【導(dǎo)讀】：美光財(cái)報(bào)再次上調(diào)，最近兩年存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)，讓存儲(chǔ)廠商日子過得很是滋潤(rùn)，有研究團(tuán)隊(duì)從美光的財(cái)報(bào)中得出一些報(bào)告，報(bào)告中說2021年，全自動(dòng)駕駛需要40+傳感器，下面是報(bào)告詳細(xì)內(nèi)容。

        美光再次上調(diào)財(cái)報(bào)展望，為什么會(huì)再次突破產(chǎn)業(yè)展望？存儲(chǔ)芯片大周期還在不斷高漲，超預(yù)期，這是為什么？我們從17年3月開始《半導(dǎo)體隨筆系列》，觀點(diǎn)領(lǐng)先全球！看好全球半導(dǎo)體超級(jí)周期，獨(dú)家提出硅片剪刀差+第四次硅含量提升產(chǎn)業(yè)邏輯，中國(guó)的第二次大投入再次催化產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而存儲(chǔ)芯片一直是我們強(qiáng)烈看好的大品種，美光財(cái)報(bào)也詳細(xì)對(duì)各細(xì)分行業(yè)展望、分析，驗(yàn)證隨筆產(chǎn)業(yè)觀點(diǎn)，敬請(qǐng)關(guān)注隨筆、關(guān)注全球半導(dǎo)體最本質(zhì)分析！

看點(diǎn)：

美光公司稱，存儲(chǔ)行業(yè)目前基本面是有史以來最強(qiáng)勁的！

存儲(chǔ)需求增速?gòu)?qiáng)勁，供給增速放緩，存儲(chǔ)廠商投資回報(bào)率將進(jìn)一步提升！

相較于2017年，AI、汽車、移動(dòng)端、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)、SSD對(duì)存儲(chǔ)的需求，到2021年，都將成倍提升！

1. 強(qiáng)，且正變得更強(qiáng) 1.1 市場(chǎng)：Data-hungry型應(yīng)用將長(zhǎng)期驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)增長(zhǎng)

從市場(chǎng)來看：

PC互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代每年產(chǎn)生2500億GB數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)380億美元移動(dòng)時(shí)代每年產(chǎn)生7萬億GB數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)620億美元數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，2017年產(chǎn)生了22萬億GB數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1280億美元。預(yù)計(jì)2021年，每年將產(chǎn)生62萬億GB數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步提升

良性循環(huán)：由增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)價(jià)值驅(qū)動(dòng)

創(chuàng)造對(duì)捕捉、處理、傳輸及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的持續(xù)的需求產(chǎn)生對(duì)存儲(chǔ)的不斷增長(zhǎng)的需求

AI帶來格局改變，首先是自然語(yǔ)言處理，下一個(gè)前沿是計(jì)算機(jī)視覺，將帶來更多在存儲(chǔ)方面的需求。

計(jì)算機(jī)視覺驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)需求：

智能機(jī)存儲(chǔ)核心驅(qū)動(dòng)：多高像素?cái)z像頭4K+HDR視頻AR/VR/3D 游戲汽車存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)：高清地圖+4K屏幕語(yǔ)音、手勢(shì)控制2021年，全自動(dòng)駕駛將需要40+ 傳感器2025年，將有2600萬輛三級(jí)以上自動(dòng)駕駛汽車云數(shù)據(jù)中心：2021年，相對(duì)2017年，需要2.6倍的資本支出相對(duì)于傳統(tǒng)服務(wù)器，AI訓(xùn)練需要6倍的DRAM、2倍SSD

對(duì)美光來說，主要的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力是：

數(shù)據(jù)中心：潛在機(jī)會(huì)市場(chǎng)由290億美元增長(zhǎng)至620億美元，2.1倍；移動(dòng)端：潛在機(jī)會(huì)市場(chǎng)由450億美元增長(zhǎng)至540億美元，1.2倍；汽車：潛在機(jī)會(huì)市場(chǎng)由25億美元增長(zhǎng)至59億美元，2.4倍；物聯(lián)網(wǎng)：潛在機(jī)會(huì)市場(chǎng)由90億美元增長(zhǎng)至160億美元，1.7倍

從需求看，2017年至2021年，DRAM位元需求復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)20%，NAND位元需求復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)40-45%。

1.2 產(chǎn)業(yè)：結(jié)構(gòu)性變化維持正向產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)

從產(chǎn)業(yè)來看，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)模占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)比重將提升至35%左右，強(qiáng)需求與穩(wěn)供給的趨勢(shì)下，存儲(chǔ)廠商投資回報(bào)率將進(jìn)一步提升

從需求看，2017年至2021年，DRAM位元需求復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)20%，NAND位元需求復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)40-45%
       
       從供給看，DRAM新制程需要更高的資本密集度，2018年，DRAM位元供給增速將放緩至20%左右；3D NAND需要更多的潔凈室空間以及更高的資本密集度，2018年，NAND位元供給增速將放緩至40%左右
綜合來看，存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)的基石，不斷增長(zhǎng)的多元化需求、更高的價(jià)值、平穩(wěn)的供給，將會(huì)為產(chǎn)業(yè)帶來結(jié)構(gòu)性變化，促成健康的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。

1.3 美光：策略、執(zhí)行力、文化帶來顯著價(jià)值

美光有40年的傳承，引領(lǐng)科技創(chuàng)新，拓展伙伴關(guān)系，規(guī)模化制造。

FY18Q2創(chuàng)紀(jì)錄的財(cái)務(wù)表現(xiàn)：

收入73.51億美元，同比增長(zhǎng)58%；毛利42.96億美元，同比增長(zhǎng)140%；凈利34.95億美元，同比增長(zhǎng)239%；現(xiàn)金流22.34億美元，同比增長(zhǎng)285%

美光投資戰(zhàn)略：

OpEx：技術(shù)在既有的NAND、DRAM路線上延伸推進(jìn)3D XPoint存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)新興存儲(chǔ)技術(shù)OpEx：產(chǎn)品開發(fā)高價(jià)值解決方案用于高頻寬和圖形的高性能存儲(chǔ)Managed NAND、SSD、3D XPoint產(chǎn)品CapEx：制造為客戶需求做技術(shù)遷移有競(jìng)爭(zhēng)力的制造成本彈性供給鏈

美光擁有業(yè)內(nèi)最綜合性的技術(shù)組合：DRAM、3D NAND、NOR、3D XPoint、新興技術(shù)。

美光將于2019年推出3D XPoint產(chǎn)品

比DRAM密度高10倍；比NAND持久1000倍；比NAND快1000倍。

1.4 美光的制勝戰(zhàn)略

美光制勝戰(zhàn)略五大核心：

成本競(jìng)爭(zhēng)力卓越執(zhí)行力高價(jià)值解決方案專注于客戶人才與文化

美光成本降低速度遠(yuǎn)快于業(yè)界

DRAM成本降速是業(yè)界的1.3倍；NAND成本降速是業(yè)界的1.9倍。

美光卓越的執(zhí)行力：

技術(shù)成熟時(shí)間破紀(jì)錄1Xnm DRAM技術(shù)成熟速度提升了25%；認(rèn)證用時(shí)改善1Xnm DRAM認(rèn)證速度提升了20%；64層NAND認(rèn)證速度提升了30%；TLC占比提升FY18Q2占比80%，同比提升25pct。

高價(jià)值的解決方案：高價(jià)值產(chǎn)品占比不斷提升。

專注于客戶：依賴可信合作伙伴快速部署

美光卓越的執(zhí)行力帶來營(yíng)業(yè)利潤(rùn)結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)：預(yù)計(jì)18年相較16年提升60億美元，21年相較18年提升30億美元。也即是說在2021年，相較于FY2016，將有90億美元的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)增長(zhǎng)。

美光的人才與文化：

人才：30%的新員工，超過1200人，有高學(xué)歷；平等：99%的性別薪酬平等，目標(biāo)100%；團(tuán)隊(duì)：創(chuàng)新的文化、韌性、緊迫感與責(zé)任

我們專注的領(lǐng)域：

對(duì)策略的執(zhí)行力基于ROI的投資盈利能力的增長(zhǎng)，為股東帶來更高的價(jià)值。

2. 追求卓越 2.1 廣泛的需求

AI服務(wù)器

相較于2017年，標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器平均145GB DRAM，預(yù)計(jì)2021年AI用服務(wù)器每臺(tái)將配置2.5TB DRAM。相較于2017年，標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器平均2TB NAND，預(yù)計(jì)2021年AI用服務(wù)器每臺(tái)將配置20TB NAND。

自動(dòng)駕駛汽車：

DRAM方面，目前L1/2需要8GB；2021年，L3需要16GB；2025年，L5需要74GB。NAND方面，目前L1/2需要8GB；2021年，L3需要256GB；2025年，L5需要1TB。

移動(dòng)端：5G、AI NPU、高清、AR等全方位提升存儲(chǔ)需求

DRAM方面，目前平均2.7GB，預(yù)計(jì)2021年，旗艦機(jī)型將配置12GB。NAND方面，目前平均43GB，預(yù)計(jì)2021年，旗艦機(jī)型將配置1TB。

物聯(lián)網(wǎng)：智能安防帶來邊緣存儲(chǔ)需求提升16倍

DRAM方面，網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)將由17年的0.5GB，提升至21年的8GB邊緣存儲(chǔ)。NAND方面，網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)將由17年的0.25GB，提升至21年的1TB邊緣存儲(chǔ)。

客戶端PC：價(jià)值驅(qū)動(dòng)滲透率、容量

SSD滲透率將由17年的36%，提升至21年的81%，2.3倍；單機(jī)平均容量將由17年的264GB，提升至21年的597GB，2.3倍。

美光所有事業(yè)群都從這五大領(lǐng)域的增長(zhǎng)中受益：

CNBU受益于數(shù)據(jù)中心以及PCMBU受益于智能機(jī)SBU受益于數(shù)據(jù)中心以及PCEBU受益于汽車以及物聯(lián)網(wǎng)

2.2 價(jià)值驅(qū)動(dòng)

加速高價(jià)值解決方案上市時(shí)間：

Managed NAND產(chǎn)品從組件到解決方案，速度提升了54%；SSD產(chǎn)品從組件到解決方案，速度提升了70%。

NAND解決方案占比不斷提升：

獨(dú)立部件銷售占比不斷下滑SSD、Managed NAND占比不斷上升QLC創(chuàng)新

美光是DRAM領(lǐng)導(dǎo)者之一：

高性能市場(chǎng)領(lǐng)先的GDDR性能GDDR產(chǎn)品進(jìn)入汽車、互聯(lián)網(wǎng)、AI領(lǐng)域高頻寬HBM產(chǎn)品開發(fā)中長(zhǎng)周期(耐用)市場(chǎng)汽車市場(chǎng)份額第一互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)份額第一移動(dòng)市場(chǎng)LPDDR4X：業(yè)內(nèi)最低功耗全球第一家12Gb die云市場(chǎng)FY18Q2，相較于FY16Q2，8倍的云端DRAM收入領(lǐng)導(dǎo)NV-DIMM-N的遷移未來3D XPoint與新興技術(shù)

美光是全球唯一一家同時(shí)擁有NAND、DRAM、3D XPoint技術(shù)的公司：

6大NAND廠商之一；3大DRAM廠商之一；2大3D XPoint廠商之一；

3. 科技領(lǐng)導(dǎo)者 3.1 傳承

美光歷史上多次業(yè)內(nèi)最先：

2007年，Pattern MulTIplicaTIon 技術(shù)使制程下降至40nm以下；2015年，CUA技術(shù)，將3D NAND 帶上新的臺(tái)階2017年，Array Stacking技術(shù)，為3D NAND發(fā)展鋪平道路

3.2 DRAM

美光DRAM制程推進(jìn)至1Xnm，且認(rèn)證周期減少20%。

美光DRAM產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高的可靠性，兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手每百萬缺陷率分別是美光的1.4倍和2.9倍；比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更低的功耗，兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手功耗分別是美光的1.2倍與1.25倍；最快的帶寬。

美光DRAM技術(shù)發(fā)展：

1Ynm：按計(jì)劃進(jìn)行中預(yù)計(jì)18年下半年投產(chǎn)對(duì)未來1Znm以及后續(xù)制程有信心EUV不是必須的光刻技術(shù)優(yōu)化容量及成本EUV在1β之后，將有優(yōu)勢(shì)持續(xù)推進(jìn)Stacking技術(shù)DDR4/5高性能產(chǎn)品：企業(yè)云、網(wǎng)絡(luò)、汽車應(yīng)用HBM高頻寬產(chǎn)品仍在研發(fā)中心：AI、機(jī)器學(xué)習(xí)、網(wǎng)絡(luò)及圖形應(yīng)用

3.3 NAND

美光NAND產(chǎn)品，2017年推進(jìn)至64層，且認(rèn)證周期，縮短30%。

美光NAND產(chǎn)品業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，得益于TLC技術(shù)，按GB/wafer來計(jì)算，領(lǐng)先15%。

美光3D NAND技術(shù)發(fā)展：

96L 3D NAND:層數(shù)增加50%結(jié)合使用Array stacking和CUA技術(shù)全球最小的512Gb die第4代 3D NAND寫入帶寬提升30%單位Bit功耗降低40%QLC技術(shù)全球最先64L QLC SSD解決方案全球最先1Tb die密度比TLC增加33%

3.4 3D XPoint

美光3D XPoint內(nèi)存：全球第一個(gè)商業(yè)化存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存

第二代投產(chǎn)綜合高性能、高密度、非易失CUA技術(shù)技術(shù)突破將會(huì)帶來更加廣闊的市場(chǎng)

4. 卓越運(yùn)營(yíng) 4.1 規(guī)模

美光全球布局：

日本技術(shù)研發(fā)晶圓制造試生產(chǎn)線臺(tái)灣地區(qū)晶圓制造封裝測(cè)試封裝技術(shù)研發(fā)中國(guó)大陸封裝測(cè)試模組制造新加坡&馬來西亞技術(shù)研發(fā)晶圓制造試生產(chǎn)線封裝測(cè)試SSD制造

先進(jìn)制程對(duì)潔凈室空間需求更大，美光全球布局?jǐn)U張計(jì)劃：

日本潔凈室擴(kuò)張10%空間臺(tái)灣地區(qū)封裝測(cè)試新加坡第一期擴(kuò)張潔凈室35%

Fab以外，資本密集度也越來越高，封測(cè)、研發(fā)、IT等CapEx投入為原先的1.3倍。

美光供給預(yù)測(cè)：

DRAM：與業(yè)界持平，20%的增長(zhǎng)；驅(qū)動(dòng)力為1X技術(shù)NAND：略高于業(yè)界40-45%的增長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)力為64層 3D NAND

4.2 成本

美光技術(shù)研發(fā)快于業(yè)界

DRAM:兩年Bit/Wafer增長(zhǎng)率是業(yè)界的1.3倍；NAND:兩年Bit/Wafer增長(zhǎng)率是業(yè)界的1.5倍.

美光技術(shù)成熟量產(chǎn)速度提高一倍。

美光成本降速高于業(yè)界

DRAM:兩年COGS/Bit降速是業(yè)界的1.3倍；NAND:兩年COGS/Bit降速是業(yè)界的1.9倍。受益于從MLC 2D NAND遷移至TLC 3D NAND

4.3 質(zhì)量

在猶他州、弗吉尼亞州投入裝用設(shè)備生產(chǎn)專業(yè)產(chǎn)品

猶他州：3D XPoint弗吉尼亞州：長(zhǎng)壽命產(chǎn)品，NAND、NOR、DRAM

高價(jià)值解決方案需要高質(zhì)量產(chǎn)品：

客戶質(zhì)量評(píng)價(jià)第一在汽車用存儲(chǔ)中份額第一在網(wǎng)絡(luò)用存儲(chǔ)中份額第一

4.4 速度

美光采取網(wǎng)絡(luò)式組裝測(cè)試流水線，大規(guī)模、垂直整合，增加靈活性，提升成本競(jìng)爭(zhēng)力。

5. 盈利驅(qū)動(dòng)，創(chuàng)造價(jià)值 5.1 收入結(jié)構(gòu)多元化

DRAM：收入的下游分布更加平衡，多樣化原來超過三分之一的業(yè)務(wù)是PC，現(xiàn)在PC、服務(wù)器、移動(dòng)端、專用DRAM，四大下游市場(chǎng)平衡NAND：收入多樣化，高價(jià)值產(chǎn)品份額提升原來超過一半的業(yè)務(wù)收入來自組件銷售，現(xiàn)在單獨(dú)銷售的組件份額在降低。

5.2 財(cái)務(wù)改善

2017年收入增長(zhǎng)64%，達(dá)到203以美元，預(yù)計(jì)FQ3營(yíng)收中值為77.5億美元，預(yù)計(jì)前三季度累計(jì)營(yíng)收將超過去年全年?duì)I收203億美元。EBITDA去年達(dá)到96億美元，增長(zhǎng)超過200%，預(yù)計(jì)EBITDA比率會(huì)持續(xù)提升自由現(xiàn)金流扭負(fù)為正，預(yù)計(jì)自由現(xiàn)金流占比將持續(xù)提升預(yù)計(jì)21年相較16年，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將提升90億美元研發(fā)投入是在增加的，研發(fā)費(fèi)用率下滑是因?yàn)槭杖朐鲩L(zhǎng)，預(yù)計(jì)管理費(fèi)用率將進(jìn)一步下降預(yù)計(jì)毛利率將進(jìn)一步提升，17年為43%。預(yù)計(jì)資本回報(bào)率將進(jìn)一步提升，17年為22%，16年為1%。

5.3 上調(diào)Q3指引

上調(diào)Q3預(yù)計(jì)收入至77-78億美元，原指引為72-76億美元；上調(diào)EPS至3.12-3.16美元，原指引為2.76-2.90美元。

5.4 宣布100億美元的股票回購(gòu)計(jì)劃

FY19起，至少50%的自由現(xiàn)金流用于回購(gòu)

6. 總結(jié)

市場(chǎng)強(qiáng)勁需求結(jié)合產(chǎn)業(yè)正向動(dòng)態(tài)：

數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)供給側(cè)增速放緩有史以來最強(qiáng)的行業(yè)基本面

為股東創(chuàng)造更高的價(jià)值：

基于ROI投資強(qiáng)執(zhí)行力驅(qū)動(dòng)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)改善FY19起，100億美元回購(gòu)計(jì)劃，至少50%的現(xiàn)金流用于回購(gòu)