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閉環(huán)控制是現(xiàn)代工業(yè)自動化和智能控制系統(tǒng)的核心
閉環(huán)控制是現(xiàn)代工業(yè)自動化和智能控制系統(tǒng)的核心，通過實時反饋機制實現(xiàn)對系統(tǒng)輸出的精確調(diào)節(jié)。與開環(huán)控制相比，閉環(huán)控制具有更高的精度、更強的抗干擾能力和更好的動態(tài)性能。
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三相電機控制：原理、方法與應(yīng)用
三相電機作為工業(yè)領(lǐng)域中最常見的動力設(shè)備，其控制技術(shù)直接影響著生產(chǎn)效率、能源消耗和設(shè)備壽命。
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人工智能和機器學(xué)習(xí)的算法
人工智能(Artificial Intelligence)，英文縮寫為AI。是研究、開發(fā)用于模擬、延伸和擴展人的智能的理論、方法、技術(shù)及應(yīng)用系統(tǒng)的一門新技術(shù)科學(xué)。
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LED與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)融合：開啟智能照明新紀(jì)元
物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)通過將LED燈具接入互聯(lián)網(wǎng)，賦予其遠(yuǎn)程控制、數(shù)據(jù)分析和自適應(yīng)調(diào)節(jié)的能力，徹底改變了傳統(tǒng)照明的被動使用模式。
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發(fā)光二極管：原理、應(yīng)用與未來展望
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件，其核心原理基于半導(dǎo)體材料的電致發(fā)光特性。
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GaN材料系列在短波長發(fā)光器件領(lǐng)域也展現(xiàn)出卓越性能
基于GaAs 的LNA 的一個代表是HMC519LC4TR。這是一種來自Analog Devices 的18 到31 GHz pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)器件。
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消弧線圈自動調(diào)諧技術(shù)：原理、應(yīng)用與優(yōu)化
在電力系統(tǒng)中，中性點接地方式的選擇對系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行至關(guān)重要。中性點經(jīng)消弧線圈接地作為一種常見的接地方式，廣泛應(yīng)用于10kV配電網(wǎng)。
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場效應(yīng)晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的半導(dǎo)體器件
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的半導(dǎo)體器件，其通過電場效應(yīng)控制電流的特性使其在模擬電路、數(shù)字電路和功率電子領(lǐng)域占據(jù)核心地位。
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功率變換器是一種可以將某種電流轉(zhuǎn)換為其他類型電流的電子設(shè)備
既有直流功率變換也有交流功率變換。功率變換器利用電表只對帶有“鎢絲”的發(fā)熱的電阻性的用電器限定了瓦數(shù)的漏洞，而制作出來的產(chǎn)品。
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新型RAM借力超容技術(shù)實現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)永存，存儲領(lǐng)域迎來革命性突破
在數(shù)字時代，存儲器是電子設(shè)備的核心基石，而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率，始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機存取存儲器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢，卻因易失性缺陷，斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失，需依賴額外存儲介質(zhì)備份;非易失性存儲器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù)，卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今，新型RAM融合超級電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲原理，成功打破這一固有矛盾，實現(xiàn)斷電時數(shù)據(jù)安全留存，為存儲領(lǐng)域帶來顛覆性變革。
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