1200V，20mΩ N溝道SiC MOSFET

NTHL020N120SC1的主要特性是什么？

NTHL020N120SC1的設(shè)計(jì)旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。此外，它被設(shè)計(jì)為以低內(nèi)部門極電阻（Rg =1.81Ω）和低輸出電容（Coss = 260pF）快速驅(qū)動(dòng)。

相較安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有的SiC MOSFET (在推出NTHL020N120SC1前)，NTHL020N120SC1有哪些改進(jìn)的特性?

這是我們的第一代SiC MOSFET，因此不能與以前的器件進(jìn)行比較。但是，我們的器件相對(duì)于市場(chǎng)上的其他器件具有一些優(yōu)勢(shì)-強(qiáng)大的氧化物性能（VGS額定值為+25V/-15V），無(wú)Vth漂移，無(wú)體二極管漂移，高開(kāi)關(guān)速度，具有dv/dt控制的平滑門極驅(qū)動(dòng)以及強(qiáng)大的體二極管用于硬開(kāi)關(guān)。

NTHL020N120SC1提供什么有競(jìng)爭(zhēng)力的規(guī)格？

我們的1200V SiC MOSFET器件在市場(chǎng)上非常有競(jìng)爭(zhēng)力，滿足或超越大多數(shù)客戶的規(guī)格。每個(gè)應(yīng)用都關(guān)注不同的參數(shù)，但總的來(lái)說(shuō)，我們將我們的器件設(shè)計(jì)為可快速運(yùn)行，從而減少了開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。為此，我們實(shí)現(xiàn)了較低的RDSon，并選擇了低的內(nèi)部門極電阻以快速開(kāi)關(guān)。我們?cè)O(shè)計(jì)的器件強(qiáng)固耐用，具有超過(guò)100V/ns的快速瞬態(tài)抗擾度。

SiC的優(yōu)勢(shì)是什么？

SiC的優(yōu)勢(shì)在于材料本身具有比硅高10倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)，高2倍的電子飽和速率，高3倍的導(dǎo)熱率。系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)是降低功率損耗，提高功率密度、工作頻率，耐受的工作溫度，降低EMI，最重要的是降低系統(tǒng)尺寸和成本，從而提供最高能效。

終端應(yīng)用：

有哪些終端應(yīng)用將充分利用NTHL020N120SC1的主要特性？

有多種終端應(yīng)用將顯著得益于減少物料單(BOM)成分以及增加功率密度。兩個(gè)尤為明顯的特定應(yīng)用是太陽(yáng)能逆變器以及電動(dòng)汽車(EV)充電樁。

為什么SiC MOSFET產(chǎn)品特別有利于太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電樁？這些應(yīng)用是否有強(qiáng)烈的尺寸/外形要求？如果是這樣，您能告訴我們背景或需求嗎？

大多數(shù)PFC級(jí)通常都很復(fù)雜，頻率有限，能效從未超過(guò)98％。使用SiC可以減少器件數(shù)(減少?gòu)?fù)雜性)，減少無(wú)源器件，實(shí)現(xiàn)更好的散熱以及高于98％的能效。

對(duì)更小的太陽(yáng)能逆變器和充電樁有很大的需求嗎？原因是什么？

太陽(yáng)能逆變器：

當(dāng)前，太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)領(lǐng)域有兩個(gè)趨勢(shì)。安森美半導(dǎo)體估計(jì)占總目標(biāo)市場(chǎng) (TAM)的30％。

1）每排面板的多個(gè)小于20kW的小型逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，然后饋入大型兆瓦級(jí)逆變器

2）一些大于20kW的大型逆變器會(huì)占用多排面板，而不會(huì)饋入更大的逆變器中

充電樁：

充電樁有4級(jí)功率。1級(jí)和2級(jí)是1/3相交流充電器。這些充電器不使用SiC，而是使用汽車的車載充電器(OBC)為電池充電。3級(jí)和4級(jí)的功率更高，并且在充電樁上使用AC - DC，因此，當(dāng)您連接到汽車時(shí)，它將直接為電池充電。

此外，我們將充電樁的3個(gè)“市場(chǎng)”細(xì)分

1）住宅– 1級(jí)或2級(jí)充電器

2）商業(yè)– 2級(jí)或3級(jí)（商場(chǎng)，工作場(chǎng)所，汽車停放處）

3）高速公路– 3級(jí)或4級(jí)（將在此處使用SiC）