【ROHM在線研討會】

將于5月28日重磅開啟！

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體

具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能 

材料方面

高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化

6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進

產(chǎn)業(yè)方面

國際企業(yè)紛紛加強在第三代半導體領(lǐng)域的布局

SiC 成為巨頭布局熱點

產(chǎn)能大幅增加

產(chǎn)品供應上量，價差持續(xù)縮小

SiC產(chǎn)品性價比開始凸顯

商用的SiC半導體器件

有SiC肖特基二極管

SiC JFET及SiC MOSFET

SiC MOSFET相比Si MOSFET的明顯優(yōu)勢包括

更小的導通電阻、更快的開關(guān)過程

更小的寄生電容、更高的工作溫度

更好的二極管反向恢復特性 

缺點包括

更高的反向二極管導通壓降、驅(qū)動電路更復雜、系統(tǒng)對于雜散參數(shù)更加敏感。

 這么復雜？

想要學習使用SiC MOSFET設計開關(guān)電源？

那么快來加入這次研討會吧！ 

 高耐壓、高效率SiC MOSFET準諧振電源方案

2020-05-28 10:00:00

 顧偉俊

羅姆半導體（上海）有限公司

設計中心工程師

資深SiC領(lǐng)域?qū)＜?ROHM技術(shù)研討會主講師。多年從事SiC研究，擁有非常豐富的SiC應用經(jīng)驗?，F(xiàn)任“ROHM技術(shù)研討會”SiC MOSFET部分的講師。在全國范圍內(nèi)成功舉辦了多場研討會。希望通過在線研討會的形式，突破地域的局限，與更多的同行分享工作中的心得和體會。