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[導讀]VisIC Technologies宣布完成由全球半導體領導者領投的2,600萬美元B輪融資,Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱"HKMC")作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動汽車氮化鎵(Ga...

VisIC Technologies宣布完成由全球半導體領導者領投的2,600萬美元B輪融資,Hyundai Motor CompanyKia(統(tǒng)稱"HKMC")作為戰(zhàn)略投資者參投

以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動汽車氮化鎵(GaN)功率半導體先鋒VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B輪融資第二次交割順利完成,共募集2,600萬美元。本輪由一家全球半導體領導者領投,HKMC作為戰(zhàn)略投資者加入。 這一里程碑鞏固了VisIC在電動汽車牽引逆變器GaN創(chuàng)新領域的前沿地位,并進一步強化了其推動新一代電動出行的角色。

VisIC完成超億元B輪融資,現(xiàn)代汽車等最新參投


領投方對關鍵半導體技術的持續(xù)投入,與VisIC專有的D³GaN?平臺高度契合,旨在為汽車傳動系統(tǒng)提供無與倫比的效率、可擴展性與可靠性。HKMC參投彰顯其將GaN技術導入量產(chǎn)電動汽車平臺的決心。

全球電動汽車市場正快速增長,車企競相提升續(xù)航里程、降低成本并滿足更嚴格的可持續(xù)目標。 當前瓶頸在于功率電子器件——尤其是牽引逆變器——的效率與可擴展性,其直接影響整車性能與能耗。

問題陳述

傳統(tǒng)硅基方案難以滿足新一代電動汽車平臺對效率與功率密度的要求,特別是在更高電壓場景下。盡管SiC(碳化硅)器件性能更優(yōu),但其高昂成本與復雜制造工藝限制了大規(guī)模應用。VisIC的D³GaN?氮化鎵技術通過支持更小型、更輕量、更高效率的逆變器,解決了現(xiàn)有技術的限制,同時為400V和800V架構帶來全新可能。

資金用途
新資金將加速VisIC路線圖,包括:

  • 優(yōu)化、認證與發(fā)布第三代750V GaN芯片與功率模塊。
  • 開發(fā)第四代1350V GaN技術,以支持全譜系電動汽車設計。
  • 穩(wěn)定供應鏈并擴大GaN產(chǎn)品對電動汽車牽引逆變器的交付規(guī)模。
  • 借助同一先進GaN平臺拓展新興800V數(shù)據(jù)中心供電需求。

依托現(xiàn)代汽車及大型西方半導體企業(yè)支持,并由 HG、晶方科技等現(xiàn)有投資者背書,VisIC 在中國及西方市場具備強勁布局優(yōu)勢。

高管語錄
VisIC Technologies首席執(zhí)行官Tamara Baksht:
"此次投資對VisIC及全球電動汽車行業(yè)具有重要的里程碑意義。 我們的D³GaN技術正在重新定義電動汽車功率電子技術,戰(zhàn)略伙伴的支持將讓我們加速交付高效率、可擴展的下一代出行解決方案。"

 Hyundai Motor Company和Kia:
"Hyundai Motor CompanyKia 致力于推進可持續(xù)出行。 VisIC合作,使我們能夠?qū)⑶把?/i>GaN功率技術融入電動汽車平臺,提升效率、可靠性與性能,共同塑造電動交通的未來。"

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