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美國(guó)家半導(dǎo)體公司CEO計(jì)劃下月底退休 COO接任

北京時(shí)間10月10日消息據(jù)國(guó)外網(wǎng)站報(bào)道，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司在提交給監(jiān)管機(jī)構(gòu)的文件中稱，公司首席執(zhí)行官（CEO）布賴恩·哈拉（Brian Halla）計(jì)劃在11月底退休，接替他的是公司首席運(yùn)營(yíng)官（COO）唐納德·麥克列奧德（

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2009-10-10

國(guó)家半導(dǎo)體 COO CE iPhone
加速度計(jì)不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計(jì)開發(fā)

由于感測(cè)加速度與角速度等物理量變化并非硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的專利，石英組件供貨商Epson Toyocom亦預(yù)定在2010年推出以石英為基礎(chǔ)的加速度感應(yīng)器，以分食龐大的加速度感應(yīng)器市場(chǎng)大餅。Epson Toyocom開發(fā)技術(shù)統(tǒng)括部暨

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2009-10-10

加速度計(jì) 石英 MEMS EPS
小摩調(diào)高聯(lián)電、臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)

聯(lián)電（2303）轉(zhuǎn)機(jī)題材越來越具吸引力！摩根大通證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師J. J. Park昨（9）日預(yù)估，聯(lián)電未來2年毛利年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)45％，帶動(dòng)股價(jià)/凈值比（P/B值）至少向1倍靠攏，因此，將目標(biāo)價(jià)由15.5

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2009-10-10

聯(lián)電臺(tái)積電臺(tái)積電營(yíng)收控管
聯(lián)電Q3營(yíng)收超越財(cái)測(cè) 外資喊進(jìn)

晶圓雙雄營(yíng)收公布，聯(lián)電九月營(yíng)收達(dá)95.34億元，創(chuàng)近二年新高，累計(jì)第三季營(yíng)收達(dá)274.06億元，超越公司財(cái)測(cè)，臺(tái)積電第三季營(yíng)收899億元，則是逼近當(dāng)初設(shè)定900億元高標(biāo)，聯(lián)電優(yōu)異表現(xiàn)，讓摩根大通、野村等外資，持續(xù)給予

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2009-10-10

電子聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠
臺(tái)積電2009年-九月營(yíng)收同比減少3%

臺(tái)積電9日公布2009年九月營(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣280億2,400萬元，較今年八月減少了3.0%，較去年同期減少了0.8%。累計(jì)2009年一至九月營(yíng)收約為新臺(tái)幣1,967億4,700萬元，較去年同期減少了24.6%

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2009-10-10

臺(tái)積電臺(tái)積電營(yíng)收
Air Liquide將為中芯國(guó)際深圳晶圓廠供氣

中芯國(guó)際選擇了Air Liquide作為長(zhǎng)期氣體供應(yīng)商，為其2010年初投產(chǎn)的深圳200mm和300mm晶圓廠供應(yīng)氣體。Air Liquide將投入1300萬美元用于設(shè)施改造以滿足中芯國(guó)際的需求?！吧钲谑侵袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，此次新建的晶圓廠

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2009-10-10

中芯國(guó)際晶圓廠 IDE LIQUID
恒憶、群聯(lián)電子和海力士合作開發(fā)NAND存儲(chǔ)器系統(tǒng)解決方案

2009年5月6日—— 恒憶半導(dǎo)體（Numonyx）、群聯(lián)電子（Phison Electronics Corp.）和海力士（Hynix）今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC" 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解

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2009-10-09

電子存儲(chǔ)器聯(lián)電 NAND
GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始向下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術(shù)領(lǐng)先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州

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2009-10-09

節(jié)點(diǎn) 柵極 GSA GLOBALFOUNDRIES
ARM與GLOBALFOUNDRIES建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，利用28納米高k工藝生產(chǎn)應(yīng)用優(yōu)化型系統(tǒng)芯片產(chǎn)品

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">ARM公司擁有一流的低功率處理器架構(gòu)和優(yōu)化的物理知識(shí)產(chǎn)權(quán)，建立了合作伙伴產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，GLOBALFOUNDRIES公司則有先

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2009-10-09

ARM 金屬系統(tǒng)芯片 GLOBALFOUNDRIES
FSI Intl 取得美國(guó)半導(dǎo)體制造商單晶圓清洗設(shè)備訂單

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">FSI InTL宣布，從美國(guó)半導(dǎo)體制造商取得訂單，將供應(yīng)FSI ORION單晶圓清洗系統(tǒng)，這套系統(tǒng)將在2009年底以前出貨，每臺(tái)

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2009-10-09

晶圓單晶半導(dǎo)體制造 PAD
臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”研擬晶圓面板登陸設(shè)廠三種模式

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”研擬以直接投資、參股及參與其它國(guó)外廠商主導(dǎo)并購案三種模式，作為開放晶圓面板等限制類登陸投資模式

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2009-10-09

半導(dǎo)體廠商晶圓晶圓廠 PAD
傳臺(tái)積電明年將測(cè)試450mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">來自業(yè)界的消息稱，臺(tái)積電將在明年開始測(cè)試用于450mm晶圓生產(chǎn)的相關(guān)設(shè)備，臺(tái)積電先前的計(jì)劃是在2012年進(jìn)行450mm晶圓

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2009-10-09

晶圓臺(tái)積電晶圓廠 PAD
ARM和GlobalFoundries達(dá)成28納米ARM架構(gòu)芯片生產(chǎn)協(xié)議

ARM和芯片代工廠商GlobalFoundries達(dá)成協(xié)議,支持客戶利用后者的28納米高K金屬柵極工藝生產(chǎn)Cortex-A9架構(gòu)處理器.據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,一周前就有消息稱,兩家公司在進(jìn)行相關(guān)談判.ARM首席執(zhí)行官華倫·伊斯特在一份聲

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2009-10-09

ARM 處理器芯片生產(chǎn) GLOBALFOUNDRIES
臺(tái)積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術(shù)

最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動(dòng)作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導(dǎo)體之后，最近臺(tái)積電與比利時(shí)IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議，雙方將協(xié)力進(jìn)行混合信號(hào)IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研

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2009-10-09

臺(tái)積電制程技術(shù) MEMS BICMOS
GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)

在最近召開的GSA會(huì)議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達(dá)到兩位數(shù)水平，預(yù)計(jì)年底良率有望達(dá)到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì)在這個(gè)會(huì)議上展

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2009-10-09

ST FIR RS GLOBALFOUNDRIES

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美國(guó)家半導(dǎo)體公司CEO計(jì)劃下月底退休 COO接任

加速度計(jì)不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計(jì)開發(fā)

小摩調(diào)高聯(lián)電、臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)

聯(lián)電Q3營(yíng)收超越財(cái)測(cè) 外資喊進(jìn)

臺(tái)積電2009年-九月營(yíng)收同比減少3%

Air Liquide將為中芯國(guó)際深圳晶圓廠供氣

恒憶、群聯(lián)電子和海力士合作開發(fā)NAND存儲(chǔ)器系統(tǒng)解決方案

GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

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傳臺(tái)積電明年將測(cè)試450mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備

ARM和GlobalFoundries達(dá)成28納米ARM架構(gòu)芯片生產(chǎn)協(xié)議

臺(tái)積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術(shù)

GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)

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