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(一)背景

因為flash價格變動,以及設備存儲空間大小的需求變更,經常需要引入新的flash型號,以以往的項目開發(fā)經驗,新flash引入后,較容易出現異常,具體異??梢姟秐or flash 問題記錄列表》。其中問題原因有可能是flash本身原因,也有可能是我們設備存在干擾,還有可能是我們設備主控與flash器件之間存在兼容性問題。為避免將該類問題流到設備量產階段,需要對新引入的flash器件進行可靠性測試。

所謂低功耗設備,也就是設備是接電池的,不是直接接常電的設備。該類設備的特點就是:電壓容易波動,經常需要開關機,設備有時候還會處于低電量運行。

(二)測試目的

  1. 將flash器件問題暴露在選型階段

  2. 降低新flash器件型號批量生產風險

(三)可能的影響因素

一般flash器件出現異常,可能的影響因素有下面幾種:

A、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫

  1. 這種情況一般出現在需要經常對flash進行增刪改操作的情況

  2. 對于低功耗設備,或是設備經常需要開關機的設備,出現的概率會更高

B、電源失效

電源電壓的異??赡軙е孪到y(tǒng)工作異常的現象,如輸出電壓小于芯片系統(tǒng)工作所需的最小電壓,輸出電壓不干凈,噪音嚴重等,這些很容易引起芯片內部電路的邏輯紊亂,Flash的讀寫信號處于不穩(wěn)定狀態(tài)??赡墚a生滿足Flash的寫操作,從而給系統(tǒng)帶來嚴重的損害。

  1. 這類問題在低功耗設備上比較經常出現,因為用戶經常忘記充電,電池電壓經常放電到設備不能運行,這中間就有一個不穩(wěn)定的過渡狀態(tài)。

  2. 這類問題有個解決方案,就是電池電壓掉到某個電壓值,設備就進入低電模式,這可以避免這類問題的出現。但這可能會引入另外一個問題,就是設備電池電量檢測不是很準,導致設備異常進入低電模式。在電池容量比較小,同時設備功耗波動比較大的條件下,電池的容量是比較難測量準確的。

C、系統(tǒng)時鐘不穩(wěn)定

無論對于內部Flash還是外部Flash,系統(tǒng)時鐘的不穩(wěn)定,都將導致主控得不到可靠的工作時序信號,從而在讀寫Flash時產生不可預料的后果。

  1. 系統(tǒng)時鐘的不穩(wěn)定,主要是出現在設備上電和下電的這個過程,如果是板子有干擾,也可能一直存在。

  2. 該問題更多的可能需要硬件去處理

D、環(huán)境干擾

環(huán)境干擾的可能原因很多,如生產過程中的高溫焊接、靜電、使用環(huán)境的溫濕度,強磁場等,都可能影響到Flash或整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。

E、磨損平衡

flash 器件存在一個擦寫數據次數的限制,nor flash 一般的最小擦寫次數為10萬次,正常器件應該超過該次數。

  1. 這里說的是最小擦寫次數,實際在辦公室環(huán)境測試,有可能可以擦寫到七八十萬次。

(四)測試方法設計

A、擦寫次數測試(磨損平衡)

  1. 以文件的形式,將文件系統(tǒng)放到flash上,進行文件創(chuàng)建,寫入數據,校驗數據,擦除數據操作

  2. 直接對flash 的設備塊進行擦寫數據校驗操作

  3. 讀寫操作至少10萬次,每次設備起來校驗上次寫入數據是否正常

    1. 以每次5秒時間計算,正常一個測試周期時間至少510000/(6060*24) = 5.79天

B、電源影響測試

  1. 每操作完成A一次之后,MCU給主控和flash進行下電,延時2S之后重新上電

  2. 測試過程中,需要測試設備電池一個完整周期從額定電壓放電至設備不能啟動

C、環(huán)境因素

  1. 對設備進行高溫低溫環(huán)境測試

    1. 高溫8小時(80度)

    2. 低溫8小時(-30度)

    3. 高低溫循環(huán)16小時(-30~80度循環(huán))



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