【2026年1月8日, 中國上海訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)憑借其硅基功率 MOSFET 技術 CoolMOS?，正在推動服務器電源管理領域的創(chuàng)新，助力打造能夠滿足數(shù)據(jù)中心嚴苛要求的高性能電源解決方案。英飛凌的600V CoolMOS? 8高壓超結(SJ)MOSFET 產(chǎn)品系列，助力長城電源技術有限公司在更高功率等級的電源中實現(xiàn)更高的功率密度與更卓越的性價比。

英飛凌 CoolMOS? 8全系封裝產(chǎn)品

英飛凌的 MOSFET 產(chǎn)品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可實現(xiàn)出色的能效表現(xiàn)和高功率密度。600V CoolMOS? 8 超結(SJ)MOSFET 專為實現(xiàn)出色的效率、可靠性并節(jié)約成本而設計。能夠在600V CoolMOS? 7與CoolMOS? 8之間無縫切換以實現(xiàn)供應靈活性，以及在 LLC 階段的易用性，是長城電源選擇該技術的主要原因之一。

英飛凌科技副總裁、高壓功率開關產(chǎn)品線負責人 Christina Guggenberger 表示：“英飛凌通過硅基功率 MOSFET 技術，為客戶帶來卓越的性能、可靠性與成本效益，為全球市場樹立了創(chuàng)新與卓越的行業(yè)標桿。我們的 CoolMOS? 8技術正是這一承諾的絕佳例證，它為打造滿足數(shù)據(jù)中心應用嚴苛要求的高性能電源解決方案提供了強大支持?！?

長城電源首席技術官金博士表示：“與英飛凌的持續(xù)深化合作，讓我們得以借助其行業(yè)領先的 CoolMOS? 8 超結(SJ)MOSFET 技術，提升我們的系統(tǒng)性能并實現(xiàn)更高的成本效益。這一合作體現(xiàn)了我們在行業(yè)內追求創(chuàng)新與卓越的堅定決心。我們很高興地看到，我們現(xiàn)在為客戶提供的電源解決方案(PSU)在功率密度和成本節(jié)約方面實現(xiàn)了顯著提升。”

英飛凌最新推出的600V CoolMOS? 8在全球高壓超結 MOSFET 技術領域處于領先地位，為全球范圍內的技術水平及性價比樹立了標桿。該技術提升了整體系統(tǒng)性能，并進一步助力推動在充電器、適配器、光伏及儲能系統(tǒng)、電動汽車充電設備，以及不間斷電源(UPS)等領域的低碳化進程。與 CFD7系列相比，CoolMOS? 8 超結(SJ)MOSFET 的柵極電荷降低了18%;與 P7系列相比，柵極電荷降低了33%。柵極電荷減少意味著使 MOSFET 從關斷狀態(tài)(非導通)切換至導通狀態(tài)所需提供的電荷量更少，從而實現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)性能。此外，該 MOSFET 擁有市面上更快的關斷時間，且熱性能較上一代產(chǎn)品提升了14%至42%。600V CoolMOS? 8 超結(SJ)MOSFET 內置快速體二極管，提供 SMD-QDPAK、TOLL 及 ThinTOLL-8x8等封裝形式，適用于廣泛的消費類及工業(yè)類應用場景。

除碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術外，英飛凌的功率 MOSFET 在性能、可靠性、品質及性價比方面樹立了行業(yè)標桿，不僅能實現(xiàn)一流的應用效果，還助力客戶開發(fā)兼具創(chuàng)新性與成本效益的解決方案，以滿足各類嚴苛需求。