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[導(dǎo)讀]亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司推出 18 位 8 通道同時采樣逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC LTC2358-18,該器件具集成的微微安培輸入緩沖器。在電路板空間稀缺的現(xiàn)狀下,LTC2358-18 通過去掉通常在驅(qū)動非緩沖型開關(guān)電容器 ADC 輸入時所需的前端信號調(diào)理電路,顯著地節(jié)省了空間和成本。

亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司推出 18 位 8 通道同時采樣逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC LTC2358-18,該器件具集成的微微安培輸入緩沖器。在電路板空間稀缺的現(xiàn)狀下,LTC2358-18 通過去掉通常在驅(qū)動非緩沖型開關(guān)電容器 ADC 輸入時所需的前端信號調(diào)理電路,顯著地節(jié)省了空間和成本。每個通道合起來節(jié)省了 3 個放大器、6 個電阻器和兩個電容器組件,8 個通道總共可節(jié)省 88 個組件,從而節(jié)省了 BOM 成本和大量電路板空間,并使功耗降低超過 40%。微微安培輸入以及在 30VP-P 共模范圍內(nèi) 128dB CMRR 使 LTC2358-18 能夠直接與多種傳感器連接,而不會損害測量準(zhǔn)確度。

在以每通道 200ksps 的吞吐速率對 8 個通道進(jìn)行轉(zhuǎn)換的同時,LTC2358-18 還通過獨立可配置的 SoftSpan™ 輸入范圍提供更大的靈活性。每個通道可在逐次轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)上設(shè)定為接受 ±10.24V、0V 至 10.24V、 ±5.12V 或 0V 至 5.12V 的單極性、真正雙極性、全差分或任意輸入信號。差分模擬輸入在 30V 寬輸入共模范圍內(nèi)運行,從而允許該 ADC 直接數(shù)字化各種信號,同時簡化信號鏈路設(shè)計。輸入信號靈活性與無與倫比的 ±3.5LSB 最大 INL、18 位無漏碼、以及 96.4dB SNR 相結(jié)合,使 LTC2358-18 非常適合高性能工業(yè)過程控制、測試和測量、電源線監(jiān)察、以及電動機控制應(yīng)用。

LTC2358-18 采用了具 20ppm/oC 最大溫度系數(shù)的精確內(nèi)部基準(zhǔn)和一個能夠準(zhǔn)確進(jìn)行單次測量的集成式基準(zhǔn)緩沖器,從而在密集排列的電路板上節(jié)省了空間??蛇x外部 5V 基準(zhǔn)以將模擬輸入范圍擴大至 ±12.5V。當(dāng)以每通道 200ksps 同時地對 8 個通道進(jìn)行轉(zhuǎn)換時,該器件消耗 219mW,LTC2358-18 還具備打盹模式和斷電模式,以在較低吞吐速率時降低功耗。

除了獨特的模擬特性,LTC2358-18 還提供無與倫比的數(shù)字靈活性,具備引腳可選的 SPI CMOS 和 LVDS 串行接口。寬數(shù)字輸出電源范圍允許該器件與 1.8V 至 5V 的任何 CMOS 邏輯電路通信。在 CMOS 模式,應(yīng)用可以運用 1 至 8 個串行輸出數(shù)據(jù)線道,從而使用戶能夠優(yōu)化總線寬度和數(shù)據(jù)吞吐量。LVDS 模式使用差分信號,在更長的距離上提供低噪聲、高速通信??傊?,這些 I/O 接口選項使 LTC2358-18 能夠同樣好地與傳統(tǒng)控制器和現(xiàn)代 FPGA 通信。

LTC2358-18 和之前推出的 LTC2358-16 是一個多通道 18 位 / 16 位同時采樣緩沖型 SAR ADC 系列的領(lǐng)軍器件。LTC2358-18 規(guī)格在 −40oC 至 125oC 溫度范圍,采用 48 引線 7mm x 7mm LQFP 封裝,該封裝與非緩沖型 LTC2348-18 是引腳兼容的。千片批購價為每片 25.95 美元。器件樣品和評估電路板可通過凌力爾特網(wǎng)站或聯(lián)系凌力爾特當(dāng)?shù)剞k事處查詢詳情。

照片說明:18 位 8 通道微微安培緩沖型同時采樣 SAR ADC

性能概要: LTC2358-18

· 8 個微微安培緩沖型同時采樣通道

· 有保證的 18 位、無漏碼、±3.5LSB INL (最大值)

· 每通道 200ksps 吞吐速率

· 差分、30V 共模范圍輸入

· 每通道 SoftSpan 輸入范圍,具有:

  o 內(nèi)部基準(zhǔn):±10.24V、0V 至 10.24V、±5.12V、0V 至 5.12V

  o 外部 5V 基準(zhǔn):±12.5V、0V 至 12.5V、±6.25V、0V 至 6.25V

· 96.4dB 單次轉(zhuǎn)換 SNR

· 集成式基準(zhǔn)和基準(zhǔn)緩沖器

· SPI CMOS (1.8V 至 5V) 和 LVDS 串行 I/O

· 219mW 功耗

· 48 引線 7mm x 7mm LQFP 封裝

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