中芯國(guó)際接連取得突破，打破西方光刻機(jī)封鎖!在我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，一直存在著一個(gè)重大問(wèn)題，那就是我國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的精度僅為90nm，90nm精度的光刻機(jī)與最熱門的7nmEUV工藝相比，90nm光刻機(jī)做出來(lái)的芯片在功耗和性能上有很大差別。90nm精度的光刻機(jī)沒有辦法制作手機(jī)芯片，只能制造電視芯片或者一些比較低端的智能設(shè)備芯片。

當(dāng)然了，相比于荷蘭ASML公司領(lǐng)先世界的7nmEUV工藝，我國(guó)還需要更加努力，并且83nm的差距也不是一兩年就能追平的，但在我國(guó)眾多科技公司的努力下，西方國(guó)家的封鎖將持續(xù)不了多久了。

為什么這么說(shuō)呢?原來(lái)，近段時(shí)間中科院放出了一條消息，那就是我國(guó)多個(gè)科技公司和中科院聯(lián)合研發(fā)出了一款22nm分辨率的光刻機(jī)，該光刻機(jī)一旦實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，我國(guó)就能夠追回10年的差距。據(jù)透露，目前這款光刻機(jī)還處于實(shí)驗(yàn)測(cè)試階段，我國(guó)正加大對(duì)光刻機(jī)的研發(fā)投入。

在中科院傳來(lái)好消息的同時(shí)，另一邊，中國(guó)的芯片“巨頭”中芯國(guó)際也傳來(lái)好消息。據(jù)中芯國(guó)際CEO梁孟松介紹，中芯國(guó)際目前已經(jīng)成功研發(fā)出了N+1工藝，說(shuō)起這種工藝，就大有看頭了，因?yàn)榕c之前的14nm工藝相比，N+1工藝下的芯片無(wú)論是在性能還是在功耗比上都有很大的提升，而且這個(gè)提升已經(jīng)逐漸逼近臺(tái)積電的7nm工藝了。

要知道，在沒有EUV光刻機(jī)的情況，中芯國(guó)際能取得如此傲人的成績(jī)，可以說(shuō)是非常不容易了。但中芯國(guó)際似乎還沒有放棄前進(jìn)的步伐，梁孟松透露，中芯國(guó)際還在繼續(xù)研發(fā)更強(qiáng)悍的N+2工藝，并且預(yù)計(jì)N+1工藝能在明年年底投產(chǎn)。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)每年進(jìn)口的芯片量占據(jù)了全球芯片總產(chǎn)量的60%，如果在中科院和中芯國(guó)際的技術(shù)成熟后，這60%的需求當(dāng)中將會(huì)有一半會(huì)被“中國(guó)制造”所取代，這也就意味著我國(guó)正逐步打破西方國(guó)家對(duì)光刻機(jī)以及芯片生產(chǎn)技術(shù)的封鎖，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來(lái)曙光。