引言

　　當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊設(shè)計(jì)是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR Flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫(xiě)入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常用于程序代碼的存儲(chǔ)。與NOR相比,NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)是容量大,但其速度較慢,因?yàn)樗腎/O端口只有8或16個(gè),要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就必須讓這些信號(hào)輪流傳送。NAND型Flash具有極高的單元密度,容量可以比較大,價(jià)格相對(duì)便宜。

　　本文以三星公司的 K9F2808UOB芯片為例,介紹了NAND Flash的接口電路與驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方法。文中介紹了開(kāi)發(fā)NAND Flash驅(qū)動(dòng)基本原理，意在簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程。

　　1 NAND Flash工作原理

　　S3C2410板的NAND Flash支持由兩部分組成：集成在S3C2410 CPU上的NAND Flash控制器

　　和NAND Flash存儲(chǔ)芯片。要訪問(wèn)NAND Flash中的數(shù)據(jù),必須通過(guò)NAND Flash控制器發(fā)送命令才能完成。所以, NAND Flash相當(dāng)于S3C2410的一個(gè)外設(shè),并不位于它的內(nèi)存地址區(qū)。

　　1.1 芯片內(nèi)部存儲(chǔ)布局及存儲(chǔ)操作特點(diǎn)

　　一片NAND Flash為一個(gè)設(shè)備, 其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分層為：1設(shè)備=4 096塊；1塊=32頁(yè);1頁(yè)=528字節(jié)=數(shù)據(jù)塊大小(512字節(jié))+OOB塊大小(16字節(jié))。在每一頁(yè)中，最后16字節(jié)（又稱OOB，Out?of?Band）用于NAND Flash命令執(zhí)行完后設(shè)置狀態(tài)用，剩余512字節(jié)又分為前半部分和后半部分。可以通過(guò)NAND Flash命令00h/01h/50h分別對(duì)前半部、后半部、OOB進(jìn)行定位，通過(guò)NAND Flash內(nèi)置的指針指向各自的首地址。

　　存儲(chǔ)操作特點(diǎn)有： 擦除操作的最小單位是塊；NAND Flash芯片每一位只能從1變?yōu)?，而不能從0變?yōu)?，所以在對(duì)其進(jìn)行寫(xiě)入操作之前一定要將相應(yīng)塊擦除(擦除即是將相應(yīng)塊的位全部變?yōu)?)；OOB部分的第6字節(jié)(即517字節(jié))標(biāo)志是否是壞塊，值為FF時(shí)不是壞塊，否則為壞塊。除OOB第6字節(jié)外，通常至少把OOB的前3字節(jié)用來(lái)存放NAND Flash硬件ECC碼。

　　1.2 NAND Flash接口電路

　　首先介紹開(kāi)發(fā)板的硬件設(shè)計(jì)，圖1為NAND Flash接口電路。其中開(kāi)關(guān)SW的1、2連接時(shí)R/B表示準(zhǔn)備好/忙，2、3連接時(shí)nWAIT可用于增加讀/寫(xiě)訪問(wèn)的額外等待周期。在S3C2410處理器中已經(jīng)集成了NAND Flash控制器，圖2為微控制器與NAND Flash連接的方式。

　　圖1 NAND Flash接口電路

　　1.3 控制器工作原理

　　NAND Flash控制器在其專用寄存器區(qū)(SFR)地址空間中映射有屬于自己的特殊功能寄存器，就是通過(guò)將NAND Flash芯片的內(nèi)設(shè)命令寫(xiě)到其特殊功能寄存器中，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND Flash芯片讀、檢驗(yàn)和編程控制。特殊功能寄存器有：NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT、NFECC。

　　圖2 NAND Flash與S3C2410連接電路

　　2 Flash燒寫(xiě)程序原理及結(jié)構(gòu)

　　基本原理：將在SDRAM中的一段存儲(chǔ)區(qū)域中的數(shù)據(jù)寫(xiě)到NAND Flash存儲(chǔ)空間中。燒寫(xiě)程序在縱向上分三層完成。第一層: 主燒寫(xiě)函數(shù)，將SDRAM中一段存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)據(jù)寫(xiě)到NAND Flash存儲(chǔ)空間中。第二層: 該層提供對(duì)NAND Flash進(jìn)行操作的頁(yè)讀、寫(xiě)及塊擦除等函數(shù)。第三層：為第二層提供具體NAND Flash控制器中對(duì)特殊功能寄存器進(jìn)行操作的核心函數(shù)，該層也是真正將數(shù)據(jù)在SDRAM和NAND Flash之間實(shí)現(xiàn)傳送的函數(shù)。其中第二層為驅(qū)動(dòng)程序的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所在，下面對(duì)該層的讀、寫(xiě)(又稱編程)、擦除功能編碼進(jìn)行詳細(xì)介紹。

　　2.1 NAND Flash Read

　　功能：讀數(shù)據(jù)操作以頁(yè)為單位,讀數(shù)據(jù)時(shí)首先寫(xiě)入讀數(shù)據(jù)命令00H,然后輸入要讀取頁(yè)的地址,接著從數(shù)據(jù)寄存器中讀取數(shù)據(jù),最后進(jìn)行ECC校驗(yàn)。

　　參數(shù)說(shuō)明：block，塊號(hào)；page，頁(yè)號(hào)；buffer，指向?qū)⒁x取到內(nèi)存中的起始位置；返回值1，讀成功，返回值0：讀失敗。

　　static int NF_ReadPage(unsigned int block, unsigned int page, unsigned char *buffer){

　　NF_RSTECC(); /* 初始化 ECC */

　　NF_nFCE_L(); /* 片選NAND Flash芯片*/

　　NF_CMD(0x00); /* 從A區(qū)開(kāi)始讀 *//* A0~A7(列地址) */

　　NF_ADDR(0); /* A9A16(頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR(blockPage&0xff); /* A17A24,(頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);/* A25, (頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);/* 等待NAND Flash處于再準(zhǔn)備狀態(tài) */

　　ReadPage();/* 讀整個(gè)頁(yè), 512字節(jié) */

　　ReadECC();/* 讀取ECC碼 */

　　ReadOOB();/* 讀取該頁(yè)的OOB塊 *//* 取消NAND Flash 選中*/

　　NF_nFCE_H();/* 校驗(yàn)ECC碼, 并返回 */

　　Return (checkEcc())}

　　2.2 NAND Flash Program

　　功能：對(duì)頁(yè)進(jìn)行編程命令, 用于寫(xiě)操作。

　　命令代碼：首先寫(xiě)入00h(A區(qū))/01h(B區(qū))/05h(C區(qū)), 表示寫(xiě)入那個(gè)區(qū); 再寫(xiě)入80h開(kāi)始編程模式(寫(xiě)入模式)，接下來(lái)寫(xiě)入地址和數(shù)據(jù); 最后寫(xiě)入10h表示編程結(jié)束。圖3為程序流程圖。

　　圖3 寫(xiě)程序流程

　　參數(shù)說(shuō)明：block，塊號(hào)；page，頁(yè)號(hào)；buffer，指向內(nèi)存中待寫(xiě)入NAND Flash中的數(shù)據(jù)起始位置；返回值0，寫(xiě)錯(cuò)誤，返回值1，寫(xiě)成功。

　　static int NF_WritePage(unsigned int block, unsigned int page, unsigned char *buffer){

　　NF_RSTECC(); /* 初始化 ECC */

　　NF_nFCE_L(); /* 片選NAND Flash芯片*/

　　NF_CMD(0x0); /* 從A區(qū)開(kāi)始寫(xiě) */

　　NF_CMD(0x80); /* 寫(xiě)第一條命令 *//* A0~A7(列地址) */

　　NF_ADDR(0);/* A9A16(頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR(blockPage&0xff);/* A17A24(頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff); /* A25(頁(yè)地址) */

　　NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);/* 寫(xiě)頁(yè)為512B到NAND Flash芯片 */

　　WRDATA(); /*OOB一共16字節(jié)，每一個(gè)字節(jié)存放什么由程序員自己定義, 在Byte0 Byte2存ECC檢驗(yàn)碼，Byte6 存放壞塊標(biāo)志*/

　　WRDATA(); /* 寫(xiě)該頁(yè)的OOB數(shù)據(jù)塊 */

　　CMD(0x10); /* 結(jié)束寫(xiě)命令 */

　　WAITRB();/* 等待NAND Flash處于準(zhǔn)備狀態(tài) *//* 發(fā)送讀狀態(tài)命令給NAND Flash */

　　CMD(0x70);

　　if (RDDATA()&0x1) { /*如果寫(xiě)有錯(cuò), 則標(biāo)示為壞塊,取消NAND Flash 選中*/

　　MarkBadBlock(block);

　　return 0;

　　} else { /* 正常退出， 取消NAND Flash 選中*/

　　return 1;}

　　2.3 NAND Flash Erase

　　功能：塊擦除命令。

　　命令代碼：首先寫(xiě)入60h進(jìn)入擦寫(xiě)模式，然后輸入塊地址，接下來(lái)寫(xiě)入D0h, 表示擦寫(xiě)結(jié)束。

　　參數(shù)說(shuō)明：block，塊號(hào)；返回值0，擦除錯(cuò)誤（若是壞塊直接返回0；若擦除出現(xiàn)錯(cuò)誤則標(biāo)記為壞塊然后返回0），返回值1，成功擦除。

　　static int NF_EraseBlock(unsigned int block){/* 如果該塊是壞塊, 則返回 */

　　if(NF_IsBadBlock(block)) return 0;

　　NF_nFCE_L(); /* 片選NAND Flash芯片*/

　　NF_CMD(0x60); /* 設(shè)置擦寫(xiě)模式 *//* A9A16(Page Address) , 是基于塊擦除*/

　　NF_ADDR(blockPage&0xff);

　　NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff); /* A25(Page Address) */

　　NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff); NF_CMD(0xd0); WAITRB();CMD(0x70);

　　if(RDDATA()&0x1){/*如有錯(cuò),標(biāo)為壞塊,取消Flash選中*/

　　MarkBadBlock(block);

　　return 0;

　　} else { /* 退出， 取消Flash 選中*/

　　return 1;}

　　3 ECC校檢原理與實(shí)現(xiàn)

　　由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此在NAND的生產(chǎn)及使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生壞塊。為了檢測(cè)數(shù)據(jù)的可靠性，在應(yīng)用NAND Flash的系統(tǒng)中一般都會(huì)采用一定的壞區(qū)管理策略，而管理壞區(qū)的前提是能比較可靠地進(jìn)行壞區(qū)檢測(cè)。如果操作時(shí)序和電路穩(wěn)定性不存在問(wèn)題的話，NAND Flash出錯(cuò)的時(shí)候一般不會(huì)造成整個(gè)塊或是頁(yè)不能讀取或全部出錯(cuò)，而是整個(gè)頁(yè)（例如512字節(jié)）中只有一位或幾位出錯(cuò)。對(duì)數(shù)據(jù)的校驗(yàn)常用的有奇偶校驗(yàn)、CRC校驗(yàn)等，而在NAND Flash處理中，一般使用一種專用的校驗(yàn)——ECC。ECC能糾正單位錯(cuò)誤和檢測(cè)雙位錯(cuò)誤，而且計(jì)算速度很快，但對(duì)1位以上的錯(cuò)誤無(wú)法糾正，對(duì)2位以上的錯(cuò)誤不保證能檢測(cè)。ECC一般每256字節(jié)原始數(shù)據(jù)生成3字節(jié)ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，這3字節(jié)共24位分成兩部分：6位的列校驗(yàn)和16位的行校驗(yàn)，多余的2位置1，如表1所列。

　　表1 校檢數(shù)據(jù)組成

　　首先介紹ECC的列校檢。ECC的列校驗(yàn)和生成規(guī)則如圖4所示，“^”表示“位異或”操作。由于篇幅關(guān)系，行校檢不作介紹，感興趣的讀者可以參考芯片datasheet，在三星公司網(wǎng)站可以免費(fèi)下載。

　　圖4 列校驗(yàn)和生成規(guī)則

　　數(shù)學(xué)表達(dá)式為：

　　當(dāng)向NAND Flash的頁(yè)中寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，每256字節(jié)生成一個(gè)ECC校驗(yàn)和，稱之為原ECC校驗(yàn)和，保存到頁(yè)的OOB數(shù)據(jù)區(qū)中。當(dāng)從NAND Flash中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，每256字節(jié)生成一個(gè)ECC校驗(yàn)和，稱之為新ECC校驗(yàn)和。校驗(yàn)的時(shí)候，根據(jù)上述ECC生成原理不難推斷：將從OOB區(qū)中讀出的原ECC校驗(yàn)和與新ECC校驗(yàn)和按位異或，若結(jié)果為0，則表示無(wú)錯(cuò)（或者出現(xiàn)了 ECC無(wú)法檢測(cè)的錯(cuò)誤）；若3字節(jié)異或結(jié)果中存在11位為1，表示存在一個(gè)位錯(cuò)誤，且可糾正；若3個(gè)字節(jié)異或結(jié)果中只存在1位為1，表示 OOB區(qū)出錯(cuò)；其他情況均表示出現(xiàn)了無(wú)法糾正的錯(cuò)誤。

　　4 UBOOT下功能驗(yàn)證

　　實(shí)現(xiàn)UBOOT對(duì)NAND Flash的支持主要是在命令行下實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND Flash的操作。對(duì)NAND Flash實(shí)現(xiàn)的命令為：nand info、nand device、nand read、nand write、nand erease、nand bad。用到的主要數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)有：struct nand_flash_dev和struct nand_chip，前者包括主要的芯片型號(hào)、存儲(chǔ)容量、設(shè)備ID、I/O總線寬度等信息，后者是對(duì)NAND Flash進(jìn)行具體操作時(shí)用到的信息。由于將驅(qū)動(dòng)移植到UBoot的方法不是本文重點(diǎn)，故不作詳細(xì)介紹。

　　驗(yàn)證方式：通過(guò)TFTP將數(shù)據(jù)下載到SDRAM中，利用nand read、nand write、nand erease三個(gè)命令對(duì)NAND Flash進(jìn)行讀、編程、擦寫(xiě)測(cè)試。測(cè)試結(jié)果如表2所列。和datasheet中數(shù)據(jù)對(duì)比，可以得出結(jié)論，驅(qū)動(dòng)在系統(tǒng)中運(yùn)行良好。

　　表2 測(cè)試結(jié)果

　　結(jié)語(yǔ)

現(xiàn)在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而存儲(chǔ)器件又是嵌入式系統(tǒng)必不可少的一部分，NAND Flash在不超過(guò)4 GB容量的需求下，較其他存儲(chǔ)器件優(yōu)勢(shì)明顯。本文