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450mm晶圓將緩行

為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和利潤，近年來晶圓面積不斷擴(kuò)大，大約每10年升級一次。1991年業(yè)界開始投產(chǎn)200mm晶圓，2001年起步向300mm晶圓過渡，依次類推，ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)和摩爾定律都認(rèn)為，2012年是向走向

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2008-12-19

晶圓 SEMI 半導(dǎo)體技術(shù)
你們家MEMS了嗎？MEMS已成為半導(dǎo)體業(yè)的全民運(yùn)動

近來全球各大半導(dǎo)體廠似乎掀起一股MEMS熱，無論是最上游的IC設(shè)計公司、晶圓代工廠、一直到最終端的封裝測試廠，就連半導(dǎo)體機(jī)器設(shè)備商，也一頭栽進(jìn)MEMS世界，甚至近來半導(dǎo)體公司工程人員見面不乏問一句，你們家MEMS了

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2008-12-19

晶圓代工封裝測試 MEMS
日晶片廠商削減或凍結(jié)支出 11月訂單大幅衰退71%

據(jù)路透社報道，根據(jù)周三公布的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)計算,日本11月半導(dǎo)體制造設(shè)備訂單較上年同期大幅衰退71%,因晶片廠商紛紛削減或凍結(jié)支出. 這是連續(xù)第21個月較上年同期下滑,因金融危機(jī)打擊消費(fèi)者的電子產(chǎn)品需求. 11月半導(dǎo)體制

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2008-12-18

電子晶片半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備
東芝NAND閃存將減產(chǎn)30％，其他半導(dǎo)體生產(chǎn)也將調(diào)整

東芝宣布，2009年1月開始，將在該公司的NAND閃存生產(chǎn)基地四日市工廠（三重縣四日市市）進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整。將把該工廠的產(chǎn)量削減30％左右。由于全球經(jīng)濟(jì)衰退，以面向內(nèi)存卡及便攜式媒體播放器為主的閃存市場需求低迷，供給

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2008-12-18

半導(dǎo)體東芝 NAND閃存晶圓
茂德董事長陳民良：DRAM產(chǎn)業(yè)打不死的話　還是好漢一條!

茂德在財務(wù)壓力沉重下，日前向政府提出紓困要求，在政府策劃方向以臺日聯(lián)盟為主軸下，茂德并入爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)指日可待，畢竟DRAM廠自己要先作整并，政府才能師出有名的幫忙紓困，否則只是拿錢出來投資個別DRAM廠

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2008-12-18

DRAM 存儲器爾必達(dá) 海力士
臺DRAM廠紓困案政府打出被動牌

臺灣DRAM廠陷入困境，“經(jīng)濟(jì)部”16日正式提出政府針對DRAM廠困境的幾個原則，但未提及國發(fā)基金是否投資DRAM廠，以及如何協(xié)助臺廠向技術(shù)母廠爭取最大資源。“經(jīng)濟(jì)部”表示，受到國人感受及國際現(xiàn)實(shí)等復(fù)雜因素影響，政

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2008-12-18

DRAM 存儲器美光 POS
09年芯片行業(yè)可能首度遭遇連續(xù)兩年營收下滑窘境

全球最具權(quán)威的IT研究與顧問諮詢公司Gartner宣布，2009年芯片行業(yè)有可能首度遭遇連續(xù)兩年營收下滑的窘境。該公司預(yù)計，明年芯片銷售額總計2192億美元，較2008年減少16.3%。芯片行業(yè)將受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊。在這場危

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2008-12-18

芯片電腦 AMD
雙路LDO電壓調(diào)整器芯片（特瑞仕）

特瑞仕半導(dǎo)體株式會社在日本東京開發(fā)了XC6416系列是高精度、低噪音、高紋波抑制比、低壓差，采用CMOS工藝的雙路LDO電壓調(diào)整器芯片。 XC6416系列是高精度、低噪音、高紋波抑制比、低壓差，采用CMOS工藝的雙路LDO電

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2008-12-18

芯片電流電壓調(diào)整器 LDO
ISM頻帶高性能功率放大器（SiGe）

SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 現(xiàn)已推出一款 ISM (即工業(yè)、科研、醫(yī)療－ industrial、 scientific、medical, ISM) 頻帶高性能功率放大器 (power amplifier, PA)，型號為 SE2568U，目標(biāo)是嵌入式2.4GHz 無線局

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2008-12-18

功率放大器頻帶 SIGE ISM
全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動工具。新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封

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2008-12-18

封裝 RF 功率MOSFET BSP
寬帶數(shù)字可編程增益IF放大器（Linear）

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬帶數(shù)字可編程增益 IF 放大器 LT5554，該器件在 200MHz 時具有 48dBm OIP3 (輸出 3 階截取)。此外，該放大器具有非常低的噪聲，從而在無線通信接收器和信號處理系

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2008-12-18

寬帶 Linear 放大器可編程增益
金沙江創(chuàng)投3000萬美元注資太時芯光布局LED

北京奧運(yùn)會期間LED照明大顯身手。預(yù)計2010年中國LED產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將超過千億元，這使當(dāng)下處于逆境中的VC再次把目光轉(zhuǎn)向這個領(lǐng)域。 2008年10月23日，就在各大投資機(jī)構(gòu)“現(xiàn)金為王，緊縮銀根”的時候，金沙江創(chuàng)投卻聯(lián)合北

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2008-12-17

LED 藍(lán)光 LED封裝 LED照明
DRAM廠商反應(yīng)過度需求和價格將于2010年復(fù)蘇

市場研究公司IC Insights指出，DRAM制造商對當(dāng)前低迷的市場反應(yīng)過度，尤其是大幅削減資本支出，這將導(dǎo)致2010年或2011年產(chǎn)業(yè)無法滿足市場需求的強(qiáng)勢反彈。 IC Insights預(yù)測，DRAM價格將在2010年猛升。這種周期性趨

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2008-12-17

DRAM INSIGHT IC產(chǎn)業(yè)
巨能科技投資1.45億美元在大連建設(shè)中國最大LED芯片廠

記者昨日從市信息產(chǎn)業(yè)局獲悉，總部設(shè)在香港的臺灣巨能科技公司已決定投資1.45億美元在大連高新區(qū)建立LED(發(fā)光二極管)芯片生產(chǎn)廠。全部達(dá)產(chǎn)后，大連巨能公司將成為中國最大的LED芯片生產(chǎn)廠。巨能科技的投資顯示了臺資

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2008-12-17

半導(dǎo)體芯片廠芯片生產(chǎn) LED芯片
東芝1月起將降低NAND快閃記憶體30%的產(chǎn)量

日本最大的芯片制造商東芝周二表示，由于全球經(jīng)濟(jì)疲軟導(dǎo)致消費(fèi)需求下降，1月起將減少用于手機(jī)和便攜式音樂播放器的NAND快閃記憶體30%的產(chǎn)量。據(jù)國外媒體報道，東芝表示，減產(chǎn)計劃落實(shí)以前，公司位于日本四日市的旗

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2008-12-17

東芝三星電子 NAND

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