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[導(dǎo)讀]11月20日消息,據(jù)媒體報道,三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置,主要受益于高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產(chǎn)品價格的持續(xù)上漲,推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。

11月20日消息,據(jù)媒體報道,三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置,主要受益于高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產(chǎn)品價格的持續(xù)上漲,推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。

根據(jù)市場研究公司ChinaFlashMarket(CFM)于11月19日發(fā)布的數(shù)據(jù),三星電子第三季度DRAM銷售額達(dá)到139.42億美元,環(huán)比增長29.6%,市場份額回升至34.8%,重新奪回行業(yè)榜首。

此前在上半年,受HBM市場短期波動影響,三星電子曾一度失去領(lǐng)先地位;進(jìn)入下半年后,該公司業(yè)務(wù)逐步恢復(fù),呈現(xiàn)出強(qiáng)勁復(fù)蘇態(tài)勢。

同期,SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二,市場份額為34.4%,與三星電子的差距僅為0.4個百分點,顯示出頭部廠商之間的競爭依然激烈。美光科技排名第三,銷售額為89.84億美元,占據(jù)22.4%的市場份額。

CFM分析指出,三星電子業(yè)績的反彈得益于兩大關(guān)鍵因素:HBM供應(yīng)量的擴(kuò)大以及通用DRAM價格的持續(xù)走強(qiáng)。該公司第三季度HBM位單元出貨量環(huán)比激增85%,主要由于開始向NVIDIA交付第五代HBM3E產(chǎn)品。此外,人工智能數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存需求的爆發(fā)式增長,導(dǎo)致PC和智能手機(jī)等消費級IT設(shè)備的DRAM供應(yīng)趨緊,進(jìn)一步推高了產(chǎn)品價格。

與此同時,全球內(nèi)存市場規(guī)模也在本季度創(chuàng)下歷史新高。第三季度DRAM市場總銷售額達(dá)到400.37億美元,環(huán)比增長24.7%,同比增幅高達(dá)54%。NAND閃存市場同樣表現(xiàn)強(qiáng)勁,銷售額為184.22億美元,環(huán)比上升16.8%。

在NAND閃存領(lǐng)域,三星電子進(jìn)一步鞏固了其領(lǐng)導(dǎo)地位,實現(xiàn)銷售額53.66億美元,市場份額達(dá)29.1%。SK海力士(19.2%)、鎧俠(16.5%)、西部數(shù)據(jù)(12.5%)和美光(12.2%)緊隨其后。

CFM預(yù)測,由于各應(yīng)用領(lǐng)域存儲器供應(yīng)持續(xù)緊張,加上供應(yīng)商庫存水平維持低位,產(chǎn)品價格有望繼續(xù)保持強(qiáng)勢,第四季度存儲器市場規(guī)模有望再創(chuàng)新高。

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