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華為海思出貨量暴跌82%！華為：海思芯片部門不以盈利為訴求

在近日的華為全聯(lián)接2021智能基座峰會上，華為輪值董事長徐直軍表示：海思在華為來講僅僅是一個芯片設(shè)計部門，不是一個盈利的機(jī)構(gòu)，我們對他沒有盈利的訴求，只要我們活著，我們就一直會把它養(yǎng)著，它很重要。而且，我們還會吸納優(yōu)秀的人才加入，為未來打基礎(chǔ)、做準(zhǔn)備。

模擬技術(shù)
2021-10-11

華為海思芯片芯片
三星Q3銷售創(chuàng)記錄新高：銷售額和營業(yè)利潤分別比上年同期增長9%和27%

報道稱，預(yù)計三星電子的顯示器業(yè)務(wù)也因用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦的中小型OLED屏?xí)充N，實現(xiàn)1.5萬億韓元的營業(yè)利潤。

模擬技術(shù)
2021-10-11

三星價格芯片
三星制造3nm和2nm芯片的“路線圖”: 2022年推出首批3nm芯片

三星電子是先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。美國時間10月7日，在一年一度的三星論壇上，三星代工業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士談到了三星芯片生產(chǎn)的未來規(guī)劃，以及全球短缺對其代工廠業(yè)務(wù)的影響。他透露了三星制造3nm和2nm芯片的“路線圖”。

模擬
2021-10-11

三星 3nm芯片芯片
英偉達(dá)400億美元收購英國芯片設(shè)計公司Arm受阻，計劃向歐盟提出有條件讓步

在芯片領(lǐng)域內(nèi)，很多技術(shù)都被美國企業(yè)掌握，尤其是在芯片研發(fā)設(shè)計方面。

模擬
2021-10-11

ARM 英偉達(dá) 芯片
聯(lián)發(fā)科發(fā)表神議論：聯(lián)發(fā)科回應(yīng)手機(jī)芯片市占率高于高通

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為聯(lián)發(fā)科能做到這個成績與其芯片的特性是密不可分的，因為聯(lián)發(fā)科的天璣系列芯片相對于高通驍龍系列性價比極高，而且在功耗上占有極大的優(yōu)勢。這兩大優(yōu)勢恰恰是高通所不具備的，何況在于5G時代大家追求的就是同等條件之下續(xù)航更強(qiáng)。

模擬技術(shù)
2021-10-11

聯(lián)發(fā)科 5G芯片芯片
中國芯片快速發(fā)展獲得更多企業(yè)認(rèn)可：中國大陸芯片產(chǎn)能是全球第三

當(dāng)前中國大陸生產(chǎn)了全世界幾乎所有的電子產(chǎn)品。但是中國大陸的芯片產(chǎn)能是全球第三(占據(jù)16%) 韓國和中國臺灣地區(qū)各自占據(jù)20%以上，日本占據(jù)15%，中國大陸地區(qū)的16%當(dāng)中以三星西安，海力士無錫，英特爾海力士大連為主。而主要設(shè)備供應(yīng)商和原材料供應(yīng)商基本來自境外。

模擬
2021-10-11

中國芯片芯片
先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成

《先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成》是奧肯思科技有限公司舉辦的一場在線研討會，我在線系統(tǒng)地介紹了先進(jìn)封裝和異構(gòu)集成技術(shù)的定義、特點(diǎn)及其相關(guān)的技術(shù)，并對其中的熱點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的剖析和講解。隨著芯片工藝尺寸日益走向極致（3nm~1nm），集成電路中晶體管尺寸的微縮逐漸接近原子的物理極限，摩爾定律...

SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)
2021-10-09

集成封裝
工作于線性區(qū)功率MOSFET的設(shè)計（2）：線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)

1、線性區(qū)工作負(fù)溫度系數(shù)特性功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖1所示，VGS與電流ID曲線有一個溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V，通常這個點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC（ZeroTemperatureCoefficient）。VGS高于5.5V時，溫度越高電流越小，功率MOSFET的RDS是...

SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)
2021-10-09

溫度線性功率MOSFET
工程師不得不知的MOS管驅(qū)動電路設(shè)計細(xì)節(jié)

本文來源于面包板社區(qū)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的GS兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一...

可靠性雜壇
2021-10-09

驅(qū)動電路設(shè)計 MOS管
詳解消滅EMC的三大利器：電容器/電感/磁珠

本文來源于可靠性技術(shù)交流濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。對于這這三者在電路中的作用，相信還有很多工程師搞不清楚。本文從設(shè)計設(shè)計中，詳細(xì)分析了消滅EMC三大利器的原理。三大利器之濾波電容器盡管從濾除高頻噪聲的角度看，電容的諧振是...

可靠性雜壇
2021-10-09

電感電容器磁珠
CAN通訊中常遇到的接口異常問題

分享一個講解can通訊異常分析的文章。文章來自：ZLG致遠(yuǎn)電子『點(diǎn)擊圖片了解活動詳情』▼更多精彩干貨，點(diǎn)擊下方關(guān)注查看▼關(guān)注『面包板社區(qū)』，后臺回復(fù)"關(guān)鍵詞"，領(lǐng)取300G學(xué)習(xí)資料包（如：電源、電機(jī)、嵌入式、信號系統(tǒng)、模電、華為、電子學(xué)、電路、c語言...）#

可靠性雜壇
2021-10-08
Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的？

本文來源于面包板社區(qū)為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù)，減少干擾，平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路，盡管電路的具體形式繁多，不盡相同，工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型、BCM臨界型），但基本的結(jié)構(gòu)大同小異，都是采用BOOST升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。如下圖所示，這是一典型的升...

可靠性雜壇
2021-10-08

os 電感升壓
深度：旁路電容的應(yīng)用

來源：阿莫論壇，作者：ddds直接來源：芯片之家（ID：chiphome-dy）通過一次關(guān)于基本知識的對話，讓我們深入考察那沒有什么魅力但是極其關(guān)鍵的旁路電容和去耦電容。?引言旁路電容是關(guān)注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可...

可靠性雜壇
2021-10-08

電容
USB 接口電路設(shè)計常見問題

本文來源于面包板社區(qū)USB是一種快速、雙向、同步傳輸、廉價、方便使用的可熱拔插的串行接口。由于數(shù)據(jù)傳輸快，接口方便，支持熱插拔等優(yōu)點(diǎn)使USB設(shè)備得到廣泛應(yīng)用。目前，市場上以USB2.0為接口的產(chǎn)品居多，但很多硬件新手在USB應(yīng)用中遇到很多困擾，往往PCB裝配完之后USB接口出現(xiàn)各...

可靠性雜壇
2021-09-30

USB
MOS管怎么用？從認(rèn)識米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

本文來源于面包板社區(qū)要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。MOS管即場效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當(dāng)于NPN的三極管；P...

可靠性雜壇
2021-09-30

選型開關(guān)損耗 MOS管

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華為海思出貨量暴跌82%！華為：海思芯片部門不以盈利為訴求

三星Q3銷售創(chuàng)記錄新高：銷售額和營業(yè)利潤分別比上年同期增長9%和27%

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英偉達(dá)400億美元收購英國芯片設(shè)計公司Arm受阻，計劃向歐盟提出有條件讓步

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先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成

工作于線性區(qū)功率MOSFET的設(shè)計（2）：線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)

工程師不得不知的MOS管驅(qū)動電路設(shè)計細(xì)節(jié)

詳解消滅EMC的三大利器：電容器/電感/磁珠

CAN通訊中常遇到的接口異常問題

Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的？

深度：旁路電容的應(yīng)用

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