【2020年7月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計，以及溝槽柵芯片技術(shù)，為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上，將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關頻率下運行時，可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，客戶可以設計尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統(tǒng)成本。

它采用62mm標準基板和螺紋接口，具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設計，從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性，同時降低維修成本并減少停機損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續(xù)工作溫度(Tvjop)，帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其對稱的內(nèi)部設計，使得上下開關有了相同的開關條件?？梢赃x裝“預處理熱界面材料”(TIM)配置，進一步提高模塊的熱性能。

供貨情況

采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC?MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號可供選擇。它還有專為快速特性評估(雙脈沖/連續(xù)工作)而設計的評估板可供選擇。為了便于使用，它還提供了可靈活調(diào)整的柵極電壓和柵極電阻。同時，還可作為批量生產(chǎn)驅(qū)動板的參考設計使用。