IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET (絕緣柵型場效應管)組成的全控電壓驅動的功率半導體。

一、IGBT的壁壘

功率分立器件的演進路徑基本為二極管-晶閘管-MOSFET-IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產(chǎn)品。

IGBT既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的。因而是電力電子領域較為理想的開關器件，被譽為“電力電子器件里的CPU”，也被稱為半導體皇冠上的明珠!

IGBT 領域技術更迭較慢，部分產(chǎn)品可以用到 5-10 年之久，同時IGBT的進入壁壘是功率半導體里最高，從芯片設計到模組都需要很長時間技術積累以及在實際應用中不斷調試，注重資深工程師的經(jīng)驗積累，高壁壘重積累的特性利于業(yè)內玩家持續(xù)強化護城河。

二、IGBT的應用領域

全球的IGBT應用來看，工控占比37%，為最大的應用領域，電動汽車28%，新能源發(fā)電9%，消費領域8%。

而在國內，由于我國高鐵發(fā)達，下游應用領域工業(yè)控制29%，軌道交通28%，新能源汽車12%，新能源發(fā)電8%，不過隨著我國新能源領域的不斷發(fā)展，新能車和光伏風電這兩塊需求占比未來將持續(xù)上升。

2017年全球IGBT市場規(guī)模為52.55億美元，同比2016年增長16.5%，2018年全球IGBT 市場規(guī)模在58.36億美元左右，同比增長11%，在功率半導體各個細分中屬于景氣度最高的。

國內的IGBT需求增長遠超全球增長。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2018年中國IGBT市場規(guī)模為161.9億元，同比增長22.19%，增速顯著高于全球平均水平。

受益于新能源車、風電和光伏等我國強勢領域的持續(xù)發(fā)展，預計未來國內IGBT的復合增速繼續(xù)保持 20%以上。

這符合我們選擇高成長行業(yè)的基本指標，行業(yè)年增速超過20%，屬于行業(yè)的初級且處于高速成長期，容易產(chǎn)生10倍以上的牛股。

三、IGBT的市場格局：國產(chǎn)替代空間巨大

IGBT 市場競爭格局較為集中，主要競爭者包括英飛凌、三菱、富士電機、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT廠商的份額超過70%。國內IGBT 龍頭斯達半導 2018 年在模塊領域市占率僅2.2%。

由于IGBT的下游應用新能源車、光伏、風電等這些新興領域，我國在世界上的話語權高于過去的傳統(tǒng)燃油車領域和工控領域。

因此在IGBT的增量空間中有一半以上需求都在中國，未來幾年我國的IGBT市場需求占比將從 2019 年不足35%提升到 2025 年的50%或以上，為我國的 IGBT廠商提升份額和競爭力創(chuàng)造了良好的條件，國產(chǎn)IGBT廠商市場份額和業(yè)務量的提升潛力非常大。

龐大的本土下游需求加國產(chǎn)替代的浪潮，國內已經(jīng)實現(xiàn)從0到1突破的優(yōu)秀IGBT公司，將迎來未來5-10 年從1到N 的黃金發(fā)展機遇期。