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[導讀]在5G大規(guī)模商用普及的背景下,日益爆炸的數(shù)據(jù)傳輸和計算要求、存儲能力的躍進、安全保障訴求的提升,都逐漸成為走在數(shù)字世界前沿的半導體產(chǎn)業(yè)普遍突破的方向。在新算力時代,如何在國產(chǎn)化浪潮中夯實自身的技術能力?在各自細分領域的突破方向又在哪里?成為半導體產(chǎn)業(yè)化國產(chǎn)征程該考慮的重點。

在5G大規(guī)模商用普及的背景下,日益爆炸的數(shù)據(jù)傳輸和計算要求、存儲能力的躍進、安全保障訴求的提升,都逐漸成為走在數(shù)字世界前沿的半導體產(chǎn)業(yè)普遍突破的方向。在新算力時代,如何在國產(chǎn)化浪潮中夯實自身的技術能力?在各自細分領域的突破方向又在哪里?成為半導體產(chǎn)業(yè)化國產(chǎn)征程該考慮的重點。

一、NB-IoT:集成式SOC是大勢所趨

在NB-IoT(物聯(lián)網(wǎng)通信技術的一種)正式被3GPP組織納入5G標準之后,市場對該領域的關注度愈發(fā)高漲起來。實際上在這些年的綿延探索過程中,國內已經(jīng)出現(xiàn)不少NB-IoT領域的廠商,經(jīng)歷過初期的跑馬圈地之后,接下來的路徑該怎么走將是一個關鍵性問題。

當今物聯(lián)網(wǎng)世界有兩大趨勢:第一是傳統(tǒng)行業(yè)現(xiàn)代化、智能化;第二是物理世界數(shù)字化、機器海量連接。未來,集成式芯片會是歷史大勢,不可阻擋。具備集成多項技術能力的SOC可以更好獲得市場。

而IP成敗在一定程度上決定了芯片設計的成敗,用IP搭建芯片,集成,集成,再集成將是行業(yè)發(fā)展大勢。在封測端,高集成、高帶寬、低功耗、應用場景定制化也驅使芯片封裝設計走向一體化。

作為中國芯片IP和芯片定制的一站式領軍企業(yè),芯動科技Innosilicon的發(fā)展一直受到半導體行業(yè)同仁的關注。有機構直言:芯動是中國少數(shù)在細分領域能夠引領全球產(chǎn)品創(chuàng)新的一站式IP和芯片定制領軍企業(yè)。

二、內存接口芯片:站穩(wěn)并拓寬應用方向

在對國內SoC設計項目的調查中發(fā)現(xiàn),一些高速接口IP核還依賴于國外企業(yè),而且這些IP核的供應商較少,國內企業(yè)的選擇面較窄,IP核的價格也十分昂貴。

據(jù)了解,芯動科技全國產(chǎn)自主可控的高速混合電路IP核在滿足國際通用標準的同時,還可根據(jù)客戶應用場景進行面積、功耗等PPA優(yōu)化,一步到位交鑰匙快速集成,全程為客戶產(chǎn)品成功保駕護航,實現(xiàn)芯片差異化競爭優(yōu)勢。這對于國內半導體生態(tài)圈來說真的是一個好消息,從設計到量產(chǎn),都能使用全國產(chǎn)自主可控的IP了。

據(jù)東方證券估算,DDR5 需要使用更多內存接口芯片。相比DDR3只采用1顆寄存緩存芯片、DDR4最多采用“1+9” 個內存芯片,DDR5對內存接口的需求進一步提升,最多達到“1+10”個(1RCD+10DB),此外,內存性能顯著提升要求內存接口芯片也顯著提升。內存接口芯片有望迎來量價齊升。

從官方消息了解,芯動科技突破“內存墻”瓶頸推出的DDR系列內存產(chǎn)品,始終處于行業(yè)前沿,除了早已成功運用于過去主流計算市場的DDR3/4/LPDDR3/4,以其靈活的combo phy出名,還推出更大容量、更高帶寬、更低功耗、更高穩(wěn)定性產(chǎn)品涵蓋高性能產(chǎn)品GDDR6(16GT/s,1.35V)、主流產(chǎn)品DDR5(6.4GT/s,1.1V)、低功耗產(chǎn)品LPDDR5(6.4GT/s,0.5.V)等。

三、服務器:國產(chǎn)化新材料助推新技術

隨著云計算時代的到來,服務器需求正呈現(xiàn)井噴態(tài)勢。本質來說,這也是基于新算力時代需求而來的產(chǎn)物。

中科曙光工程師指出,早期使用風冷方式散熱,是因為早期超級計算機采用的芯片功率較低,沒有超級大規(guī)模的運算需求和能力,但隨著運算需求提升,逐漸變成類似風扇的方式,把服務器內的熱氣“吹”出來。

但其弊端在于,可以容納的服務器內置刀片(類似內存盤)密度不夠大,為了適應當前的算力需求、增加刀片密度,因此具備更高功率密度、更高電源轉換效率的計算機產(chǎn)品便應運而生。

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