網絡通信、數據通信和工業(yè)電源正推動功率密度增加，而這正是云和5G計算所需。碳化硅（SiC）二極管用于功率因數校正（PFC）級，而氮化鎵（GaN）/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級的選項。

如今的設計人員都致力于符合80Plus Titanium標準，以及提高功率密度。標準密度為大約5到15個2到4千瓦的1單元服務器。而實際上，我們正在推進突破極限，邁向4到6個刀片服務器的超高密度，這些是15到30千瓦的可交換服務器。這些趨勢、功率水平和能效都在推進服務器和工業(yè)電源市場。

當我們深入探討服務器和工業(yè)電源拓撲結構，我們會發(fā)現，SiC用于PFC級的優(yōu)點包括：達98%的更高能效，更高頻率，更高功率密度，雙向電力流向，以及更少器件數。

安森美半導體擁有很廣泛的產品陣容
從二極管到MOSFET。我們的二極管包括650V和1200V，通孔，表面貼裝，裸片和模塊；我們已推出的MOSFET有1200V和900V，不久還要推出650V。

我們的所有產品，都有很高的質量和可靠性水平，并會進行AEC-Q101測試。