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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)革新

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。

智能硬件
2008-05-07

嵌入式移動(dòng)設(shè)備 NAND 大容量存儲(chǔ)
可控硅數(shù)字相位控制電路TC790A及其應(yīng)用

三相可控硅觸發(fā)電路需要對(duì)三相電進(jìn)行同步采樣，因而需要同步變壓器，同時(shí)考慮到主回路的接法，還要注意同步變壓器的相應(yīng)接入。

工業(yè)控制
2008-05-07

可控硅相位控制電路 TC
MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制

本文研制了一種高性能、低成本的微型電容氣象壓力傳感器，整個(gè)流程工藝簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)，薄膜材料選擇單晶硅，采用接觸式結(jié)構(gòu)，利用陽極鍵合形成真空腔，最后由KOH各向異性腐蝕和深刻蝕形成硅薄膜。試驗(yàn)結(jié)果表明，該傳感器適用于氣象壓力測(cè)量。

工業(yè)控制
2008-05-07

壓力傳感器薄膜電容式 MEMS
用EPLD實(shí)現(xiàn)單脈沖二次雷達(dá)的應(yīng)答解碼處理

用EPLD實(shí)現(xiàn)的單脈沖二次雷達(dá)應(yīng)答處理器。其主要功能包括：應(yīng)答框架脈沖檢測(cè)，應(yīng)答信息解碼，將應(yīng)答信息裝配成飛機(jī)的同步應(yīng)答組形成目標(biāo)報(bào)告，丟棄非同步虛假應(yīng)答。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2008-05-07

解碼單脈沖二次雷達(dá) PLD
突發(fā)通信中Turbo碼的FPGA實(shí)現(xiàn)

給出了低復(fù)雜度和低延遲的Turbo碼編譯碼的FPGA實(shí)現(xiàn)方案，方案中分量碼譯碼算法采用Max-Log-Map算法?；谔岢龅脑O(shè)計(jì)方案，在Xilinx的FPGA芯片上實(shí)現(xiàn)了幀長(zhǎng)在64～1024之間可變的短幀長(zhǎng)Turbo編譯碼模塊。仿真和測(cè)試結(jié)果表明，該模塊的誤碼率性能優(yōu)良、譯碼延時(shí)較小、數(shù)據(jù)吞吐量大，可用于低信噪比條件下突發(fā)數(shù)據(jù)通信中的差錯(cuò)控制。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2008-05-07

通信 FPGA實(shí)現(xiàn) TURBO碼 MAP算法
基于C語言和GEL語言的Flash編程新方法

以TMS320VC5402為例，探討一種綜合運(yùn)用C語言、數(shù)據(jù)文件及GEL語言的Flash編程新方法。該方法完全采用C語言編寫燒寫程序，解決了指針不能訪問高端Flash的問題；把引導(dǎo)表作成數(shù)據(jù)文件，可實(shí)現(xiàn)大引導(dǎo)表的分批次加載；通過GEL程序控制C程序執(zhí)行，較好地體現(xiàn)了Flash編程的流程。

智能硬件
2008-05-06

C語言函數(shù) GE FLASH編程
如何用DSP和FPGA構(gòu)建多普勒測(cè)量系統(tǒng)

隨著FPGA性能和容量的改進(jìn)，使用FPGA執(zhí)行DSP功能的做法變得越來越普遍。

測(cè)試測(cè)量
2008-05-06

DSP FPGA 測(cè)量系統(tǒng) 多普勒
一種無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的開發(fā)

無線傳感器網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，每個(gè)傳感器節(jié)點(diǎn)都具有無線通信功能，各個(gè)測(cè)點(diǎn)的傳感器單元，對(duì)此處的參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，并組成一個(gè)無線網(wǎng)絡(luò)，將測(cè)量數(shù)據(jù)通過該網(wǎng)絡(luò)以無線方式傳送到監(jiān)控中心。

工業(yè)控制
2008-05-06

無線傳感器網(wǎng)絡(luò) 網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) 傳感器節(jié)點(diǎn) BSP
2.4GHz CMOS功率放大器設(shè)計(jì)

本文系統(tǒng)分析了射頻CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)方法，并基于TSMC 0.35μm RF工藝設(shè)計(jì)了一種工作頻率在2.4GHz，電源電壓為3.3V的三級(jí)CMOS功率放大器。

模擬
2008-05-06

功率放大器放大器設(shè)計(jì) CMOS 4GHZ
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊

模擬
2008-05-06

功率放大器射頻寬帶大功率

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應(yīng)用

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