1月15日消息，據(jù)媒體報道，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破，成功解決了困擾業(yè)界二十年的芯片散熱與性能瓶頸問題。相關(guān)成果已發(fā)表于國際頂級期刊《自然·通訊》與《科學(xué)·進展》。

該研究的核心在于改善半導(dǎo)體材料層間的界面質(zhì)量，特別是第三代半導(dǎo)體氮化鎵與第四代半導(dǎo)體氧化鎵之間的高效集成。

傳統(tǒng)方法采用氮化鋁作為中間層，但其在生長過程中會自發(fā)形成粗糙、不規(guī)則的“島嶼”結(jié)構(gòu)，這一自2014年諾貝爾獎相關(guān)成果以來始終未能根本解決的難題，嚴重制約了射頻芯片功率的提升。

研究團隊通過創(chuàng)新性地在高能離子注入技術(shù)，使晶體成核層表面變得平整光滑，從而將界面的熱阻降低至原先的三分之一，有效解決了高功率半導(dǎo)體芯片的共性散熱問題。

基于此項突破，團隊研制出的氮化鎵微波功率器件，其單位面積功率較當(dāng)前市面上最先進的同類器件提升了30%至40%。

據(jù)團隊成員周弘教授介紹，這項技術(shù)意味著未來探測設(shè)備的探測距離將顯著增加，通信基站則可實現(xiàn)更廣的信號覆蓋與更低的能耗。

對于普通用戶，該技術(shù)也有望逐步帶來體驗升級。周弘指出：“未來若在手機中應(yīng)用此類芯片，在偏遠地區(qū)的信號接收能力會更強，續(xù)航時間也可能延長?！眻F隊目前正進一步研究將金剛石等超高熱導(dǎo)材料應(yīng)用于半導(dǎo)體，如能攻克相關(guān)技術(shù)，半導(dǎo)體器件的功率處理能力有望再提升一個數(shù)量級，達到當(dāng)前水平的十倍甚至更高。

這項突破不僅打破了長期存在的技術(shù)瓶頸，也為未來半導(dǎo)體器件向更高功率、更高效率發(fā)展奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)。