上海2025年9月26日 /美通社/ -- 9月24日至26日，作為化合物半導(dǎo)體行業(yè)的先進(jìn)企業(yè)，三安精彩亮相電力電子盛會(huì)PCIM Asia上海展。在N5館-B50展臺(tái)，三安集中展示了涵蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的核心產(chǎn)品與解決方案，包括SiC MOSFET/SBD、襯底、外延片、車(chē)規(guī)級(jí)模塊等，覆蓋新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)人流如織，三安技術(shù)團(tuán)隊(duì)與客戶(hù)深入交流，共同探討如何通過(guò)高性能碳化硅方案提升能效、優(yōu)化系統(tǒng)尺寸與總成本。

三安出席亞洲電力電子盛會(huì)PCIM Asia

作為國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的企業(yè)，三安具備從粉料合成到芯片封測(cè)的自主可控能力。本次展會(huì)還同步展示了針對(duì)新能源汽車(chē)與工業(yè)應(yīng)用自主研發(fā)的評(píng)估測(cè)試板，助力客戶(hù)加速系統(tǒng)驗(yàn)證與產(chǎn)品上市。

在同期舉辦的ISES China 2025國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)上，三安半導(dǎo)體工藝技術(shù)研發(fā)副總顧子琨博士受邀發(fā)表主題演講，系統(tǒng)闡述了三安在碳化硅MOSFET技術(shù)上的演進(jìn)路徑與突破，包括產(chǎn)品可靠性提升、導(dǎo)通電阻優(yōu)化等關(guān)鍵進(jìn)展，展現(xiàn)了三安在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料到芯片的全鏈閉環(huán)能力。

三安出席亞洲電力電子盛會(huì)PCIM Asia

雙會(huì)聯(lián)動(dòng)，"芯"光熠熠。三安雙線出擊兩大行業(yè)盛會(huì)，以領(lǐng)先的碳化硅（SiC）與功率半導(dǎo)體解決方案，體現(xiàn)了公司持續(xù)推進(jìn)能源電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)的戰(zhàn)略決心，與行業(yè)大咖共同探討技術(shù)前沿，攜手引領(lǐng)下一代能源與電子革命！

未來(lái)，三安將持續(xù)加大寬禁帶半導(dǎo)體創(chuàng)新投入，深化全球合作，推動(dòng)"中國(guó)芯"在高端能源與電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模落地，為構(gòu)建綠色、高效的智慧未來(lái)注入三安力量。