當(dāng)ChatGPT掀起全球AI浪潮,大模型訓(xùn)練與推理帶來(lái)的算力爆發(fā)式增長(zhǎng),正將數(shù)據(jù)中心推向電力需求的臨界點(diǎn)。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心每機(jī)柜3-5KW的功耗設(shè)計(jì),早已難以承載AI芯片催生的巨量電力消耗。從GPT-4訓(xùn)練消耗25000個(gè)A100 GPU帶來(lái)的10MW電力需求,到英偉達(dá)H100芯片700W的單芯片功耗,AI正驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心開(kāi)啟一場(chǎng)圍繞電力供應(yīng)的深度重構(gòu)。這場(chǎng)演進(jìn)不僅是技術(shù)的迭代,更是數(shù)字經(jīng)濟(jì)與能源系統(tǒng)協(xié)同發(fā)展的必然選擇。
在電子設(shè)備體系中,電源作為能量供給核心,其運(yùn)行穩(wěn)定性直接決定設(shè)備整體性能與使用壽命。隨著電子設(shè)備向小型化、高功率密度方向發(fā)展,電源模塊的散熱壓力持續(xù)攀升。導(dǎo)熱硅膠片憑借優(yōu)異的導(dǎo)熱性能、適配性及安裝便利性,已成為電源散熱解決方案中的關(guān)鍵材料。本文將從電源散熱的核心需求出發(fā),深入分析導(dǎo)熱硅膠片的應(yīng)用價(jià)值、技術(shù)特性,以及針對(duì)性的散熱解決方案設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
在“雙碳”目標(biāo)引領(lǐng)全球能源轉(zhuǎn)型的浪潮中,氫能以零排放、高能量密度的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),成為公認(rèn)的終極清潔能源之一,氫能時(shí)代的加速到來(lái)已成必然趨勢(shì)。而這一進(jìn)程的核心驅(qū)動(dòng)力,離不開(kāi)電解直流電源這一關(guān)鍵核心設(shè)備。作為連接可再生能源與氫能生產(chǎn)的“橋梁”,電解直流電源承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)化與穩(wěn)定供給的核心職能,直接決定了制氫效率、成本與安全性,其技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)升級(jí)正為氫能規(guī)?;l(fā)展鋪平道路。
在電力電子領(lǐng)域,MOS管驅(qū)動(dòng)IC是實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換與控制的核心器件,而PWM(脈寬調(diào)制)模式因能精準(zhǔn)調(diào)節(jié)輸出功率、電壓,成為驅(qū)動(dòng)IC最常見(jiàn)的工作方式。這也讓不少?gòu)臉I(yè)者產(chǎn)生疑問(wèn):MOS管驅(qū)動(dòng)IC是否只能工作于PWM模式?答案顯然是否定的。PWM模式雖為主流,但驅(qū)動(dòng)IC的工作形態(tài)具有多元性,其模式選擇本質(zhì)上由應(yīng)用場(chǎng)景的功率控制需求決定。本文將從PWM模式的應(yīng)用價(jià)值出發(fā),深入解析驅(qū)動(dòng)IC的非PWM工作模式,厘清不同模式的適用邊界。
在工業(yè)控制、新能源汽車(chē)、醫(yī)療電子等精密電子系統(tǒng)中,隔離式ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)信號(hào)鏈?zhǔn)菍?shí)現(xiàn)模擬信號(hào)精準(zhǔn)采集與隔離傳輸?shù)暮诵沫h(huán)節(jié)。然而,電磁干擾(EMI)作為影響信號(hào)鏈性能的關(guān)鍵因素,不僅會(huì)導(dǎo)致采樣精度下降、數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,還可能干擾周邊電子設(shè)備的正常工作。因此,開(kāi)展隔離式ADC信號(hào)鏈的低EMI設(shè)計(jì),對(duì)提升系統(tǒng)可靠性與穩(wěn)定性具有重要現(xiàn)實(shí)意義。本文將從EMI產(chǎn)生機(jī)理出發(fā),結(jié)合信號(hào)鏈各組成部分的特性,探討低EMI設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)與實(shí)現(xiàn)方案。
在精密電子系統(tǒng)中,數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)作為模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的核心接口部件,其工作穩(wěn)定性直接決定系統(tǒng)整體性能。電流輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器(CO-DAC)因驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、通信系統(tǒng)等領(lǐng)域。然而,CO-DAC在高分辨率、高轉(zhuǎn)換速率工況下,往往伴隨顯著的功率損耗,進(jìn)而引發(fā)芯片過(guò)熱問(wèn)題,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換精度下降、線性度惡化,甚至縮短器件使用壽命。動(dòng)態(tài)功率控制技術(shù)通過(guò)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)CO-DAC的工作功耗,實(shí)現(xiàn)熱損耗與性能需求的動(dòng)態(tài)平衡,為解決過(guò)熱問(wèn)題提供了高效可行的方案。
在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)方式直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠性與安全性。高端驅(qū)動(dòng)與低端驅(qū)動(dòng)作為兩種核心的MOS管控制架構(gòu),其本質(zhì)差異源于開(kāi)關(guān)元件在電路中的位置布局,這一差異進(jìn)一步衍生出驅(qū)動(dòng)原理、性能特性與應(yīng)用場(chǎng)景的顯著區(qū)別。本文將從核心定義出發(fā),深入剖析兩者的技術(shù)特性、選型邏輯與實(shí)踐要點(diǎn),為電路設(shè)計(jì)提供參考。
在智能制造領(lǐng)域,工業(yè)機(jī)器人視覺(jué)伺服系統(tǒng)通過(guò)融合視覺(jué)感知與機(jī)械控制,實(shí)現(xiàn)了高精度、自適應(yīng)的自動(dòng)化操作。其核心技術(shù)在于建立像素坐標(biāo)系與機(jī)器人基坐標(biāo)系之間的精確映射關(guān)系,而這一過(guò)程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)正是手眼標(biāo)定與坐標(biāo)轉(zhuǎn)換。
在工業(yè)設(shè)備預(yù)測(cè)性維護(hù)場(chǎng)景中,聲紋識(shí)別技術(shù)通過(guò)分析設(shè)備運(yùn)行噪聲中的異常特征,可提前3-7天預(yù)警軸承磨損、齒輪斷裂等故障。然而,工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)存在強(qiáng)電磁干擾、多源噪聲耦合等復(fù)雜環(huán)境,對(duì)硬件系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性、抗噪性與可靠性提出嚴(yán)苛要求。本文從深度學(xué)習(xí)模型部署需求出發(fā),提出一套覆蓋前端采集、邊緣計(jì)算與云端協(xié)同的硬件適配方案。
在智能倉(cāng)儲(chǔ)管理中,RFID(射頻識(shí)別)技術(shù)憑借其非接觸式識(shí)別、多標(biāo)簽同步處理等特性,成為物資追蹤與定位的核心工具。然而,復(fù)雜倉(cāng)儲(chǔ)環(huán)境中的多徑效應(yīng)、信號(hào)干擾等問(wèn)題,導(dǎo)致RSSI(接收信號(hào)強(qiáng)度指示)值波動(dòng)顯著,直接影響三角定位精度。本文從RSSI濾波算法優(yōu)化與三角定位模型改進(jìn)兩個(gè)維度,探討智能倉(cāng)儲(chǔ)場(chǎng)景下的高精度定位實(shí)現(xiàn)路徑。