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[導(dǎo)讀]在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域,HBM(高帶寬內(nèi)存)用近十年時間完成了從技術(shù)概念到產(chǎn)業(yè)核心的蛻變,成為 AI 大模型、高端 GPU 等算力密集型應(yīng)用的關(guān)鍵支撐。

在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域,HBM(高帶寬內(nèi)存)用近十年時間完成了從技術(shù)概念到產(chǎn)業(yè)核心的蛻變,成為 AI 大模型、高端 GPU 等算力密集型應(yīng)用的關(guān)鍵支撐。而如今,其迭代技術(shù) HBF(高帶寬閃存)正加速襲來,憑借更具顛覆性的性能特點,有望重塑存儲產(chǎn)業(yè)格局,為 AI 時代的存儲需求提供全新解決方案。

HBF 之所以被寄予厚望,核心在于其精準切中了當前存儲領(lǐng)域的核心痛點 —— 容量與帶寬的平衡難題。作為通過堆疊 NAND 閃存制成的新型存儲產(chǎn)品,HBF 與 HBM 在結(jié)構(gòu)上有著異曲同工之妙,但應(yīng)用場景與性能側(cè)重卻形成鮮明互補。正如 “HBM 之父”、韓國科學技術(shù)院(KAIST)教授金正浩的生動比喻:“HBM 與 HBF 就好比書房與圖書館,前者容量雖小但使用便捷,后者則以超大容量成為數(shù)據(jù)存儲的‘超級倉庫’”。

相較于 HBM,HBF 的核心優(yōu)勢集中體現(xiàn)在存儲容量的跨越式提升上。廣發(fā)證券的研究顯示,在研的 HBF 存儲容量有望達到現(xiàn)有 HBM 的 8 至 16 倍,這一突破將徹底改變 GPU 存儲容量的上限,有望將其擴展至 4TB 級別。在 AI 大模型參數(shù)規(guī)模邁入萬億級、上下文長度普遍超過 128K 的當下,HBM 的容量瓶頸日益凸顯,而 HBF 的超大容量特性,恰好完美匹配了 AI 大模型對海量數(shù)據(jù)存儲的極致需求,被業(yè)內(nèi)視為滿足下一代 AI 內(nèi)存要求的最佳方案。

除了容量優(yōu)勢,HBF 在技術(shù)延續(xù)性與應(yīng)用擴展性上也具備顯著潛力。其結(jié)構(gòu)與 HBM 的共通性,使得存儲廠商能夠快速復(fù)用成熟的堆疊技術(shù)與生產(chǎn)經(jīng)驗,降低研發(fā)與量產(chǎn)成本。金正浩進一步預(yù)測,待 HBM 迭代至第六代產(chǎn)品時,HBF 將實現(xiàn)廣泛應(yīng)用,屆時單個基礎(chǔ)裸片將集成多組存儲堆棧,進一步釋放其容量潛力。

從市場前景來看,2 至 3 年內(nèi) HBF 相關(guān)方案將密集涌現(xiàn),到 2038 年左右,HBF 市場規(guī)模有望超越 HBM,成為存儲領(lǐng)域的主流技術(shù)路線。

當前,全球科技巨頭已紛紛入局 HBF 賽道,加速推動其商業(yè)化落地。SK 海力士正與閃迪聯(lián)手推進 HBF 標準制定,并計劃于今年推出采用 16 層 NAND 閃存堆疊的 HBF1 第一代樣品;三星電子與閃迪更是明確了應(yīng)用時間表,預(yù)計最快在 2027 年底或 2028 年初將 HBF 技術(shù)植入英偉達、AMD 和谷歌的實際產(chǎn)品中。

總而言之,從 HBM 到 HBF,存儲技術(shù)的迭代始終圍繞著算力提升的核心需求。如果說 HBM 解決了 AI 發(fā)展初期的帶寬瓶頸,那么 HBF 則將以超大容量的核心優(yōu)勢,支撐起下一代 AI 大模型、智能計算等場景的爆發(fā)式增長。

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