電容提供，此時次級輸出相位的電壓等于0，在次級輸出相位電壓由高于輸出電壓到等于0的變化過程中，會出現(xiàn)電壓的衰減振蕩，而該衰減振蕩會耦合到初級線圈并加載在MOS與線圈連接的開關節(jié)點處。

由于該諧振給MOS管的寄生電容充電，若MOS在此時導通，則可能碰到寄生電容電位被充到較高的時刻，此時寄生電容所充電的能量若被直接導到GND會造成MOS管的導通損耗，針對該問題，誕生出了準諧振技術，即：DCM模式下，初級側MOS在開關節(jié)點諧振電壓擺幅的谷底附近導通

MOS管發(fā)燙的原因，反激電源中的MOS管發(fā)燙可能有多種原因，以下是一些可能的原因：

1. 電路設計問題：如果MOS管工作在線性狀態(tài)而不是開關狀態(tài)，可能會導致MOS管發(fā)燙。此外，如果MOS管沒有完全打開，壓降過大，也會造成功率消耗和發(fā)燙。

2. 散熱設計不足：MOS管需要良好的散熱才能達到其標稱的電流值。如果散熱設計不足，電流過高，MOS管可能會發(fā)燙嚴重。

3. 頻率過高：有時為了追求體積，頻率可能會提高，導致MOS管上的損耗增大，從而發(fā)熱增加。

4. MOS管選型錯誤：如果MOS管的選型有誤，例如對功率判斷有誤，或者MOS管內阻沒有充分考慮，可能導致開關阻抗增大，從而引發(fā)發(fā)熱。

5. 環(huán)境溫度過高：如果工作環(huán)境溫度過高，例如在高溫車間，也可能導致MOS管發(fā)燙。

6. 電源電壓過低：電源電壓過低可能導致MOS管工作不正常，從而產生過多的熱量。

解決MOS管發(fā)燙的措施，為了解決MOS管發(fā)燙的問題，可以采取以下措施：

1. 降低工作溫度：通過改善散熱條件，如增加散熱片或風扇，降低MOS管的工作溫度。

2. 改善工作環(huán)境：確保工作環(huán)境溫度適中，避免在高溫環(huán)境下使用MOS管。

3. 減小負載：如果負載過大，特別是大電阻，可能導致MOS管發(fā)熱嚴重。通過減小負載或優(yōu)化電路設計來降低發(fā)熱。

4. 改善散熱條件：確保MOS管有足夠的散熱空間，并選擇合適的散熱器和散熱材料。

5. 過流保護動作時及時斷開電源：在過流保護動作發(fā)生時，及時斷開電源，避免電流長時間過大導致過熱。

6. 定期檢查和更換器件：定期檢查MOS管的工作狀態(tài)，如果發(fā)現(xiàn)器件老化或損壞，及時更換，以確保電路的正常運行。

請注意，以上只是一些可能的原因和解決方案，具體情況可能因電路設計、工作環(huán)境和使用條件等因素而有所不同。如果問題持續(xù)存在或無法解決，建議咨詢專業(yè)工程師或技術人員進行進一步的排查和修復。