儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）能將來(lái)自不同發(fā)電方式（煤炭、核能、風(fēng)能、太陽(yáng)能等）的能量，以多種形式儲(chǔ)存起來(lái)，例如電化學(xué)儲(chǔ)能、機(jī)械儲(chǔ)能等。電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（BESS，Battery Energy Storage System）在住宅和商業(yè)場(chǎng)景中均有廣泛應(yīng)用，是比較熱門(mén)的一個(gè)研究領(lǐng)域。

在住宅場(chǎng)景下，電池儲(chǔ)能系統(tǒng)可作為備用電源，避免突發(fā)停電問(wèn)題，同時(shí)通過(guò)將電能從電價(jià)低谷時(shí)段轉(zhuǎn)移至電價(jià)高峰時(shí)段使用，幫助用戶節(jié)約用電成本。在商業(yè)場(chǎng)景下，儲(chǔ)能系統(tǒng)的規(guī)模通常更大，其能高效存儲(chǔ)和管理太陽(yáng)能逆變器產(chǎn)生的清潔能源，從而實(shí)現(xiàn)低碳排放。如今，電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的另一關(guān)鍵作用在于，它能緩解因電動(dòng)汽車（EV）充電需求日益增長(zhǎng)而帶來(lái)的電網(wǎng)壓力。本文將全面介紹儲(chǔ)能系統(tǒng)和市場(chǎng)情況，以及安森美（onsemi）的領(lǐng)先產(chǎn)品與解決方案。

框圖 - 交流耦合電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

下圖展示了安森美推薦的交流耦合電池儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。 該系統(tǒng)通過(guò)使用一個(gè)逆變器， 可實(shí)現(xiàn)交流電儲(chǔ)能， 兼具靈活性和可靠性。 安森美提供其中的關(guān)鍵產(chǎn)品，包括分立式碳化硅（SiC） 器件和IGBT， 電源模塊、 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及電源管理控制器， 適用于住宅和商業(yè)應(yīng)用。

框圖 - 直流耦合電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

下圖展示了安森美推薦的直流耦合電池儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。 該系統(tǒng)直接從光伏組件存儲(chǔ)電能， 最大程度降低轉(zhuǎn)換損耗， 保障系統(tǒng)效率。 安森美提供的關(guān)鍵產(chǎn)品包括分立式碳化硅（SiC） 器件和IGBT， 電源模塊、隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器以及電源管理控制器， 適用于住宅、 商業(yè)和公用事業(yè)應(yīng)用。

用于電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的電源模塊解決方案

圖 1：三電平 I-NPC 拓?fù)?

圖 2：三電平 ANPC 拓?fù)?

三電平I-NPC和三電平ANPC是電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（PCS） 中常見(jiàn)的雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 可滿足輸出功率不斷增長(zhǎng)的需求。 與兩電平拓?fù)湎啾龋?三電平拓?fù)湫枰嗟脑骷?驅(qū)動(dòng)信號(hào)以及更復(fù)雜的控制結(jié)構(gòu)。 但其優(yōu)勢(shì)也十分明顯：三電平結(jié)構(gòu)能夠有效降低功率損耗和電流紋波（由于所承受電壓減半） ， 并具有更好的抗電磁干擾（EMI） 性能。

NXH800H120L7QDSG 是安森美最新推出的 QDual3 系列 1200V 800A 半橋 IGBT 電源模塊， 具有更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗， 從而實(shí)現(xiàn)高效率和卓越的可靠性。 通過(guò)并聯(lián)多個(gè) QDual3 模塊， 可以構(gòu)成三電平 ANPC 模塊， 系統(tǒng)的設(shè)定輸出功率可高達(dá) 1.6MW 至 1.8MW。

NXH600N105L7F5S1HG 是安森美最新推出的 F5BP 系列1050V 600A I-NPC IGBT 電源模塊。 該 F5BP 模塊在熱性能方面表現(xiàn)出色， 其熱阻比 F5-PIM 模塊低 9%。 它結(jié)合了硅（Si） 和碳化硅（SiC） 器件， 優(yōu)化了設(shè)計(jì)靈活性， 支持1500V DC系統(tǒng)， 是公用事業(yè)級(jí)應(yīng)用的理想之選。

圖 3： QDual3 封裝

圖 4： F5BP 封裝

DESAT（去飽和） 是大功率轉(zhuǎn)換中首選的重要保護(hù)措施之一。它可以通過(guò)盡快關(guān)斷開(kāi)關(guān)器件來(lái)防止 IGBT/MOSFET 因短路而損壞。

NCD57000 集成了去飽和檢測(cè)功能， 當(dāng) VCESAT 達(dá)到設(shè)定閾值時(shí)， 內(nèi)部的 STO（軟關(guān)斷） MOSFET 會(huì)被激活， 對(duì)柵極電容放電， 以降低因高 dV/dt 引起的過(guò)壓應(yīng)力和損耗。

此外， 這款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器還具有高達(dá) 4A/6A 的拉灌電流能力， 5 kVrms 的電氣隔離， 以及其它保護(hù)功能， 如欠壓鎖定（UVLO） 、 有源米勒鉗位等。