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  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應用

    對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應為節(jié)能、本質安全型；闡述了采煤工作面本質安全型LED照明燈應該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機理。通過光譜分析，得出了LED在實際照明應用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅動電路作了設計并對小功率LED燈進行了合理的排列，結果表明隔爆兼本質安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設計

    為適應目前無線通信領域對高速A／D轉換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進行仿真驗證的方法，對高速A／D前端采樣保持電路進行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設計，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時鐘頻率為800 MHz時，其無雜波動態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結果顯示設計的電路可以用于中精度、高速A／D轉換器。

  • 三款新型 Gigaspira 積層磁珠產品（TDK）

    TDK公司近日宣布，已新開發(fā)出三款MMZ1005-E Gigaspira積層GHz頻帶貼片磁珠系列產品。該新產品具有業(yè)內最高1阻抗效果，并計劃于6月開始批量生產。 通過獨創(chuàng)的積層結構技術和鐵氧體技術的開發(fā)，該產品成功實現(xiàn)了阻抗

    模擬
    2009-04-17
    阻抗 磁珠 TDK SPI

  • 透視電源產業(yè)發(fā)展新機遇

    由中國電源學會和賽迪顧問股份有限公司共同主辦的“2009電源行業(yè)發(fā)展高峰論壇”將于6月19日在深圳舉行。此次高峰論壇將是電源行業(yè)界首次在全國范圍內圍繞“市場發(fā)展與產業(yè)升級”研討的高水平、高

  • 意法半導體推出LIS352AX基于MEMS的運動傳感器

    全球領先消費電子和便攜設備運動傳感器芯片供應商意法半導體推出一款內置絕對模擬輸出的三軸加速傳感器，進一步擴大超微型高性能的MEMS產品陣容。意法半導體的LIS352AX在2.16V到3.6V之間任何電源電壓都可以操作，適用

  • 集成線性霍爾編碼器（奧地利微電子）

    奧地利微電子公司發(fā)布首款可實現(xiàn)亞微米分辨率并基于線性霍爾效應傳感器的磁編碼器AS5311。與2mm極對長度的磁條一起使用，AS5311可通過其增量輸出和串行輸出分別提供1.95微米和488納米分辨率的信號。奧地利微電子編碼

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構情況。實驗結果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結構

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BOX BSP

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設計與實現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉換器中的降采樣低通濾波器的設計和實 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補償技術對通帶的下降進行補償，最后級聯(lián)三個半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測試結果表明，性能滿足設計指標要求。與傳統(tǒng)音頻領域的∑-△ADC應用相比，該設計在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應用于醫(yī)療儀器、移動通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國產6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。

    模擬
    2009-04-16
    波段 GAN SIC BSP

  • Mouser 與Linx Technologies達成全球經銷協(xié)議

    Mansfield, Texas, USA—2009年4月15日—Mouser Electronics，以其新產品快速導入知名。今日宣布，Mouser 與Linx Technologies達成全球經銷協(xié)議。Linx Technologies是多用途射頻產品的領先供應商。它創(chuàng)建于

  • Toshiba帶來能量密度提高1.5倍的車輛電池

    東芝已經開發(fā)新型的電動車輛鋰離子電池，它采用全新的鈦酸鋰材料作為負極，因此它的能量密度比現(xiàn)有的電池要高，提高到100Wh/kg。該產品有望在今年秋季上市，它當前樣本的容量為20Ah，輸出的功率密度為1,000W/kg。相比

  • 一種應用于SoC的高速數(shù)模轉換器的設計

    本文提出了一種應用于SoC的高速高精度DAC的設計，并在深亞微米CMOS工藝下實現(xiàn)了IP硬核形式的設計。該設計在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測量、自動控制、多媒體等領域的SoC系統(tǒng)設計的應用需求。

  • 英特爾09年Q1凈利6.47億 繼續(xù)保持22年盈利記錄

    4月15日消息，英特爾(博客)今天公布了2009年第一財季財報，營收71億美元，同比下滑26%；凈利潤6.47億美元，同比下降55%，業(yè)績結果略微超過分析師預期。 在上一財季受金融危機沖擊，利潤下滑90%之后，英特爾CEO歐德寧

  • 臺塑集團看好內存業(yè) 美光技術成上選

    臺塑集團旗下南科董事長吳嘉昭近日表示，臺塑集團會在DRAM領域堅持走下去，而美光技術在當下是「上選」，如果政府不幫忙，南科和華亞科也會自強，將辦理增資，改善財務結構。吳嘉昭指出，南科在DRAM制程技術研發(fā)說可

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