全球領(lǐng)先的日本UV LED制造商N(yùn)itride Semiconductors將于11月1日公布成立全資子公司Micro Nitride Co.， Ltd. 該公司將專注用于Micro LED顯示屏的Micro UV LED芯片的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

近年來，以OLED為代表的自發(fā)光顯示器已經(jīng)被廣泛用于智能手機(jī)等設(shè)備，但由于其壽命短和耐熱性等缺陷，行業(yè)開始轉(zhuǎn)向Micro LED顯示器的開發(fā)。

目前有兩種實(shí)現(xiàn)Micro LED顯示屏的方法，3基色LED采用了紅光、藍(lán)光及綠光，藍(lán)光LED激發(fā)紅綠熒光粉和藍(lán)光LED成為兩大主流技術(shù)。

至于3基色LED，由于其材料易碎，無法生產(chǎn)μ紅色芯片，而且難以安裝高密度、且具有不同結(jié)構(gòu)和不同顏色的LED芯片。它們的電流和電壓、反應(yīng)速度都不同，因此很難實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)芯片的控制。

μBlue LED激發(fā)方法可以將所有安裝好的LED芯片集成到μ藍(lán)光LED中，因此安裝難度會(huì)降低，電流和電壓也可以得到統(tǒng)一。但藍(lán)光LED是發(fā)光產(chǎn)生的，而紅光和綠光LED是激發(fā)產(chǎn)生的，因此存在反應(yīng)速度的時(shí)間滯后。此外，由于藍(lán)光激發(fā)導(dǎo)致紅光LED和綠光LED的亮度較低，所以就會(huì)出現(xiàn)另外一個(gè)問題---顏色再現(xiàn)性較差。

μUV-LED + RGB熒光粉則可以解決上述問題。

Nitride Semiconductors公司發(fā)現(xiàn)制造具備P層和N層SLS結(jié)構(gòu)的μUV-LED芯片，發(fā)光效率加倍。（專利申請(qǐng)中）

原因在于，由于擴(kuò)散電流的距離短，發(fā)光復(fù)合率增加，內(nèi)部量子效率提高，從發(fā)光層到外部的距離變短，從而提高了外部量子效率。

Micro UV-LED晶元

Micro UV-LED芯片

紫外光圖像

24微米方形芯片與圓珠筆珠球（500μｍ）的尺寸比較

V-Technology（日本）的RGB元件結(jié)構(gòu)圖像