概要：

安森美(onsemi)與格羅方德(GlobalFoundries, GF)達成全新合作協(xié)議，進一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵(GaN)功率器件，合作將從650V器件開始。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強型硅基氮化鎵(eMode GaN-on-silicon)工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強化散熱封裝技術(shù)，為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場景，提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。

新聞要點：

? 安森美與格羅方德展開合作，針對關(guān)鍵市場研發(fā)先進的200毫米增強型橫向硅基GaN工藝技術(shù)，合作將從650V器件開始。

? 安森美的GaN產(chǎn)品組合非常適用于高功率密度系統(tǒng)——這類場景下功率需求持續(xù)攀升，但物理尺寸卻受嚴(yán)格限制，例如AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源以及航空航天等應(yīng)用。

? 產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋多個高增長市場，包括電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機、微型光伏逆變器、儲能系統(tǒng)以及電機驅(qū)動器等。

中國上海，2025年12月19日 ——安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布，已與格羅方德(GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS，簡稱GF)簽署合作協(xié)議。雙方將基于格羅方德最先進的200毫米增強型硅基GaN工藝，共同研發(fā)并制造先進GaN功率產(chǎn)品，合作將從650V器件開始。此次合作將加速安森美高性能GaN器件及集成功率級的技術(shù)路線圖，通過擴充高壓產(chǎn)品組合，滿足AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航天等領(lǐng)域日益增長的功率需求。

“此次合作將安森美的系統(tǒng)及產(chǎn)品專業(yè)積淀，與格羅方德先進的GaN工藝相結(jié)合，為高增長市場打造全新650V功率器件。這些GaN產(chǎn)品搭配我們的硅基驅(qū)動器和控制器，將助力客戶實現(xiàn)創(chuàng)新，為AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、航天應(yīng)用等場景構(gòu)建更小、更高能效的功率系統(tǒng)。我們計劃于2026年上半年開始向客戶提供樣品，并快速擴大至量產(chǎn)規(guī)模?！卑采榔髽I(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示。

“我們將200毫米硅基GaN平臺與安森美深厚的系統(tǒng)和產(chǎn)品專業(yè)積淀相結(jié)合，不僅加速了高效解決方案的落地，更為數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等關(guān)鍵市場構(gòu)建了更具韌性的供應(yīng)鏈。以安森美為關(guān)鍵合作伙伴，我們將持續(xù)推動GaN半導(dǎo)體技術(shù)升級，滿足人工智能、電氣化和可持續(xù)能源領(lǐng)域不斷演變的需求?！备窳_方德首席商務(wù)官Mike Hogan說。

安森美將其行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強化散熱封裝技術(shù)，與格羅方德的650V GaN技術(shù)平臺相結(jié)合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。產(chǎn)品應(yīng)用場景具體包括：AI數(shù)據(jù)中心電源及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電機及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、微型光伏逆變器和儲能系統(tǒng)，以及工業(yè)與航空航天領(lǐng)域的電機驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

此次合作進一步擴充了安森美領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，如今已涵蓋了全譜系GaN技術(shù)——從低壓、中壓、高壓橫向GaN，到超高壓垂直GaN。這一全面布局讓系統(tǒng)設(shè)計人員能夠構(gòu)建下一代電源架構(gòu)，在更小的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出。GaN技術(shù)的核心優(yōu)勢包括：

更高開關(guān)頻率——通過更高的開關(guān)頻率運行，GaN技術(shù)能幫助設(shè)計人員減少元器件數(shù)量、縮小系統(tǒng)尺寸并降低成本，同時提升能效和散熱性能。

雙向?qū)芰Α狦aN的雙向?qū)ㄌ匦灾С秩峦負浣Y(jié)構(gòu)，可替代多達四個傳統(tǒng)單向晶體管，從而降低成本并簡化設(shè)計。

集成化功能——在單個封裝內(nèi)集成GaN FET與驅(qū)動器、控制器、隔離和保護功能，可縮短設(shè)計周期并降低電磁干擾。強化散熱封裝和優(yōu)化的柵極驅(qū)動器，即使在高開關(guān)速度下也能保障性能和可靠性。