基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)與性能要求
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基準(zhǔn)電壓源作為電子系統(tǒng)中的 “電壓標(biāo)尺”,是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、電源管理芯片等精密電子設(shè)備的核心單元,其性能直接決定整個(gè)系統(tǒng)的測(cè)量精度、穩(wěn)定性和可靠性。在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需同時(shí)滿足多維度性能要求,應(yīng)對(duì)復(fù)雜環(huán)境與工藝約束帶來(lái)的多重挑戰(zhàn),實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性的平衡。
一、基準(zhǔn)電壓源的核心性能要求
基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)需以明確的性能指標(biāo)為導(dǎo)向,這些要求相互關(guān)聯(lián)又存在一定制約,構(gòu)成設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。
高精度是首要指標(biāo)。精密電子系統(tǒng)對(duì)基準(zhǔn)電壓的絕對(duì)精度要求通常達(dá)到毫伏級(jí)甚至微伏級(jí),例如 12 位 ADC 對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓誤差需控制在 0.024% 以內(nèi)。這要求基準(zhǔn)電壓的實(shí)際輸出與理論值的偏差極小,不僅包括初始精度,還需考慮溫度、電源電壓變化帶來(lái)的附加誤差。同時(shí),精度指標(biāo)還涵蓋長(zhǎng)期穩(wěn)定性,即電路在長(zhǎng)時(shí)間工作后,電壓漂移需控制在極低水平,一般要求年漂移量小于 50ppm / 年。
高溫度穩(wěn)定性是關(guān)鍵約束。電子設(shè)備的工作環(huán)境溫度范圍廣泛,從工業(yè)場(chǎng)景的 - 40℃~125℃到汽車電子的 - 55℃~150℃,溫度變化會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件參數(shù)漂移,進(jìn)而引發(fā)基準(zhǔn)電壓波動(dòng)。理想的基準(zhǔn)電壓源應(yīng)具備接近零的溫度系數(shù),通常要求溫度系數(shù)(TC)控制在 1~10ppm/℃之間,高精度場(chǎng)景下甚至需達(dá)到 0.1ppm/℃級(jí)別。
低電源敏感度與抗干擾能力不可或缺?;鶞?zhǔn)電壓源的輸出應(yīng)不受供電電壓波動(dòng)的影響,電源抑制比(PSRR)是衡量這一性能的核心指標(biāo),一般要求在低頻段(如 100Hz)PSRR 大于 80dB,高頻段(如 1MHz)大于 60dB,以抵御電源噪聲的干擾。同時(shí),電路需具備較強(qiáng)的電磁兼容性(EMC),避免受外部電磁干擾導(dǎo)致輸出抖動(dòng)。
低功耗與小型化適配場(chǎng)景需求。在便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端等電池供電場(chǎng)景中,基準(zhǔn)電壓源的靜態(tài)電流需控制在微安級(jí)甚至納安級(jí),以延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間;而在高密度集成電路中,電路需采用緊湊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),減少芯片面積占用,適配系統(tǒng)集成需求。
二、基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)的主要技術(shù)挑戰(zhàn)
(一)溫度漂移的精準(zhǔn)補(bǔ)償難題
半導(dǎo)體器件的閾值電壓、電阻的阻值均會(huì)隨溫度變化,導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生漂移。例如,普通二極管的正向壓降溫度系數(shù)約為 - 2mV/℃,純電阻分壓電路的輸出電壓也會(huì)因電阻溫度系數(shù)產(chǎn)生偏差。雖然采用帶隙基準(zhǔn)電路可通過(guò) PN 結(jié)正向壓降與熱電壓的溫度系數(shù)互補(bǔ)實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù),但實(shí)際設(shè)計(jì)中,工藝偏差、電阻匹配精度、晶體管特性不一致等因素都會(huì)破壞補(bǔ)償平衡,導(dǎo)致溫度系數(shù)難以達(dá)到理論值。尤其是在寬溫度范圍應(yīng)用中,非線性溫度漂移的補(bǔ)償難度更大,需要復(fù)雜的校準(zhǔn)電路或自適應(yīng)補(bǔ)償機(jī)制。
(二)工藝偏差與器件匹配的影響
集成電路制造過(guò)程中,摻雜濃度、氧化層厚度、光刻精度等工藝參數(shù)的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致器件特性存在差異。例如,帶隙基準(zhǔn)電路中,兩個(gè)配對(duì)晶體管的電流增益、閾值電壓不一致,會(huì)導(dǎo)致輸出電壓偏移;分壓電阻的阻值偏差會(huì)直接影響基準(zhǔn)電壓的初始精度。盡管可通過(guò)采用大尺寸器件、對(duì)稱布局、共質(zhì)心結(jié)構(gòu)等設(shè)計(jì)手段減小匹配誤差,但無(wú)法完全消除工藝偏差的影響,通常需要在芯片出廠前進(jìn)行激光微調(diào)或電校準(zhǔn),增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度和制造成本。
(三)電源噪聲與干擾的抑制挑戰(zhàn)
供電電壓的紋波、瞬態(tài)脈沖等噪聲會(huì)通過(guò)電源路徑耦合到基準(zhǔn)電壓輸出端,尤其是在高頻場(chǎng)景下,電源抑制比會(huì)隨頻率升高而下降,導(dǎo)致噪聲抑制能力減弱。此外,電路內(nèi)部的開(kāi)關(guān)噪聲、襯底噪聲也會(huì)影響輸出穩(wěn)定性。如何設(shè)計(jì)高效的電源濾波電路、優(yōu)化電路的電源網(wǎng)絡(luò)布局、提高電路的抗干擾能力,是基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)的重要挑戰(zhàn)。例如,采用差分結(jié)構(gòu)、屏蔽層設(shè)計(jì)、低噪聲偏置電路等方案,雖能提升抗干擾性能,但會(huì)增加電路功耗和設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
(四)低功耗與高性能的平衡矛盾
低功耗設(shè)計(jì)往往與高精度、高穩(wěn)定性存在沖突。為降低功耗,需減小電路的靜態(tài)電流,但這會(huì)導(dǎo)致晶體管的工作電流減小,跨導(dǎo)降低,電路的響應(yīng)速度變慢,抗干擾能力下降;同時(shí),低電流下器件的噪聲會(huì)相對(duì)增大,影響輸出電壓的純凈度。例如,傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路的靜態(tài)電流通常在幾十微安,若要將電流降至微安級(jí),需采用弱反型區(qū)工作的晶體管,但弱反型區(qū)器件的特性受工藝和溫度影響更為顯著,會(huì)導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓的穩(wěn)定性下降。因此,如何在低功耗約束下保證電路的精度和穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)性能與功耗的最優(yōu)平衡,是面向便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的核心難題。
(五)寬應(yīng)用場(chǎng)景的適應(yīng)性設(shè)計(jì)
不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)基準(zhǔn)電壓源的性能要求差異較大,例如,工業(yè)控制設(shè)備注重寬溫度范圍和高可靠性,而消費(fèi)電子設(shè)備更關(guān)注低功耗和低成本。設(shè)計(jì)一款能夠適配多場(chǎng)景的通用型基準(zhǔn)電壓源難度較大,需要兼顧不同場(chǎng)景的核心需求,采用模塊化、可配置的設(shè)計(jì)方案。例如,通過(guò)切換不同的工作模式,實(shí)現(xiàn)高精度與低功耗的靈活切換,但這會(huì)增加電路的控制復(fù)雜度和芯片面積。
三、應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)策略
針對(duì)上述挑戰(zhàn),工程師需采用多維度的設(shè)計(jì)策略,實(shí)現(xiàn)性能指標(biāo)的平衡優(yōu)化。在溫度補(bǔ)償方面,可采用分段式溫度補(bǔ)償電路,針對(duì)不同溫度區(qū)間進(jìn)行精準(zhǔn)校準(zhǔn),或采用數(shù)字校準(zhǔn)技術(shù)動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償參數(shù);在器件匹配方面,結(jié)合工藝優(yōu)化與電路設(shè)計(jì),采用高精度匹配電阻、對(duì)稱布局結(jié)構(gòu),并引入自校準(zhǔn)電路消除工藝偏差影響;在噪聲抑制方面,設(shè)計(jì)多級(jí)電源濾波網(wǎng)絡(luò),采用低噪聲偏置方案,優(yōu)化芯片布局布線減少干擾耦合;在低功耗設(shè)計(jì)方面,采用動(dòng)態(tài)偏置技術(shù),根據(jù)負(fù)載需求調(diào)整電路工作電流,或采用新型低功耗拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在保證性能的前提下降低靜態(tài)功耗。
總之,基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)是一項(xiàng)多目標(biāo)優(yōu)化的系統(tǒng)工程,需在精度、穩(wěn)定性、功耗、抗干擾性等多個(gè)指標(biāo)之間尋求平衡。隨著電子系統(tǒng)對(duì)精度和集成度要求的不斷提升,基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),未來(lái)需結(jié)合先進(jìn)工藝、新型器件和智能校準(zhǔn)技術(shù),持續(xù)提升電路性能,適配更多高端應(yīng)用場(chǎng)景。





