從業(yè)界獲悉，知名3C配件品牌ROCK（洛克）發(fā)布了首款內置“中國芯”氮化鎵快充充電器，該款充電器具有體積小巧、高效率、發(fā)熱低等特點，其中的“中國芯”來自英諾賽科的“InnoGaN”系列功率芯片。

這標志著“中國芯”氮化鎵正式應用于消費類電源產(chǎn)品，打響了“中國芯”氮化鎵快充商用的第一槍，引發(fā)業(yè)內人士高度關注。

首款“中國芯”氮化鎵快充

據(jù)了解，ROCK（洛克）本次發(fā)布的“中國芯”氮化鎵快充支持最大65W輸出，并配備了兩個USB-C接口和一個USB-A接口，兼容PD3.0（PPS）、PD2.0、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP、Apple 2.4A等多種協(xié)議；不僅可以給手機、筆記本電腦等設備快充，而且還可同時給三臺設備充電，功能全面。

同時得益于氮化鎵功率芯片的采用，ROCK這款65W 2C1A充電器的體積較常規(guī)產(chǎn)品有明顯優(yōu)勢，搭配可折疊的插腳，非常便攜。通過與蘋果61W PD充電器對比，可見ROCK的接口更多，體積也更小。

值得一提的是，ROCK還與英諾賽科緊密合作，后續(xù)將基于“InnoGaN”開發(fā)100W、120W等大功率USB PD快充產(chǎn)品，加速第三代半導體在消費類電源市場的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應用。

ROCK 65W 2C1A氮化鎵充電器的核心器件為英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片。該功率芯片擁有超高的工作頻率，符合JEDEC標準的工業(yè)應用要求；同時采用DFN8x8封裝，降低熱阻，非常適用于高功率密度高效率開關電源的開發(fā)。

當前市場上氮化鎵快充電源主要采用650V氮化鎵功率芯片（GaNFET）作為功率開關，應用氮化鎵高頻特性，使得終端快充產(chǎn)品體積更小，效率更高。

快充市場前景巨大

預計隨著用戶對便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達到600多億元，同時加速GaN芯片在其它新興領域對Si基產(chǎn)品的替代。

行業(yè)報告顯示，手機廠商也在積極入局氮化鎵快充市場，其中華為、小米、OPPO、realme、三星、努比亞、魅族等知名手機企業(yè)已經(jīng)先后發(fā)布和推出了基于手機、筆記本電腦快充的氮化鎵充電器。

隨著USB PD&Type-C市場的快速發(fā)展，氮化鎵功率器件憑借其高頻低阻、高導熱、耐高溫等特點，逐漸成為消費類電源市場的全新發(fā)展方向。

自2019年以來，各大手機品牌及電商品牌先后推出數(shù)十款內置氮化鎵功率器件的快充產(chǎn)品，受到了廣大消費者的追捧和喜愛。而在氮化鎵快充成為未來充電市場主要趨勢的同時，市場爭奪戰(zhàn)也已經(jīng)全面打響。

2019年，作為3C配件市場發(fā)展風向標的香港電子展，我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢頭：2019年4月份春節(jié)展，8款氮化鎵充電器新品參展；而到了10月份秋季展，氮化鎵充電器新品多達56款，不到一年增長近7倍。

同時，在前不久剛剛結束的美國CES展會上，參展的氮化鎵充電器數(shù)量也已經(jīng)多達66款，涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個功率段，以及全新品類超級擴展塢，全面滿足手機、平板、筆電的充電需求。

國產(chǎn)品牌異軍突起

目前，對比傳統(tǒng)的MOSFET 產(chǎn)品，GaNFET由于采用異質外延材料，在設計及制造工藝上都有極大的挑戰(zhàn)，全球范圍內成熟的可量產(chǎn)的GaN產(chǎn)線十分有限。

全球氮化鎵快充背后的功率芯片技術掌握在三大主要供貨廠家手上，其中英諾賽科是唯一上榜的國產(chǎn)硅基氮化鎵廠商。

在當前中美貿易摩擦的大背景下，自主創(chuàng)新第三代半導體芯片避免關鍵技術被掐脖子，獲得了許多廠商的關注，業(yè)界對其發(fā)展?jié)摿κ挚春谩?/p>

目前在快充領域已有超過10家企業(yè)基于英諾賽科氮化鎵芯片成功開發(fā)出快充產(chǎn)品并實現(xiàn)量產(chǎn)。此前市面上在售的氮化鎵快充充電器均基于進口芯片開發(fā)，英諾賽科“InnoGaN”系列氮化鎵芯片的成功商用，標志著國產(chǎn)氮化鎵技術已經(jīng)成熟，也正式打破了氮化鎵功率器完全依賴進口的局面。

作為國內首家硅基氮化鎵廠商，英諾賽科采用IDM商業(yè)模式（IDM: Integrated Design Manufacturer，集成設計制造商，既有IC設計能力也有IC制造能力的公司），涵蓋研發(fā)、設計、生產(chǎn)、測試、銷售、市場、技術支持等各個環(huán)節(jié)；公司在珠海和蘇州建有兩個8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋40V-650V的全系列氮化鎵芯片，自有失效分析和可靠性實驗室，其在工藝先進性、產(chǎn)品覆蓋面以及產(chǎn)能布局等核心方面都具有極大的優(yōu)勢。

同時，借助IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，及8英寸的生產(chǎn)加工工藝，英諾賽科“InnoGaN”系列對成本的控制也有著無可比擬的優(yōu)勢，這有利于促進了氮化鎵快充產(chǎn)品的平民化，加速第三代半導體的大面積商用普及。在未來的市場爭奪戰(zhàn)中，英諾賽科無疑是一位頗具實力的選手。

總結

2020年USB PD快充在手機、筆記本電腦、平板電腦、汽車、生活家電等領域的滲透率已經(jīng)呈現(xiàn)出復合級增長趨勢，USB-C接口的普及，讓原本復雜、繁瑣的充電接口趨于統(tǒng)一。

生活中高頻使用的手機、平板電腦、筆記本電腦三件套，原本出差需要攜帶三個充電器，現(xiàn)在一顆2C1A、2C2A的多口大功率快充就能滿足用戶所需。

除了筆電市場充電技術的更新?lián)Q代，5G商用臨近，讓手機續(xù)航、充電面臨新的挑戰(zhàn)。當前手機電池技術沒有重大突破，遇到高速網(wǎng)絡、視頻游戲等沉浸應用，續(xù)航成為制約手機使用時長的瓶頸。

這時采用全新氮化鎵技術方案的有線快充，能夠利用碎片化時間迅速補充電量，被市場極度看好和重視，現(xiàn)如今成為手機的重要賣點之一。

近1-2年內，氮化鎵快充會與基于傳統(tǒng)的硅功率器件開發(fā)的快充共存，而未來3-5年，氮化鎵器件市場的占比將會逐步擴大，這主要得益于其自身成本的不斷降低和電源解決方案的高頻化。第三代寬禁帶半導體器件的大面積應用即將到來，我們有幸得以見證這一刻的到來。​​​​​