三相電機(jī)作為工業(yè)領(lǐng)域中最常見(jiàn)的動(dòng)力設(shè)備,其控制技術(shù)直接影響著生產(chǎn)效率、能源消耗和設(shè)備壽命。
人工智能(Artificial Intelligence),英文縮寫(xiě)為AI。是研究、開(kāi)發(fā)用于模擬、延伸和擴(kuò)展人的智能的理論、方法、技術(shù)及應(yīng)用系統(tǒng)的一門(mén)新技術(shù)科學(xué)。
物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)通過(guò)將LED燈具接入互聯(lián)網(wǎng),賦予其遠(yuǎn)程控制、數(shù)據(jù)分析和自適應(yīng)調(diào)節(jié)的能力,徹底改變了傳統(tǒng)照明的被動(dòng)使用模式。
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件,其核心原理基于半導(dǎo)體材料的電致發(fā)光特性。
基于GaAs 的LNA 的一個(gè)代表是HMC519LC4TR。這是一種來(lái)自Analog Devices 的18 到31 GHz pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)器件。
在電力系統(tǒng)中,中性點(diǎn)接地方式的選擇對(duì)系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地作為一種常見(jiàn)的接地方式,廣泛應(yīng)用于10kV配電網(wǎng)。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的半導(dǎo)體器件,其通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的特性使其在模擬電路、數(shù)字電路和功率電子領(lǐng)域占據(jù)核心地位。
既有直流功率變換也有交流功率變換。功率變換器利用電表只對(duì)帶有“鎢絲”的發(fā)熱的電阻性的用電器限定了瓦數(shù)的漏洞,而制作出來(lái)的產(chǎn)品。
在數(shù)字時(shí)代,存儲(chǔ)器是電子設(shè)備的核心基石,而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問(wèn)效率,始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)雖具備高速讀寫(xiě)優(yōu)勢(shì),卻因易失性缺陷,斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失,需依賴額外存儲(chǔ)介質(zhì)備份;非易失性存儲(chǔ)器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù),卻存在讀寫(xiě)速度慢、擦寫(xiě)壽命短等瓶頸。如今,新型RAM融合超級(jí)電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲(chǔ)原理,成功打破這一固有矛盾,實(shí)現(xiàn)斷電時(shí)數(shù)據(jù)安全留存,為存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)顛覆性變革。
在電子設(shè)備電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)中,電源線EMI濾波器是抑制傳導(dǎo)干擾的核心器件,其插入增益特性直接決定干擾抑制效果。插入增益作為衡量濾波器性能的關(guān)鍵指標(biāo),反映了濾波器對(duì)特定頻率噪聲的衰減能力,將其嚴(yán)格控制在150Hz以下頻率范圍,是保障設(shè)備合規(guī)性與運(yùn)行穩(wěn)定性的重要前提。本文從技術(shù)原理、控制必要性、實(shí)現(xiàn)路徑及工程驗(yàn)證等方面,系統(tǒng)闡述這一控制策略的核心要點(diǎn)。