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  • 基于ABAQUS的輪軸注油壓裝有限元分析

    針對輪軸注油壓裝過程中壓裝力與應(yīng)力分布問題 ,利用ABAQUS軟件建立注油壓裝過程的動態(tài)有限元模型 ,研究不同過盈量對壓裝力及等效應(yīng)力分布的影響規(guī)律 。通過與實際壓裝曲線對比驗證了有限元模型的有效性 ,研究結(jié)果表明:壓裝力曲線與等效應(yīng)力分布能有效反映裝配質(zhì)量 ,過盈量是影響最大壓裝力和應(yīng)力集中程度的關(guān)鍵因素 。注油壓裝工藝可有效降低接觸應(yīng)力峰值 ,提高壓裝合格率 ,該研究為輪軸精密裝配工藝優(yōu)化提供了一定的理論依據(jù)。

  • 開關(guān)電源設(shè)計中相位裕度與瞬時響應(yīng)的關(guān)聯(lián)探析

    在開關(guān)電源閉環(huán)控制系統(tǒng)設(shè)計中，相位裕度(Phase Margin, PM)與瞬時響應(yīng)是衡量系統(tǒng)性能的核心指標(biāo)。相位裕度決定系統(tǒng)穩(wěn)定性邊界，瞬時響應(yīng)反映負(fù)載或輸入擾動下的動態(tài)調(diào)節(jié)能力，二者存在緊密的制約與協(xié)同關(guān)系，直接影響電源的可靠性、紋波抑制能力及負(fù)載適應(yīng)性。深入理解二者關(guān)聯(lián)，是實現(xiàn)高性能開關(guān)電源設(shè)計的關(guān)鍵。

  • 磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)的新型存儲技術(shù)

    在人工智能、自動駕駛、邊緣計算等新興應(yīng)用的驅(qū)動下，計算系統(tǒng)對存儲體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構(gòu)成的高速緩存層級，因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題，逐漸難以滿足“后DRAM時代”的發(fā)展需求。磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲技術(shù)，憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，正成為重構(gòu)各級高速緩存架構(gòu)的理想候選方案，為存儲體系變革注入新活力。

  • EMC傳導(dǎo)干擾測試核心參數(shù)解析

    在電子電氣設(shè)備的電磁兼容(EMC)測試體系中，傳導(dǎo)干擾測試是評估設(shè)備電磁兼容性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其核心目的是驗證設(shè)備在工作過程中通過電源線、信號線等導(dǎo)電介質(zhì)產(chǎn)生的電磁干擾是否符合標(biāo)準(zhǔn)限值，同時考察設(shè)備抵御外部傳導(dǎo)干擾的能力。傳導(dǎo)干擾測試的參數(shù)體系圍繞“干擾發(fā)射”和“抗擾度”兩大核心維度構(gòu)建，涵蓋電壓、電流、頻率、諧波等多個關(guān)鍵指標(biāo)，這些參數(shù)的精準(zhǔn)測量直接決定了設(shè)備能否滿足市場準(zhǔn)入要求。本文將系統(tǒng)解析傳導(dǎo)干擾測試的主要參數(shù)及其實踐意義。

  • 多線程同步：互斥鎖與條件變量在生產(chǎn)者-消費(fèi)者模型中的應(yīng)用

    在多線程編程中，生產(chǎn)者-消費(fèi)者模型是典型的線程協(xié)作場景，廣泛應(yīng)用于消息隊列、任務(wù)調(diào)度等系統(tǒng)。該模型通過共享緩沖區(qū)實現(xiàn)線程間通信，但若缺乏有效的同步機(jī)制，極易引發(fā)數(shù)據(jù)競爭、死鎖等問題。本文以C++11標(biāo)準(zhǔn)庫為例，解析互斥鎖（Mutex）與條件變量（Condition Variable）如何協(xié)同工作，構(gòu)建線程安全的生產(chǎn)者-消費(fèi)者模型。

  • ADP2164的PGOOD管腳輸出高電平實現(xiàn)方法

    ADP2164作為一款4A、同步降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器，憑借緊湊封裝、高效率及完善的保護(hù)功能，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)儀器及消費(fèi)電子的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換場景。其PGOOD(Power Good，電源良好)管腳作為輸出狀態(tài)指示核心，高電平狀態(tài)代表輸出電壓穩(wěn)定在額定范圍，是保障后級電路可靠啟動的關(guān)鍵。本文從工作原理出發(fā)，結(jié)合硬件設(shè)計、參數(shù)配置及故障排查，系統(tǒng)說明使PGOOD管腳輸出高電平的實現(xiàn)路徑。

  • 下一代功率半導(dǎo)體賦能800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)革新

    隨著生成式AI、大模型訓(xùn)練等算力需求的指數(shù)級增長，AI數(shù)據(jù)中心正從千瓦級機(jī)架向兆瓦級演進(jìn)，傳統(tǒng)供電架構(gòu)的瓶頸日益凸顯。800伏高壓直流(HVDC)架構(gòu)憑借高效、可擴(kuò)展的核心優(yōu)勢，成為下一代AI數(shù)據(jù)中心的供電主流方向，而氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶功率半導(dǎo)體，正是解鎖這一架構(gòu)潛能的關(guān)鍵核心。二者的深度融合，正在重塑AI數(shù)據(jù)中心的能源供給體系，為算力爆發(fā)式增長提供堅實支撐。

  • AC-DC轉(zhuǎn)換器是一種將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的電力設(shè)備

    AC-DC轉(zhuǎn)換器是一種將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的電力設(shè)備，其功率流向具備雙向特性：電源至負(fù)載的整流模式和負(fù)載返電源的有源逆變模式。

  • 在電子信號處理領(lǐng)域，高通濾波器扮演著至關(guān)重要的角色

    與低通濾波器相反，高通濾波器允許高頻信號通過，同時衰減或阻止低頻信號。這種特性使得高通濾波器在音頻處理、圖像增強(qiáng)、通信系統(tǒng)和生物醫(yī)學(xué)工程等多個領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

    電源
    2026-01-19
    高通濾波器

  • 電源浪涌保護(hù)電路中雙壓敏電阻并聯(lián)的應(yīng)用分析

    在電源浪涌保護(hù)電路設(shè)計中，壓敏電阻(MOV)憑借其非線性伏安特性，成為抑制雷擊、電網(wǎng)波動等瞬態(tài)過電壓的核心元件。當(dāng)單個壓敏電阻通流容量不足或需優(yōu)化保護(hù)性能時，雙壓敏電阻并聯(lián)是常用解決方案，但該方案并非簡單疊加，需嚴(yán)格遵循參數(shù)匹配與電路設(shè)計規(guī)范。本文將從可行性、優(yōu)勢、關(guān)鍵要點(diǎn)及優(yōu)化策略等方面，深入解析雙壓敏電阻并聯(lián)在浪涌保護(hù)電路中的應(yīng)用。

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