DRAM內(nèi)存商用已歷經(jīng)50年，NAND Flash閃存面世也已經(jīng)有30年，從最初的群雄并舉演化到當(dāng)前的寡頭格局，地域上也可分出韓國(guó)、美日、和中國(guó)臺(tái)灣這3個(gè)梯隊(duì);以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫、晉華和紫光DRAM項(xiàng)目為主的中國(guó)新晉力量受到廣泛關(guān)注。中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考：

　　DRAM

　　PC：DDR4;利基：DDR3

　　DDR3和DDR4內(nèi)核并無(wú)本質(zhì)差別，邏輯部分同為8位預(yù)加載，晶圓制成大同小異。定位PC和服務(wù)器市場(chǎng)，DDR4是不二選擇。車(chē)載等利基市場(chǎng)產(chǎn)品應(yīng)用滯后主流技術(shù)1代，定位利基市場(chǎng)需要在市場(chǎng)準(zhǔn)入和可靠性方面打開(kāi)局面并建立多產(chǎn)品小批次的運(yùn)營(yíng)模式，DDR3不失為一種選擇，但是必須考慮到市場(chǎng)容量問(wèn)題。

　　目前市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)紫光國(guó)芯品牌的DDR3內(nèi)存條，也許可以理解為是一種前奏。紫光國(guó)芯的前身為2003年建立的英飛凌西安DRAM設(shè)計(jì)部門(mén)，2009年被浪潮收購(gòu)開(kāi)始獨(dú)立運(yùn)作。紫光國(guó)芯具有一流的設(shè)計(jì)能力，從事利基型DRAM和設(shè)計(jì)服務(wù)，晶圓主要由臺(tái)灣的合作伙伴供應(yīng)。這種類(lèi)似金士頓的模式需要強(qiáng)大的渠道控制力和品牌號(hào)召力，且成本較高;但是由此可以實(shí)現(xiàn)零的突破，建立品牌和分銷(xiāo)模式，為今后的大發(fā)展奠定一個(gè)基礎(chǔ)。

　　移動(dòng)：LPDDR4

　　移動(dòng)DRAM在受手機(jī)市場(chǎng)的推動(dòng)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)IDG公布的數(shù)字，2017年全球智能手機(jī)年產(chǎn)量14.62億臺(tái)，中國(guó)品牌約占一半的全球份額。一些專(zhuān)供亞非拉市場(chǎng)的公司由于上市而忽然受到關(guān)注，例如傳音手機(jī)，據(jù)說(shuō)2017年出了3500萬(wàn)臺(tái)智能機(jī)和8500萬(wàn)臺(tái)功能機(jī)!總體智能手機(jī)出貨量趨于飽和，但是平均售價(jià)和平均存儲(chǔ)器消耗在上升，對(duì)于DRAM和NAND Flash仍然是主要的推動(dòng)力量。無(wú)論對(duì)于DRAM還是NAND Flash制造商，得移動(dòng)者得天下，LPDDR4優(yōu)先。新晉業(yè)者在產(chǎn)能、性能和IP積累等方面居劣勢(shì)，不妨放低姿態(tài)，利用中國(guó)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，先農(nóng)村后城市。

　　根據(jù)官方發(fā)布的信息，上市公司兆易創(chuàng)新和政府投資的合肥長(zhǎng)鑫這一組合將在2018年底展示其產(chǎn)品，前者管設(shè)計(jì)，后者管制造，合力沖擊19nm DRAM制程。兆易的創(chuàng)始人朱一明在中國(guó)IC界有著廣泛的聲譽(yù)，創(chuàng)業(yè)初期幾次試錯(cuò)后產(chǎn)品被瑞星微接受，SPI NOR打開(kāi)市場(chǎng)，MCU也大獲成功，2016年公司上市斬獲17個(gè)連續(xù)漲停。值得關(guān)注的是兆易已經(jīng)進(jìn)入eMCP和eMMC市場(chǎng)，并自主生產(chǎn)38nm的2D NAND。合肥長(zhǎng)鑫的主導(dǎo)者王寧國(guó)擁有加州伯克利博士學(xué)位，早年在全球最大的設(shè)備公司應(yīng)用材料擔(dān)任高管，曾經(jīng)先后擔(dān)任華虹和中芯國(guó)際這兩家中國(guó)最大的Foundry的CEO。長(zhǎng)鑫的第一款產(chǎn)品尚未公布，我們拭目以待。

　　福建晉華則是福建省與臺(tái)灣聯(lián)華兩岸合作的模式，規(guī)劃6萬(wàn)片產(chǎn)能。臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)試圖挑戰(zhàn)三星的地位，然而研發(fā)不足制約了自身的發(fā)展，南亞、華亞科、力晶、華邦等劫后余生的企業(yè)基本依賴(lài)技術(shù)授權(quán)和代工業(yè)務(wù)。希望晉華在發(fā)展路徑上可以堅(jiān)持自主研發(fā)，哪怕走的慢一點(diǎn)。

　　比特幣挖礦機(jī)對(duì)臺(tái)積電10nm產(chǎn)能購(gòu)買(mǎi)力令人側(cè)目。與比特幣的哈希算法碰撞猜謎不同，以太坊采用的ETHASH算法比拼DRAM頻寬，據(jù)說(shuō)一臺(tái)礦機(jī)會(huì)配備72GByte DRAM。礦機(jī)所搭配的DRAM是否必須是符合JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品?對(duì)新晉的業(yè)者會(huì)不會(huì)是機(jī)遇?

　　NAND Flash

　　NAND Flash三步走：存儲(chǔ)卡-移動(dòng)終端-SSD

　　閃存的增長(zhǎng)來(lái)自于移動(dòng)終端、消費(fèi)級(jí)SSD(筆記本電腦)和企業(yè)級(jí)SSD。其他如存儲(chǔ)卡等也保持著一定的份額。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)演示了32層3D閃存，紫光集團(tuán)早期收購(gòu)的展銳擁有移動(dòng)處理器、基帶和射頻，2016年入主新華三提供云服務(wù)，之后頻頻收購(gòu)下游芯片封裝和SSD制造企業(yè)，垂直一體化指向非常明顯。日前紫光存儲(chǔ)發(fā)布了一系列的產(chǎn)品，目前使用的應(yīng)該是大廠的顆粒，一旦長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始出貨相信會(huì)迅速導(dǎo)入。NAND Flash不同于DRAM，DRAM只要有一個(gè)點(diǎn)失效(出廠前尚可小規(guī)模修補(bǔ))，一顆芯片乃至一個(gè)模組就不能正常工作了;而NAND Flash由主控芯片規(guī)劃數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域，當(dāng)閃存芯片出現(xiàn)失效單元后主控可以把這部分隔離，整體依然可用。紫光存儲(chǔ)的發(fā)布中出現(xiàn)了自研的SSD主控芯片。