英國劍橋大學（Cambridge University）日前推出新的電晶體設計，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應來源并可在1伏特下運作且耗電低于10億分之1瓦特。

　　根據The Register報導，自從1965年起，電晶體依照摩爾定律順利發(fā)展，其密度越來越密集也讓CPU性能得以提升，但反觀電池卻未跟上電晶體穩(wěn)定發(fā)展的速度取得進展。

　　對此，美國勞倫斯柏克萊國家實驗室（Lawrence Berkeley NaTIonal Laboratory）物理學家Fred Schlachter便在2013年指出，電池并不如半導體產業(yè)有摩爾定律可依循。

　　于是研究人員只好試圖往增加電池電力的方向著手，但這并非萬無一失的方法，例如三星電子（Samsung Electronics）便因Note 7電池爆炸而不得不召回并停產該款手機。

　　不過，日前劍橋大學的Sungsik Lee與Arokia Nathan教授則在Science期刊中公布一款利用極小能源的電晶體設計，制造的電晶體更可保留蕭特基位障（Schottky barrier），讓電晶體緊密封裝后仍可維持獨立性。

　　研究人員指出，該款氧化銦鎵鋅（IGZO）薄膜電晶體由于相當節(jié)省電力，因此可望被運用在廣泛裝置上，例如從周遭環(huán)境搜集所需電力的穿戴式或植入式電子產品。該電晶體可在不到1伏特下運作，耗電也低于10億分之1瓦特，因此能源效率表現相當杰出。

　　其設計原理是利用一種與電晶體有關的漏電近關狀態(tài)電流（near-off state current），而且上述微小電子元件可在低溫下制造并可列印在包括玻璃、塑膠、聚酯纖維與紙張等各式材料上。

　　對此，Nathan認為，研究人員已成功挑戰(zhàn)傳統(tǒng)對電晶體的認知，并且從過程中發(fā)現，過去被工程師避之唯恐不及的蕭特基位障本身的特質反而可被運用在穿戴式或觀察健康狀態(tài)的植入式裝置等超低功耗應用上。