介紹了主變中性點(diǎn)間隙零序保護(hù)的原理 ,并結(jié)合實(shí)際工程案例詳細(xì)分析了其對(duì)小電源跳閘的影響 。首先闡述了間隙零序保護(hù)是變壓器中性點(diǎn)經(jīng)間隙接地運(yùn)行時(shí)的接地故障后備保護(hù);然后以某光伏項(xiàng)目為例 ,進(jìn)一步分析了主變零序間隙保護(hù)切小電源的具體要求;此外 ,深入剖析了該保護(hù)機(jī)制的邏輯關(guān)系 , 通過(guò)案例分析揭示了不同故障場(chǎng)景下保護(hù)切小電源的動(dòng)作邏輯以及單相故障時(shí)間隙電壓保護(hù)與間隙電流保護(hù)之間的關(guān)系。總體而言 ,研究成果對(duì)理解和優(yōu)化主變中性點(diǎn)間隙零序保護(hù)在實(shí)際工程中的應(yīng)用具有重要的理論與實(shí)踐意義。
某35 kv變電站在實(shí)施線變組接線改造后 , 負(fù)荷投運(yùn)階段出現(xiàn)差動(dòng)保護(hù)差流異?,F(xiàn)象 。經(jīng)全面排查 ,確認(rèn)故障原因?yàn)槭┕み^(guò)程中變壓器高、低壓側(cè)A/C相序反接 ,導(dǎo)致實(shí)際連接組別由設(shè)計(jì)要求的yd11變?yōu)閥d1。現(xiàn)系統(tǒng)闡述故障診斷過(guò)程 ,通過(guò)相量分析與現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)相結(jié)合的方法 ,揭示了相序錯(cuò)接對(duì)保護(hù)系統(tǒng)的深層影響機(jī)制 ,并提出包含臨時(shí)處置措施與永久解決方案的系統(tǒng)性處理策略。
電氣設(shè)計(jì)領(lǐng)域常用的圖紙包括電氣原理圖、電器元件布置圖、電氣安裝接線圖以及二次電路圖。這些圖紙的繪制需遵循一定的原則和要求,以確保圖紙的準(zhǔn)確性和實(shí)用性。
斷續(xù)導(dǎo)通模式(Discontinuous Conduction Mode, DCM)是開(kāi)關(guān)電源中電感電流在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)必然回落到零的工作狀態(tài)。其核心特征表現(xiàn)為電感電流波形呈現(xiàn)三角波形態(tài),且在電流歸零后形成死區(qū)時(shí)間,此時(shí)次級(jí)整流二極管截止,初級(jí)側(cè)可能出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。
電路板繪制經(jīng)驗(yàn)積累是印制板設(shè)計(jì)最基本、最重要的要求,準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)電原理圖的連接關(guān)系,避免出現(xiàn)“短路”和“斷路”這兩個(gè)簡(jiǎn)單而致命的錯(cuò)誤。
在現(xiàn)代電子設(shè)備高度集成的環(huán)境中,電磁干擾(EMI)已成為影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵因素。從手機(jī)通信到醫(yī)療設(shè)備,從工業(yè)控制到航空航天,電磁干擾無(wú)處不在,其影響不容忽視。
EMC嚴(yán)苛測(cè)試?是指對(duì)電子設(shè)備在極端電磁環(huán)境下的性能進(jìn)行全面檢測(cè),以確保其在復(fù)雜電磁環(huán)境中仍能正常工作,并且不會(huì)對(duì)其他設(shè)備造成干擾。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)法國(guó)數(shù)學(xué)家傅里葉在19世紀(jì)初提出"任何周期函數(shù)都能用正弦波疊加表示"時(shí),他或許未曾想到,這個(gè)最初用于熱傳導(dǎo)研究的數(shù)學(xué)工具,會(huì)成為現(xiàn)代數(shù)字世界的基石。從手機(jī)信號(hào)處理到醫(yī)學(xué)影像診斷。
電容是衡量電子設(shè)備中儲(chǔ)存電荷能力的物理量,國(guó)際單位是法拉(F)。