存儲(chǔ)器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量和性能提出了越來(lái)越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快、支持突發(fā)式讀寫及相對(duì)低廉的價(jià)格而得到了廣泛的應(yīng)用。SDRAM的控制比較復(fù)雜，其接口電路設(shè)計(jì)是關(guān)鍵。

　　本文首先介紹SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令;然后介紹接口電路對(duì)SDRAM的主要操作路徑及操作過(guò)程，應(yīng)用于解復(fù)用的SDRAM接口電路的設(shè)計(jì)方法;最后給出了實(shí)現(xiàn)結(jié)果。

　　1 SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令

　　SDRAM的主要控制信號(hào)為：

　　·CS：片選使能信號(hào)，低電平有效;

　　·RAS：行地址選通信號(hào)，低電平有效;

　　·CAS：列地址選通信號(hào)，低電平有效;

　　·WE：寫使能信號(hào)，低電平有效。

　　SDRAM的基本命令及主要控制信號(hào)見(jiàn)表1。

　　表1 SDRAM基本操作及控制信號(hào)

命    令    名    稱 CS RAS CAS WE
命令禁止（NOP:Command inhibit） H X X X
空操作（NOP：No operation） L H H H
激活操作（ACT：Select bank and active row） L L H H
讀操作（READ：Select bank and column,and start READ burst） L H L H
寫操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst） L H L L
突發(fā)操作停止（BTR：Burst terminate） L H H L
預(yù)充電（PRE：Deactive row in bank or banks） L L H L
自動(dòng)刷新或自我刷新（REF：Auto refresh or self refresh） L L L H
配置模式寄存器（LMR：Load mode register） L L L L

　　所有的操作控制信號(hào)、輸入輸出數(shù)據(jù)都與外部時(shí)鐘同步。

　　2 接口電路對(duì)SDRAM的主要操作路徑及操作過(guò)程

　　一個(gè)完備的SDRAM接口很復(fù)雜。由于本文的SDRAM接口應(yīng)用于解復(fù)用，處理的事件相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因而可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)而不影響性能。接口電路SDRAM的主要操作可以分為：初始化操作、讀操作、寫操作、自動(dòng)刷新操作。

　　(1)初始化操作

　　SDRAM上電一段時(shí)間后，經(jīng)過(guò)初始化操作才可以進(jìn)入正常工作過(guò)程。初始化主要完成預(yù)充電、自動(dòng)刷新模式寄存器的配置。操作過(guò)程如圖1所示。

　　(2)讀寫操作

　　讀寫操作主要完成與SDRAM的數(shù)據(jù)交換。讀操作過(guò)程如圖2所示，寫操作過(guò)程如圖3所示。

　　(3)刷新操作

　　動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM)都存在刷新問(wèn)題。這里主要采用自動(dòng)刷新方式，每隔一段時(shí)間向SDRAM發(fā)一條刷新命令。刷新過(guò)程如圖4所示。

　  
 　　3 接口電路的設(shè)計(jì)

　　(1)解復(fù)用電路

　　本解復(fù)用電路主要完成將1路高速數(shù)據(jù)流解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，其結(jié)構(gòu)框圖如圖5所示。1路數(shù)據(jù)流進(jìn)入解復(fù)用器后，經(jīng)過(guò)SDRAM緩沖，解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流。

　　由于要解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，為了充分利用時(shí)隙，滿足高速的要求，采用4個(gè)bank的SDRAM，各路數(shù)據(jù)緩沖對(duì)應(yīng)不同的bank。為簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)流1的緩沖區(qū)定為bank0，數(shù)據(jù)流2的緩沖區(qū)定為bank1，數(shù)據(jù)流3的緩沖區(qū)定為bank2數(shù)據(jù)流4的緩沖區(qū)定為bank3。對(duì)于每路數(shù)據(jù)實(shí)際上是以高速率集中寫入，然后以低速率均勻讀出。

　　由于進(jìn)行的是解復(fù)用，因此寫入的數(shù)據(jù)只有1路，但是有可能4路數(shù)據(jù)同時(shí)都要讀出。所以對(duì)于4路數(shù)據(jù)流，其讀寫地址和讀寫使能信號(hào)是分開的。

　　(2)SDRAM接口電路的時(shí)序控制

　　高速數(shù)據(jù)流的速率為3M字節(jié)/秒，采用的系統(tǒng)時(shí)鐘為20倍的字節(jié)時(shí)鐘。送入SDRAM的時(shí)鐘為60MHz系統(tǒng)時(shí)鐘。在一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘內(nèi)對(duì)SDRAM的操作最多有5次(1次讀，4次寫)，而且為了滿足刷新的要求，每個(gè)字節(jié)時(shí)鐘進(jìn)行一次刷新操作。根據(jù)SDRAM的時(shí)序要求，這樣的操作是難以實(shí)現(xiàn)的。因而要通過(guò)多bank操作，盡量做到時(shí)分復(fù)用來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖6給出了在一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期的內(nèi)數(shù)據(jù)流1進(jìn)行讀寫操作，其它3路數(shù)據(jù)進(jìn)行讀操作的命令排序時(shí)序圖?？梢钥闯鐾ㄟ^(guò)多bank操作，時(shí)分復(fù)用，在20個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘節(jié)拍內(nèi)所需的讀寫操作命令剛好很緊湊地排開。

 　　一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘內(nèi)對(duì)SDRAM讀寫操作是隨機(jī)的，這與數(shù)據(jù)流的復(fù)用比例有在。為了滿足時(shí)序，根據(jù)上面的說(shuō)明，需要把一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)對(duì)SDRAM的命令合理排序，然后按照排好的順序執(zhí)行命令。這樣就需要把一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)對(duì)SDRAM的操作進(jìn)行緩存，然后在下一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行排序、與SDRAM命令相對(duì)應(yīng)、將命令譯碼產(chǎn)生相應(yīng)的控制信號(hào)線，完成操作。緩存排序過(guò)程如圖7所示。

　　(3)SDRAM接口電路

　　SDRAM接口電路中需要專門操作緩沖區(qū)存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)的操作，以備下一字節(jié)時(shí)鐘的排序。為了方便處理，對(duì)每路數(shù)據(jù)的緩沖操作內(nèi)容(或讀或?qū)?放在一個(gè)緩沖區(qū)。由于數(shù)據(jù)流的連續(xù)性，排序的同時(shí)仍然會(huì)有操作要求，因此每路的操作內(nèi)容緩沖區(qū)分為兩塊。對(duì)一塊緩沖區(qū)寫入時(shí)，讀出另一塊緩沖區(qū)中的操作內(nèi)容，進(jìn)行排序、譯碼、執(zhí)行。根據(jù)字節(jié)時(shí)鐘切換對(duì)緩沖區(qū)的讀寫，從而避免沖突。對(duì)于從SDRAM讀出的數(shù)據(jù)，每路數(shù)據(jù)寫入相應(yīng)的讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。同樣每路的讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)也分為兩塊，根據(jù)字節(jié)時(shí)鐘切換讀寫。

　　由于一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)，每路所需的操作最多有2次，每路的操作內(nèi)容緩沖區(qū)只需兩個(gè)單元(每個(gè)單元存儲(chǔ)了此次的讀寫使能信號(hào)、寫入數(shù)據(jù)、地址)即可。對(duì)于讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，由于一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘每路數(shù)據(jù)最多執(zhí)行一次讀操作，所以讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)只需要一個(gè)字節(jié)。這兩類緩沖區(qū)容量都小，因此人部用寄存器來(lái)實(shí)現(xiàn)，控制簡(jiǎn)單。

　　整個(gè)接口電路的結(jié)構(gòu)框圖如圖8所示。

　　4 SDRAM接口的實(shí)現(xiàn)結(jié)果

　　針對(duì)MT48LC8M8A2的SDRAM，采用同步設(shè)計(jì)方法，用Verilog HDL硬件描述語(yǔ)言建立模型，接口電路已經(jīng)調(diào)試通過(guò)，規(guī)模為2100門(NAND)。整個(gè)解復(fù)用電路也已經(jīng)調(diào)試通過(guò)。