我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX 鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到(通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級)。

除了共振頻率的設備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型的220UF 10V 規(guī)格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。

在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線前，我們必需對以下兩個基本概念有所認識：

額定容量(CR)

這是額定電容。對于鉭OxiCap?電容器的電容測量是在25° C 時等效串聯(lián)電路使用測量電橋提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，諧波與2.2Vd.c.

電容公差

這是實際值的允許偏差電容額定值。

AVX 鉭電容的溫度特征。

鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。

損耗角正切(TAN)。

這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS(90 - )是真正的功率因數(shù)。 “使用測量進行測量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號。

耗散與溫度的關(guān)系

耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。

耗散因數(shù)測量的切線損耗角(TAN)，以百分比表示。測量DF 是開展測量橋梁供應一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，免費諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。注意：對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。

耗散因數(shù)的頻率依賴性

隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗(Z)。

這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗;半導體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.

AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR.

阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，

粘性勢力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性。

ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz 的(和超越電容的諧振點)阻抗再次增加由于電感，電容的。

典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。

AVX 代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個6 伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體二氧化錳有自愈能力。

然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/ V.如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數(shù)高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A 系列組合應被用來增加工作電壓的等效電容器：

例如，兩個22μF25V 系列部分相當于一個11μF50V 的一部分。

是指電容在很短的時間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC 國家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內(nèi)可達到高達10 倍額度電壓并高達30 秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設計的依據(jù)，在正常運行過程中，電容應定期充電和放電。

不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR,浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

鉭電容的反向電壓

AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴格的限制的，具體如下：

在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓

在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓

在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓

反向電壓值均以鉭電容在任何時間上的最高電壓值為準。這些限制是假設鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會導致兩極分化，將導致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應用電壓可能會出現(xiàn)兩個類似的電容應采用與負端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個標稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標稱值。反向電壓等級的設計蓋小級別游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

鉭電容的疊加交流電壓(Vr.m.s.)------又稱紋波電壓

這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個特區(qū)電壓，可應用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓。

鉭電容的成型電壓。

這是在陽極氧化形成的電壓。 ”這個氧化層的厚度是形成電壓成正比一個電容器，并在設置額定電壓的一個因素。