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  • 高性能 IHLP電感器(Vishay)

    Vishay 宣布推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器

  • 基于SPI的MAX7221與MCU連接

    MAX7221是一款可級(jí)聯(lián)的串行輸入／輸出的顯示驅(qū)動(dòng)器，單片最多可驅(qū)動(dòng)多達(dá)8個(gè)數(shù)碼管，在儀器儀表設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用。它與MCU的連接通常使用I／O直接模擬時(shí)序法或者UART串行通信法，這兩種方法存在程序復(fù)雜，速度慢和易出錯(cuò)等不足。闡述了MAX7221與MCU進(jìn)行連接的另一種方法——SPI連接法，給出電路圖及關(guān)鍵子程序。實(shí)驗(yàn)證明，相比于其他方法，此法更加簡(jiǎn)便易行，且通信速率更高。

    模擬
    2009-09-17
    MCU SPI BSP MAX7221

  • 差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法

    敘述模擬集成電路設(shè)計(jì)中關(guān)于MOS管不匹配特性的一些基本概念，以及隨著加工尺寸的不斷減小，MOS管所引起的一系列短溝道效應(yīng)，進(jìn)而描述整個(gè)MOS管模型的發(fā)展歷史，以此說(shuō)明一個(gè)精確模型對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)的重要意義。然后進(jìn)一步闡述因MOS管失配而引起電路性能變差，尤其是對(duì)整個(gè)D／A轉(zhuǎn)換器性能的影響；進(jìn)而采用改進(jìn)技術(shù)，并對(duì)其進(jìn)行了進(jìn)一步驗(yàn)證。針對(duì)放大器引起的失調(diào)，介紹通過(guò)版圖設(shè)計(jì)消除失配的原理，并且運(yùn)用電路設(shè)計(jì)方法進(jìn)行消除，采用TSMC0．25μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝參數(shù)對(duì)其進(jìn)行仿真驗(yàn)證。針對(duì)D／A的電流源失配引起的電路性能變差，采用了電流源自校準(zhǔn)技術(shù)，并對(duì)這種方法進(jìn)行了仿真驗(yàn)證，取得了不錯(cuò)的成果。

  • 用于衛(wèi)星通信設(shè)計(jì)的寬帶通道模擬器

    如今，現(xiàn)代衛(wèi)星通信系統(tǒng)面臨了諸多挑戰(zhàn)。主要是： 1．通信帶寬增大，容量增加 　　 在衛(wèi)星通信中，數(shù)據(jù)傳輸速率是性能的重要指標(biāo)。近期的研究發(fā)現(xiàn)衛(wèi)星的平均功耗增加了350%，設(shè)計(jì)壽命從10年增加到近

  • 電子元器件行業(yè)延續(xù)回暖趨勢(shì)

    盡管同比數(shù)據(jù)仍不盡如人意，但電子元器件行業(yè)逐步回暖的態(tài)勢(shì)基本確立。從相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)看，多數(shù)電子元器件產(chǎn)品的出口從2月份起就步入環(huán)比增長(zhǎng)軌道;二季度行業(yè)內(nèi)上市公司營(yíng)業(yè)收入和業(yè)績(jī)環(huán)比均出現(xiàn)顯著改善。分析師認(rèn)

  • 基于SG3525的DC／DC直流變換器的研究

    介紹了集成芯片SG3525的特點(diǎn)和主要功能；給出了由SG3525組成的推挽式DC—DC直流變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)果說(shuō)明設(shè)計(jì)的可行性。

  • 節(jié)能環(huán)保技術(shù)(裝備)在電力設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用情況

    本文對(duì)我國(guó)節(jié)能環(huán)保技術(shù)(裝備)在電力設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用情況做了較詳細(xì)的介紹。從節(jié)能減排的角度出發(fā)，對(duì)發(fā)電側(cè)和輸配電設(shè)備的技術(shù)現(xiàn)狀、運(yùn)行狀況和未來(lái)幾年的發(fā)展做了分析和預(yù)測(cè)。

  • 一種新穎的電力變壓器故障診斷方法研究

    本文在傳統(tǒng)方法的基礎(chǔ)上，提出了一種新的基于聯(lián)合時(shí)頻分析的故障診斷方法。該方法首先根據(jù)濾波后的沖擊信號(hào)得到差異電流信號(hào)，然后對(duì)差異信號(hào)進(jìn)行聯(lián)合時(shí)頻分析，得到時(shí)頻分布圖。不同的時(shí)頻分布圖反映不同的故障特征，不同的故障反映在時(shí)頻分布圖上也是不同的。通過(guò)建立故障時(shí)頻分布圖數(shù)據(jù)庫(kù)，就可以實(shí)現(xiàn)電力變壓器故障的自動(dòng)定位、識(shí)別。由于該方法完全由計(jì)算機(jī)完成，較傳統(tǒng)方法準(zhǔn)確性高，應(yīng)用前景更為廣闊。

  • 國(guó)產(chǎn)DiiVA技術(shù)遇HDMI挑戰(zhàn)

    國(guó)內(nèi)八大國(guó)產(chǎn)彩電企業(yè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的數(shù)字高清接口DiiVA正在受到嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，記者昨日了解到，在本周四東莞舉行的全球最大電子設(shè)計(jì)盛會(huì)——“國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)”上，高清連接的全球

  • 進(jìn)軍LED市場(chǎng) 臺(tái)積電先行布局

    臺(tái)積電（2330）轉(zhuǎn)投資封測(cè)廠采鈺科技（VisEra）昨（16）日宣布，結(jié)合臺(tái)積電另一轉(zhuǎn)投資封測(cè)廠精材科技（3374）所開(kāi)發(fā)的新型LED專用基 板，發(fā)表專屬8吋晶圓級(jí)LED硅基封裝技術(shù)，并以此項(xiàng)技術(shù)提供高功率LED封裝代工服務(wù)，

  • 宏力復(fù)出 力爭(zhēng)晶圓代工五哥

    上海宏力半導(dǎo)體近日舉辦成立至今的第一次技術(shù)論壇，而甚久未公開(kāi)亮相的宏力執(zhí)行長(zhǎng)舒馬克（Ulrich Schumacher），更高調(diào)在會(huì)議上宣布，宏力將會(huì)在今年的第三季首度獲利，也希望加快將年?duì)I業(yè)額推進(jìn)到10億美元，成為全球

  • Tektronix為廣播電視節(jié)目后制業(yè)者提供監(jiān)測(cè)服務(wù)

    Tektronix宣布，AIR Post Production 已將WVR7020光柵波形掃描儀加入其后制工具陣容中。該公司專為廣播、電影及 DVD 產(chǎn)業(yè)提供后制服務(wù)，將使用新的 WVR7020 設(shè)備為客戶進(jìn)行視訊與音頻傳輸節(jié)目的 QC 監(jiān)測(cè)。 轉(zhuǎn)換至 H

    模擬
    2009-09-17
    VR ST AIR TEKTRONIX

  • 聯(lián)電完成集成電路晶圓碳足跡查證

    晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（16）日宣布，完成全球第一片集成電路晶圓「產(chǎn)品碳足跡」（Carbon Footprint Verification）查證。 聯(lián)電系遵循國(guó)際碳足跡標(biāo)準(zhǔn)「PAS2050」，進(jìn)行Fab8A廠8吋晶圓產(chǎn)品碳足跡盤查，經(jīng)由國(guó)

  • 東芝開(kāi)發(fā)出新型晶圓級(jí)制造工藝 可將0603芯片型二極管組裝成本減半

    東芝開(kāi)發(fā)出了采用晶圓級(jí)工藝組裝0603尺寸芯片型部件的封裝技術(shù)。通過(guò)一次性組裝多個(gè)部件，可使組裝時(shí)花費(fèi)的成本比采用逐一組裝方式的原技術(shù)降低一半。東芝生產(chǎn)技術(shù)中心和東芝半導(dǎo)體在“第19屆微電子研討會(huì)”（MES 20

  • 中芯國(guó)際65nm邏輯今年Q3\\Q4量產(chǎn) 45nm計(jì)劃明年Q2/Q3實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

    9月15日，由中芯國(guó)際與武漢新芯共同舉辦的“2009年技術(shù)研討會(huì)”首次在武漢舉行，此次研討會(huì)上中芯國(guó)際披露了其最新技術(shù)路線圖，并介紹了武漢新芯的最新進(jìn)展和未來(lái)規(guī)劃。據(jù)中芯國(guó)際市場(chǎng)行銷副總李偉博士介紹，中芯國(guó)際

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