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[導(dǎo)讀]說起內(nèi)存參數(shù),大家肯定多知道容量、頻率,甚至是電壓、顆粒來源等,但和頻率一樣決定了內(nèi)存性能高低的時序(也常說延遲),卻往往容易被忽視。 今天,影馳就內(nèi)存時序做了一個簡單的科普,一起來了解下。 內(nèi)存頻率

說起內(nèi)存參數(shù),大家肯定多知道容量、頻率,甚至是電壓、顆粒來源等,但和頻率一樣決定了內(nèi)存性能高低的時序(也常說延遲),卻往往容易被忽視。

今天,影馳就內(nèi)存時序做了一個簡單的科普,一起來了解下。

內(nèi)存頻率是一個數(shù)字,而內(nèi)存時序則是一大串數(shù)字,最常用的就有4個,表述的時候中間用破折號隔開,例如16-18-18-38。

這些數(shù)字都表示延遲,也就是內(nèi)存的反應(yīng)時間。當內(nèi)存接收到CPU發(fā)來的指令后,通常需要幾個時鐘周期來處理它,比如訪問某一塊數(shù)據(jù),這就對應(yīng)時序參數(shù)。

當然了,這個處理時間越短,內(nèi)存性能越好。

內(nèi)存時序4個數(shù)字對應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,單位都是時間周期,也就是一個沒有單位的純數(shù)字。

CL(CAS Latency):列地址訪問的延遲時間,是時序中最重要的參數(shù)

tRCD(RAS to CAS Delay):內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間

tRP(RAS Precharge Time):內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間

tRAS(RAS Active Time):行地址激活的時間

看完感覺更懵圈了?沒關(guān)系,給你舉個例子。

我們可以把內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)的地方想象成下面這樣,每個方格都存儲著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù),就向內(nèi)存發(fā)來相應(yīng)的指令,比如想要的位置是C4。

內(nèi)存收到CPU的指令之后,要先確定數(shù)據(jù)具體在哪一行,時序的第二個參數(shù)tRCD就代表這個時間,意思就是內(nèi)存控制器接收到行的指令后,需要等待多長時間才能訪問這一行。

由于每一行都有多個數(shù)據(jù),內(nèi)存并不能哪一個才是CPU需要找的,所以tRCD只是一個估值,這也就是為什么小幅改動這個數(shù)值,并不會顯著改變內(nèi)存的性能。

內(nèi)存確定了數(shù)據(jù)所在的行之后,要想找出數(shù)據(jù),還得確定列。時序的第一個數(shù)字也就是CL(CAS),就表示內(nèi)存確定了行數(shù)之后,還得等待多長時間,才能訪問具體的列數(shù)(時間周期)。

行列必然產(chǎn)生交點,也就是說確定了行數(shù)和列數(shù)之后,就能準確找到目標數(shù)據(jù),所以CL是一個準確的值,任何改動都會影響目標數(shù)據(jù)的位置,所以它在時序當中是最關(guān)鍵的一個參數(shù),對內(nèi)存性能的發(fā)揮著舉足輕重的作用。

內(nèi)存時序的第三個參數(shù)tRP,就是如果我們已經(jīng)確定了一行,還要再確定另外一行所需要等待的時間(時間周期)。

第四個參數(shù)tRAS,可以簡單理解成內(nèi)存寫入或者讀取數(shù)據(jù)的一個時間,它一般接近于前三個參數(shù)的總和。

所以,在保障穩(wěn)定性的前提下,內(nèi)存時序越低越好,而高頻率和低時序是個矛盾體,一般頻率上去了,時序就得有所犧牲,要想足夠低的時序,頻率又很難拔高。

那么,時序?qū)?nèi)存性能的影響到底有多大呢?

我們做了一個測試,保持內(nèi)存頻率不變,可以看到,內(nèi)存的性能隨著時序的變小而不斷變強。

另外,時序改變后,內(nèi)存延遲的變化比內(nèi)存讀寫速度的變化更加明顯,這也說明時序?qū)?nèi)存的影響,更側(cè)重在延遲方面。

現(xiàn)在,你懂了嗎?


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