日前，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界十分關注。這一事件會不會阻礙我國高技術產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展？我們?nèi)绾螒獙Ω鞣N沖擊？記者采訪了工業(yè)和信息化部有關負責人及行業(yè)專家。

國家發(fā)改委宏觀經(jīng)濟研究院常務副院長王昌林表示，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，將對我國高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來一定影響，但不會阻礙中國高技術產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展步伐。

王昌林認為，這是因為中國在全球高技術產(chǎn)業(yè)鏈中處于重要地位。如果美國大規(guī)模限制對中國關鍵技術的出口，無疑將對中國造成影響，也勢必同時也打擊美國和日本、韓國的電子信息產(chǎn)業(yè)。而且，還要看到，美國等發(fā)達國家制造業(yè)主要是靠高技術制造業(yè)支撐的，如果高技術產(chǎn)業(yè)大幅下滑，還將影響美國相關的研發(fā)服務等行業(yè)和納斯達克等資本市場，從而對美國經(jīng)濟和全球經(jīng)濟產(chǎn)生重大影響。

我國高技術產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新取得重要進展，具備加快做大做強的諸多優(yōu)勢。王昌林分析，我國已經(jīng)形成了體系完整、配套齊全、能力巨大的產(chǎn)業(yè)體系，并初步形成了一批創(chuàng)新型龍頭企業(yè);經(jīng)過多年的努力，目前我國在芯片、操作系統(tǒng)等領域擁有一批自主知識產(chǎn)權的技術和產(chǎn)品;國內(nèi)市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

王昌林表示，實踐證明，貿(mào)易摩擦和技術壁壘難以阻礙一個國家高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展。上世紀70年代，在半導體產(chǎn)業(yè)領域，美國和日本爆發(fā)了多年的貿(mào)易戰(zhàn)，但并沒有阻礙日本半導體產(chǎn)業(yè)的崛起。又如，前些年美國等國家對我國光伏產(chǎn)業(yè)實施了“雙反”調(diào)查，也沒有阻礙我國光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展步伐。

工業(yè)和信息化部部長苗圩表示，當前，我國在完善基礎設施、豐富人力資本、完備產(chǎn)業(yè)體系、廣闊市場空間、高效動員體制等方面形成了突出優(yōu)勢。我國產(chǎn)業(yè)技術水平越來越接近全球前沿，整體處于技術追趕后半程，高鐵、特高壓輸變電、通信設備、網(wǎng)絡應用等部分領域躋身世界先進行列。

“盡管中興通訊事件暴露出我國在傳統(tǒng)芯片中存在短板，但我們有條件、有能力、有辦法應對創(chuàng)新發(fā)展過程中的沖擊和干擾。”中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院裝備研究所所長左世全說，我國的技術創(chuàng)新優(yōu)勢體現(xiàn)在四個方面：規(guī)模雄厚的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢、世界上最大的制造業(yè)需求潛力、集中力量辦大事的制度優(yōu)勢和無可比擬的人才資源優(yōu)勢。

工信部電子司有關負責人介紹，近年來，我國芯片設計業(yè)規(guī)模和質(zhì)量穩(wěn)步提升，細分領域?qū)崿F(xiàn)較大突破，國產(chǎn)芯片對關鍵領域的支撐能力顯著增強，先進工藝生產(chǎn)線建設速度不斷加快，封裝測試業(yè)接近國際先進水平。

工信部副部長羅文指出，當前要突出抓好制造業(yè)創(chuàng)新中心建設，面向行業(yè)關鍵共性技術，解決行業(yè)反映突出的專用設備、材料、工藝等共性問題，跨越科技成果工程化、產(chǎn)業(yè)化的“死亡之谷”。

十三五國家重點研發(fā)計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，我國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創(chuàng)新，取得了豐碩的創(chuàng)新性成果。

祝寧華介紹，僅從“863”計劃的十二五規(guī)劃來看，國家針對寬帶通信、高性能計算機、骨干網(wǎng)絡、光交換、接入網(wǎng)、無線通信和微波光波融合等領域方向中的光電子器件進行了重點部署。“這些研發(fā)項目有很多都是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。”

祝寧華分析，當前我國在光電子高端芯片研制上已具備基本條件。據(jù)了解，為實現(xiàn)自主創(chuàng)新發(fā)展，我國于2008年實施了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”，經(jīng)過9年攻關，成功打造了我國集成電路制造業(yè)創(chuàng)新體系。專項實施前，國內(nèi)集成電路制造最先進的量產(chǎn)工藝為130納米，研發(fā)工藝為90納米。9年來，我國主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發(fā)成功并實現(xiàn)量產(chǎn)，22、14納米先導技術研發(fā)取得突破，已研制成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。

十三五國家重點研發(fā)計劃寬帶通信和新型網(wǎng)絡重點專項專家組成員、北京大學教授李紅濱表示，只要我們堅持已有的開放、競爭合作、共同發(fā)展道路不動搖，集中政府、研發(fā)機構、企業(yè)的優(yōu)勢力量，相信用不了太久，在產(chǎn)業(yè)鏈高端——核心芯片上也必然會取得同樣令世人矚目的成就。