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我國科學家首次制備出米級尺寸單壁碳納米管薄膜
中科院金屬研究所孫東明團隊聯(lián)合劉暢團隊，研發(fā)了一種連續(xù)合成、沉積和轉移單壁碳納米管薄膜的技術，首次在世界范圍內制備出米級尺寸高質量單壁碳納米管薄膜，并基于此構建出高性能的全碳薄膜晶體管(TFT)和集成電路(IC)器件。
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ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲CMOS運算放大器
ROHM面向處理微小信號的光傳感器、聲納及硬盤中使用的加速度傳感器等需要高精度感測的工業(yè)設備應用，開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲CMOS*1運算放大器“LMR1802G-LB”。
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MOSFET產能大缺 正醞釀下一波漲價
由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉向高階MOSFET及IGBT相關應用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產能早已被預訂一空，加上目前8吋晶圓代工產能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產能情況。
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應用材料公司Producer平臺出貨量高達5000臺
近日，應用材料公司慶祝Producer®平臺誕生20周年，出貨量達到5,000臺。該平臺用于制造全球幾乎所有的芯片。
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過電壓保護:工作溫度更高的壓敏電阻
TDK 集團的引線式愛普科斯 (EPCOS) 金屬氧化物片狀壓敏電阻經認證工作溫度增加至 105°C(此前為 85°C)。B722 系列壓敏電阻通過了 UL 1449(第 4 版)和 IEC 61051 標準的認證。 因工作溫度增加至 105°C，
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高壓接觸器:工作電流達500A的擴展產品系列
TDK 集團再次擴展了 HVC 系列高壓接觸器產品組合，推出兩款新銳產品，即工作電流分別為 300A 和 500A 的 HVC300 和 HVC500。新款接觸器可開斷高達 900 V 的直流高壓。另外， TDK 集團還能根據(jù)客戶要求提供工作電壓高
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薄膜電容器:堅固耐用的直流鏈路電容器系列的擴展型號
TDK 集團擴展了其用于直流鏈路的愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器系列。新擴展的 B3277*H 系列適用于嚴苛的環(huán)境條件，并且在環(huán)境溫度為 60°C，相對濕度為 95%，以及額定電壓條 件下進行了歷時 1,000 小時的溫濕度偏
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TDK發(fā)布緊湊型高性能3線EMC濾波器
TDK 公司擴展了愛普科斯 (EPCOS) 3 線 EMC 濾波器 B84243*的產品系列，包括 10 款電流高 達 280A 的濾波器。該系列產品中的所有 18 款濾波器的額定電壓為 530V AC。該系列濾波器 的性能針對 EN 61800−3:2004+
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零漂移放大器：特性和優(yōu)勢
零漂移放大器采用獨特的自校正技術，可提供適用于通用和精密應用的超低輸入失調電壓(Vos)和接近零的隨時間和溫度輸入失調電壓漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓撲結構還提供了其他優(yōu)勢，包括無1/f噪聲,低寬帶噪聲和低失真——簡化了開發(fā)復雜性并降低了成本。這可以通過兩種方式中的一種來完成;斬波器或自動調零。本技術說明將解釋標準的連續(xù)時間和零漂移放大器之間的差異。
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針對小型封裝放大器的替代零件選項
隨著低成本終端產品需求不斷增加，設計師需要設計出既能夠滿足產品的性能規(guī)格，又可以保持低于系統(tǒng)目標價格的創(chuàng)新方案。例如，除了放大器性能外，設計師還必須考慮所有放大器特性，包括成本和封裝尺寸。
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安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領先市場的電流密度和全集成的MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調制(PWM)降壓轉換器。
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應鏈的前沿技術和解決方案
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產品和全套系統(tǒng)及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產品和應用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。
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Littelfuse 碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和空間要求
Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴充其碳化硅電源半導體產品組合。 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。 本次產品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會期間舉辦。
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低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
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意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。
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