25日，三星和臺(tái)積電在5nm先進(jìn)制程上同時(shí)爆料，沒有硝煙的戰(zhàn)場(chǎng)上從未停止戰(zhàn)爭。

據(jù) ZDNet Korea 報(bào)道，業(yè)界人士透露，三星預(yù)計(jì)將從 2020 年底開始，投入 5nm 制程應(yīng)用處理器 （AP）、通訊調(diào)制解調(diào)器芯片 （Modem）的大量生產(chǎn)。

而臺(tái)積電也在其當(dāng)日的線上技術(shù)論壇上爆料，除了披露旗下最新工藝制程情況外，同時(shí)公布了其擴(kuò)產(chǎn)及研發(fā)計(jì)劃。業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，公司5nm制程再次領(lǐng)先全球，率先進(jìn)入量產(chǎn)，并確定引入EUV技術(shù)，明年還將在目前N5工藝上，推出加強(qiáng)版N5P工藝。

三星5nm制程屢屢受挫，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

消息人士表示，三星 5nm 訂單主要有高通驍龍 875 處理器、驍龍 X60 調(diào)制解調(diào)器以及三星 Exynos 1000 等。該業(yè)界人士稱，“先前業(yè)界傳出三星 5nm 制程良率不佳，那只不過是市場(chǎng)散播出來的謠言而已。”

三星在今年第 2 季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中公開表示，5nm 制程已于 2020 年第 2 季度量產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2020 年下半開始拓展客戶并正式投入大量生產(chǎn)。

上個(gè)月 DigiTimes 稱，三星的 5 nm EUV 光刻工藝正面臨著良品率低的問題。而高通考慮到三星方面的局限已將其部分芯片緊急交由臺(tái)積電進(jìn)行補(bǔ)救。

一路走來，三星5nm量產(chǎn)計(jì)劃屢屢受挫。相比于三星，臺(tái)積電的5nm先進(jìn)制程之路平坦很多。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)的最新資料，目前臺(tái)積電晶圓代工市占率為53．7％，三星占比17．4％。

臺(tái)積電先進(jìn)制程5nm到3nm全安排上了，順風(fēng)順?biāo)?

在25日臺(tái)積電線上技術(shù)論壇上，據(jù)張曉強(qiáng)介紹，臺(tái)積電已為其5nm、4nm、3nm制程初步定下量產(chǎn)時(shí)間表：

其中，5nm制程將分為N5工藝以及加強(qiáng)版N5P工藝，N5工藝較同一時(shí)期量產(chǎn)的7nm N7工藝，速度提高15％，功耗降低30％，邏輯電晶體密度增1．8倍，良率也有所提高，N5P工藝則在N5工藝的基礎(chǔ)上性能再次提升，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。

5nm以下先進(jìn)制程方面，4nm是建立在5nm平臺(tái)上，把5nm效能與功耗進(jìn)一步向前推進(jìn)，4nm與5nm互相兼容，計(jì)劃2021年第四季試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)；3nm則將沿用FinFET制程，且為全新的節(jié)點(diǎn)技術(shù)，與5nm相比，速度增加10％至15％，功耗降25％至30％，邏輯電晶體密度增1．7倍，預(yù)計(jì)2022年下半年量產(chǎn)。

特殊制程方面，臺(tái)積電還介紹了專為IoT、移動(dòng)和邊緣設(shè)備等低功耗設(shè)備而設(shè)計(jì)的N12e工藝，該工藝是臺(tái)積電12 nm FinFET節(jié)點(diǎn)的增強(qiáng)版，擁有更低功耗、更高性能，支持超低漏電器件和低至0．4V的超低Vdd設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電的FinFEt太過強(qiáng)大，在最新的3nm制程上也將繼續(xù)沿用FinFET工藝，不過，三星這邊的3nm則選擇了GAA工藝路線。主流廠商包括三星、臺(tái)積電、英特爾和中芯國際等都對(duì)GAA技術(shù)表示興趣，或者已經(jīng)開始試產(chǎn)。有了GAA工藝，高端芯片的廝殺也將拉開序幕。

相較于第二大晶圓代工商三星5nm量產(chǎn)計(jì)劃屢屢受挫、英特爾7nm芯片自產(chǎn)計(jì)劃瀕臨流產(chǎn)，臺(tái)積電的先進(jìn)制程量產(chǎn)進(jìn)度，可謂順風(fēng)順?biāo)?

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