11月4日消息，在韓國(guó)舉辦的SK AI峰會(huì)上，SK海力士公布了未來(lái)存儲(chǔ)計(jì)劃路線圖，作為三大原廠之一自然是相當(dāng)有話語(yǔ)權(quán)的。

按照規(guī)劃，存儲(chǔ)的下一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)將在2030年前后，或者說(shuō)2029-2031年，各項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)有全新升級(jí)。

傳統(tǒng)內(nèi)存方面，DDR6內(nèi)存、GDDR8顯存都在醞釀之中，其中DDR6進(jìn)展更快，三大廠都已完成原型設(shè)計(jì)，正在進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試，預(yù)計(jì)起步頻率就高達(dá)8800MT/s，最高可能沖到17600MT/s。

GDDR8還早得很，甚至路線圖上都只寫(xiě)著“GDDR7-NEXT”，不排除叫GDDR7X之類(lèi)的。

事實(shí)上，GDDR7顯存目前只有NVIDIA RTX 50系列在用，AMD都還沒(méi)上呢。

移動(dòng)版的LPDDR6最近剛剛公布，接下來(lái)自然是LPDDR7，但是并未明確列出。

當(dāng)然，在AI的強(qiáng)力推動(dòng)下，HBM才是重中之重，接下來(lái)很快就會(huì)看到HBM4、HBM4E，NVIDIA、AMD加速卡陸續(xù)都會(huì)安排上，再往后就是HBM5、HBM5E，也規(guī)劃在2030年前后。

存儲(chǔ)方面，PCIe 5.0正在繼續(xù)推進(jìn)，即將做到單盤(pán)245TB甚至更大(當(dāng)然QLC)，UFS 5.0也剛剛制定完畢，接下來(lái)就要上PCIe 6.0，未來(lái)將會(huì)看到PCIe 7.0、UFS 6.0，以及400+層堆疊閃存。