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[導讀] 拉絲張力主要受拉絲爐溫控制,因此拉絲張力(F)可用拉絲溫度(T)表示為:  F=A+B/T (1)  式中A和B分別為表面張力和粘滯流動常數(shù)?! 〉遣A且环N近程有序、遠程無序的無定形“過冷液體”。玻璃的粘

 拉絲張力主要受拉絲爐溫控制,因此拉絲張力(F)可用拉絲溫度(T)表示為:

  F=A+B/T (1)

  式中A和B分別為表面張力和粘滯流動常數(shù)。

  但是玻璃是一種近程有序、遠程無序的無定形“過冷液體”。玻璃的粘度、離子擴散速度等一類性質,在高溫熔體冷卻過程中是逐漸變化的。在轉變溫度以下主要取決于玻璃網(wǎng)絡結構和網(wǎng)絡外離子的配位狀態(tài)的統(tǒng)計規(guī)則。光纖以非常高的冷卻速度(2000-8000℃/s)迅速從2000℃左右冷卻至室溫,使其高溫結構迅速凍結。熔體在冷卻過程中質點或原子團重新排列,玻璃結構也隨外界條件而變化,這就是拉絲張力對光纖性能起重大作用的根本原因。

  拉絲張力與光纖衰減的平衡點

  由于拉絲張力的大小是通過拉絲爐溫度來控制的,拉絲爐溫度越高,玻璃軟化程度越大,拉絲張力就越小。

  從圖1中可以看出,對于1310nm窗口衰減,隨著拉絲張力的增加,光纖的衰減會發(fā)生先降后升,呈拋物線形,而1550nm窗口處衰減在一點的拉絲張力范圍內(nèi)并沒有隨拉絲張力發(fā)生明顯變化的現(xiàn)象。

  


 

  這是由于在高溫下,容易誘發(fā)石英玻璃內(nèi)部點缺陷的形成,造成光纖衰減的增大。在高溫下,石英內(nèi)部容易發(fā)生下面的反應式(2):

  Si‑O‑Si+H2→Si‑O‑H+H‑O‑Si (2)

  Si‑O‑H的吸收峰正是在1380nm附近,這會帶動光纖在1310nm窗口處衰減一同增大。同時,拉絲過程是高溫預制棒體積急劇變化的過程,預制棒在高溫下經(jīng)過拉伸,其本身的化學鍵可能被破壞,且光纖又經(jīng)過迅速冷卻降溫,更容易造成光纖本身缺陷的增加和原有缺陷的發(fā)展,而這些缺陷會造成光纖瑞利散射衰減增大,溫度差越大,這種破壞越強。而瑞利散射是與波長的四次方成反比的,所以在1550nm處衰減隨溫度的變化沒有1310nm波長處明顯。

  隨著溫度的降低,上述兩種作用機制共同作用,使得光纖的衰減變小,但是隨著溫度的進一步降低,光纖所受的張力越來越大,材料的粘度分布將逐漸由均勻分布到不均勻分布。在此種條件下拉絲,會在石英材料中間形成不同程度的應力集中,這會抵消溫度降低帶來的光纖衰減減小的效果。如果進一步降低拉絲溫度,光纖中應力集中占到更重要因素,使得光纖的衰減重新增加。

  單模光纖的兩大重要性能

  截止波長和模場直徑是單模光纖的兩個極為重要的性能參數(shù),拉絲張力是拉絲工藝中重要的控制參數(shù)之一。

  截止波長指的是, 單模光纖通常存在某一波長,當所傳輸?shù)墓獠ㄩL超過該波長時,光纖只能傳播一種模式基模的光,這一波長便稱為截止波長。截止波長大小由光棒的結構參數(shù),如光纖的芯徑以及芯、包層間的相對折射率差△決定。模場直徑,因為單模光纖中關能量并不是完全集中在纖芯中, 而是有相當部分的能量存在包層中,所以對單模光纖不宜用芯徑作為其特征參數(shù),而是用模場直徑作為描述單模光纖中光能集中的范圍,一般以光強分布最大值的1/e2所對應的光斑大小作為模場直徑。拉絲張力為光纖成形區(qū)因石英粘度所產(chǎn)生的阻力與光纖涂覆時所受的阻力之和。拉絲張力是由加熱爐工作溫度和拉絲速度共同決定的。

  溫度是光纖特性改變的關鍵

  截止波長的理論計算公式為:

  λc=2πα(n12-n22)1/2 / 2.405 (3)

  其中,α為纖芯半徑,n1為芯層折射率,n2為包層折射率。由公式可以看出,λc由α、n1 和n2 決定,通常α和n2 在拉絲中是不會變化的。然后當加熱爐的工作溫度變化時,光纖纖芯的折射率n1也會隨之改變。在拉絲生產(chǎn)中,通常根據(jù)拉絲張力來確定加熱爐工作溫度,從而改變纖芯折射率n1 的分布,使 n12-n22 在一定范圍內(nèi)變化,進而改變光纖截止波長和模場直徑。

  為增大拉絲張力,加熱爐功率減小,爐內(nèi)溫度降低,同時拉絲過程中,光棒芯層中的GeO2存在以下熱分解平衡:

  GeO2=GeO+1/2O2 (4)

  當溫度降低時,以上化學反應向左移動,造成GeO2的濃度增加,由于GeO2的折射率大于GeO的折射率,所以芯層折射率n1增大,由截止波長計算公式(3)可知芯層折射率n1增大,截止波長增大。同理,當拉絲張力減小時,加熱爐內(nèi)溫度升高,以上分解反應向右移動,使GeO2的濃度減小,芯層折射率n1減小,故截止波長減小。

  通過以上分析可知,在拉絲過程中張力增大,必須使加熱爐內(nèi)溫度降低,從而使得光棒芯層中存在的熱分解化學反應向左移動,造成GeO2的濃度增大,由于的GeO2折射率大于GeO的折射率,所以芯層折射率n1增大,同時由于包層折射率n2在拉絲中是不變量,所以芯層、包層折射率差Δn=n1-n2增大,因此折射至包層匯總的光能量減少,集中在纖芯中的光能量增強,纖芯中心所對應的光強最大值增大,即光斑的大小—模場直徑減小。反之,升高拉絲爐溫使得拉絲張力減小,上面的反應式向右方向移動,芯層折射率就會變小,相對折射率差也變小,折射到包層中的光能量會增加,這樣模場直徑就會變大。

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