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  • 帶機器學習的AI相機解析

    相機中可以使用不同類型的人工智能技術(shù)，例如機器學習、計算機視覺、深度學習、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等。機器學習是一種教會計算機從數(shù)據(jù)中學習并提高其性能的方法，而無需顯式編程。

  • 展頻技術(shù)（SSC）在開關(guān)電源中的應(yīng)用，頻率抖動對紋波頻譜的分散效應(yīng)

    在新能源汽車充電樁的EMC測試實驗室里，工程師們曾因開關(guān)電源在16384Hz固定頻率下產(chǎn)生的尖峰輻射超標而焦頭爛額。當他們將開關(guān)頻率改為在±10%范圍內(nèi)線性抖動時，原本尖銳的頻譜峰值竟如被施了魔法般向兩側(cè)擴散，輻射值瞬間降低12dB。這一戲劇性轉(zhuǎn)變，正是展頻技術(shù)(Spread Spectrum Clocking, SSC)在開關(guān)電源中展現(xiàn)的"頻譜魔術(shù)"。

  • 抑制傳導EMI的X電容與共模電感協(xié)同選型，頻段覆蓋與阻抗匹配的實戰(zhàn)案例

    在電力電子設(shè)備中，傳導電磁干擾(EMI)如同隱形的“電流病毒”，可能引發(fā)設(shè)備誤動作、數(shù)據(jù)丟失甚至系統(tǒng)癱瘓。某新能源汽車充電樁廠商曾因未通過EN 55032傳導發(fā)射測試，導致產(chǎn)品上市延期三個月，直接損失超500萬元。這一案例揭示了傳導EMI抑制的核心挑戰(zhàn)：如何在150kHz-30MHz的寬頻帶內(nèi)實現(xiàn)精準阻抗匹配，同時平衡成本與可靠性。本文通過特斯拉ADAS雷達電源模塊、比亞迪刀片電池BMS系統(tǒng)等實戰(zhàn)案例，解析X電容與共模電感的協(xié)同選型方法。

  • 圖騰柱無橋PFC拓撲深度解析，高頻化與低導通損耗的協(xié)同設(shè)計方法

    在能源效率與功率密度雙重驅(qū)動的電力電子時代，圖騰柱無橋PFC(Power Factor Correction)拓撲憑借其突破性的結(jié)構(gòu)設(shè)計，成為單相AC/DC變換器的技術(shù)標桿。該拓撲通過消除傳統(tǒng)整流橋的二極管損耗，結(jié)合高頻化與同步整流技術(shù)，實現(xiàn)了效率與功率密度的雙重躍升。本文將從拓撲演化、高頻化機理、低導通損耗設(shè)計及協(xié)同優(yōu)化策略四個維度，揭示其技術(shù)內(nèi)核與創(chuàng)新路徑。

  • 同步整流驅(qū)動芯片的10ns級導通延遲選型：MPS MP6924與Silergy SY5875的交叉導通風險評估

    同步整流驅(qū)動芯片的導通延遲精度已成為決定系統(tǒng)效率與可靠性的核心參數(shù)。當導通延遲縮短至10ns級時，MOSFET的開關(guān)動作與變壓器次級電壓的同步誤差被壓縮至極限，此時交叉導通風險如同懸在工程師頭頂?shù)倪_摩克利斯之劍。本文以MPS MP6924與Silergy SY5875兩款典型芯片為樣本，從時序控制、驅(qū)動能力、保護機制三個維度，解析10ns級延遲下的交叉導通風險評估方法。

  • 鐵氧體與粉芯在LLC諧振變壓器中的選型決策：TDK PC40 vs 東磁DM54的磁損與飽和特性

    在LLC諧振變換器的設(shè)計中，磁性元件的選型直接決定了系統(tǒng)的效率、功率密度與可靠性。作為高頻應(yīng)用的核心材料，鐵氧體與金屬粉芯的磁性能差異深刻影響著變壓器的損耗、溫升及飽和特性。本文以TDK PC40鐵氧體與東磁DM54粉芯為典型案例，從磁芯損耗機理、飽和特性、溫度適應(yīng)性及工程應(yīng)用場景等維度，解析兩種材料在LLC諧振變壓器中的選型決策邏輯。

    電源
    2025-09-22
    鐵氧體 LLC 粉芯

  • 碳化硅二極管（SiC SBD）在光伏逆變器中的選型指南：羅姆BM30G004MN-C與ST STPSC10H065CI的溫升實測

    在光伏逆變器領(lǐng)域，碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC SBD)憑借其零反向恢復電荷、高頻開關(guān)特性及耐高溫能力，正逐步取代傳統(tǒng)硅二極管。然而，不同廠商的SiC SBD在溫升表現(xiàn)、電氣參數(shù)及封裝設(shè)計上存在顯著差異，直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文以羅姆BM30G004MN-C與意法半導體(ST)STPSC10H065CI兩款典型產(chǎn)品為例，結(jié)合光伏逆變器實際應(yīng)用場景，解析選型關(guān)鍵要素。

  • 數(shù)字控制PFC芯片的選型要點：ADC分辨率、PWM頻率與保護功能的兼容性分析

    在能源效率與電磁兼容性要求日益嚴苛的電力電子系統(tǒng)中，數(shù)字控制功率因數(shù)校正(PFC)芯片已成為實現(xiàn)高功率因數(shù)、低諧波失真的核心部件。其選型需綜合考量ADC分辨率、PWM頻率及保護功能三大核心參數(shù)的兼容性，以確保系統(tǒng)在動態(tài)負載、寬輸入電壓范圍及復雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

  • 輸出電容的ESR與紋波抑制：陶瓷電容 vs 電解電容的頻響特性與壽命對比

    在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高頻電力電子系統(tǒng)中，輸出電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩(wěn)定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇，其頻響特性與壽命表現(xiàn)存在顯著差異。本文從ESR的物理本質(zhì)、頻響特性、紋波抑制機制及壽命影響因素四個維度展開對比分析，揭示二者在高頻濾波場景中的協(xié)同應(yīng)用邏輯。

  • 平面變壓器在超薄65W快充中的應(yīng)用，伍爾特WE-PD與TDK B86303的寄生電容抑制對比

    在消費電子領(lǐng)域，超薄化與高功率密度已成為快充電源設(shè)計的核心趨勢。以65W氮化鎵(GaN)快充為例，其功率密度已突破1.8W/cm3，厚度壓縮至10mm以內(nèi)。這一突破性進展的背后，平面變壓器憑借其高頻適配性、低寄生參數(shù)特性及立體散熱能力，成為替代傳統(tǒng)繞線式變壓器的關(guān)鍵元件。本文以伍爾特電子WE-PD系列與TDK B86303系列平面變壓器為例，解析其在超薄65W快充中的寄生電容抑制技術(shù)差異。

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