(一)背景

因?yàn)閒lash價(jià)格變動(dòng)，以及設(shè)備存儲(chǔ)空間大小的需求變更，經(jīng)常需要引入新的flash型號(hào)，以以往的項(xiàng)目開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，新flash引入后，較容易出現(xiàn)異常，具體異?？梢姟秐or flash 問(wèn)題記錄列表》。其中問(wèn)題原因有可能是flash本身原因，也有可能是我們?cè)O(shè)備存在干擾，還有可能是我們?cè)O(shè)備主控與flash器件之間存在兼容性問(wèn)題。為避免將該類問(wèn)題流到設(shè)備量產(chǎn)階段，需要對(duì)新引入的flash器件進(jìn)行可靠性測(cè)試。

所謂低功耗設(shè)備，也就是設(shè)備是接電池的，不是直接接常電的設(shè)備。該類設(shè)備的特點(diǎn)就是：電壓容易波動(dòng)，經(jīng)常需要開關(guān)機(jī)，設(shè)備有時(shí)候還會(huì)處于低電量運(yùn)行。

(二)測(cè)試目的

將flash器件問(wèn)題暴露在選型階段
降低新flash器件型號(hào)批量生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)

(三)可能的影響因素

一般flash器件出現(xiàn)異常，可能的影響因素有下面幾種:

A、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫

這種情況一般出現(xiàn)在需要經(jīng)常對(duì)flash進(jìn)行增刪改操作的情況
對(duì)于低功耗設(shè)備，或是設(shè)備經(jīng)常需要開關(guān)機(jī)的設(shè)備，出現(xiàn)的概率會(huì)更高

B、電源失效

電源電壓的異?？赡軙?huì)導(dǎo)致系統(tǒng)工作異常的現(xiàn)象，如輸出電壓小于芯片系統(tǒng)工作所需的最小電壓，輸出電壓不干凈，噪音嚴(yán)重等，這些很容易引起芯片內(nèi)部電路的邏輯紊亂，F(xiàn)lash的讀寫信號(hào)處于不穩(wěn)定狀態(tài)?？赡墚a(chǎn)生滿足Flash的寫操作，從而給系統(tǒng)帶來(lái)嚴(yán)重的損害。

這類問(wèn)題在低功耗設(shè)備上比較經(jīng)常出現(xiàn)，因?yàn)橛脩艚?jīng)常忘記充電，電池電壓經(jīng)常放電到設(shè)備不能運(yùn)行，這中間就有一個(gè)不穩(wěn)定的過(guò)渡狀態(tài)。
這類問(wèn)題有個(gè)解決方案，就是電池電壓掉到某個(gè)電壓值，設(shè)備就進(jìn)入低電模式，這可以避免這類問(wèn)題的出現(xiàn)。但這可能會(huì)引入另外一個(gè)問(wèn)題，就是設(shè)備電池電量檢測(cè)不是很準(zhǔn)，導(dǎo)致設(shè)備異常進(jìn)入低電模式。在電池容量比較小，同時(shí)設(shè)備功耗波動(dòng)比較大的條件下，電池的容量是比較難測(cè)量準(zhǔn)確的。

C、系統(tǒng)時(shí)鐘不穩(wěn)定

無(wú)論對(duì)于內(nèi)部Flash還是外部Flash，系統(tǒng)時(shí)鐘的不穩(wěn)定，都將導(dǎo)致主控得不到可靠的工作時(shí)序信號(hào)，從而在讀寫Flash時(shí)產(chǎn)生不可預(yù)料的后果。

系統(tǒng)時(shí)鐘的不穩(wěn)定，主要是出現(xiàn)在設(shè)備上電和下電的這個(gè)過(guò)程，如果是板子有干擾，也可能一直存在。
該問(wèn)題更多的可能需要硬件去處理

D、環(huán)境干擾

環(huán)境干擾的可能原因很多，如生產(chǎn)過(guò)程中的高溫焊接、靜電、使用環(huán)境的溫濕度，強(qiáng)磁場(chǎng)等，都可能影響到Flash或整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定。

E、磨損平衡

flash 器件存在一個(gè)擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)的限制，nor flash 一般的最小擦寫次數(shù)為10萬(wàn)次，正常器件應(yīng)該超過(guò)該次數(shù)。

這里說(shuō)的是最小擦寫次數(shù)，實(shí)際在辦公室環(huán)境測(cè)試，有可能可以擦寫到七八十萬(wàn)次。

(四)測(cè)試方法設(shè)計(jì)

A、擦寫次數(shù)測(cè)試(磨損平衡)

以文件的形式，將文件系統(tǒng)放到flash上，進(jìn)行文件創(chuàng)建，寫入數(shù)據(jù)，校驗(yàn)數(shù)據(jù)，擦除數(shù)據(jù)操作
直接對(duì)flash 的設(shè)備塊進(jìn)行擦寫數(shù)據(jù)校驗(yàn)操作
讀寫操作至少10萬(wàn)次，每次設(shè)備起來(lái)校驗(yàn)上次寫入數(shù)據(jù)是否正常